【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電層と、前記第１導電層の少なくとも一部に対向して、前記第１導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第１導電層に接するパッチ部を含む第２導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線１０はＡｌＣｕ合金を下層１１とし、ＭｏＣｒ合金を上層１２とする２層構造である。上層/下層の膜厚比を、０．４以上、１．０以下とすることによって、走査線１０の断面において、電池作用によって上層１２のエッチング速度が遅くなって、上層１２の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線１０に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線１０との交差部において断線することを防止する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増大させずにスナップバック現象を抑制することのできる、ＩＧＢＴと他の半導体素子とが一体化して配置された半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴとドリフト層を有する他の半導体素子とを備えた半導体装置であって、ＩＧＢＴのドリフト層と他の半導体素子のドリフト層とが互いに接しており、ＩＧＢＴのエミッタ層と他の半導体素子のドリフト電界を発生させる電圧が印加される一方の極性層とが互いに導電的に接続されており、ＩＧＢＴのコレクタ層と他の半導体素子の他方の極性層とが互いに導電的に接続されており、ＩＧＢＴのドリフト層の他の半導体素子のドリフト層との境界から離れた領域に絶縁層を介して対向する領域をドリフト方向に沿って延伸し、Ｎチャネル型ＩＧＢＴではコレクタ側からエミッタ側に向けて電流が流され、Ｐチャネル型ＩＧＢＴではエミッタ側からコレクタ側に向けて電流が流される配線部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上し消費電力を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の領域を画定する第１の素子分離絶縁膜と、半導体基板の第１の領域に形成された第１導電型の第１の導電層と、半導体基板上に形成され、第１の領域の一部である第２の領域に第１の導電層に接続して形成された第１導電型の第２の導電層と、第１の領域の他の一部である第３の領域に第１の導電層に接続して形成された第１導電型の第３の導電層とを有する半導体層と、半導体層内に設けられ、第２の導電層と第３の導電層とを分離する第２の素子分離絶縁膜と、第２の導電層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、第３の導電層を介して第１の導電層に電気的に接続されたゲート電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】開口率の向上された発光装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、プラスチック基板上に有する発光装置であって、配線は、容量の上に設けられ、容量は、配線の少なくとも一部と重なる領域を有する。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】静電破壊を防止して歩留まり良く製造できる電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】支持体上に、樹脂材料からなる基材を複数積層することで第１基板を形成する工程と、素子基板から前記支持体を剥離する工程と、素子基板との間で機能素子を挟持するように第２基板を貼り付ける工程と、を有する電気装置の製造方法に関する。素子基板の形成工程においては、複数の基材間のいずれかに挟持するように電極層を配置するとともに、電極層よりも上層であって複数の前記基材間のいずれかに挟持する或いは基板本体の表面に配置するように機能素子を駆動するための半導体素子を設ける。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を
同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電
極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気
的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成
された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成
された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的
に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の上昇を防ぎつつ、配線間の寄生容量を低減できる表示装置を提供する。また、表示品質を向上させた表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の画素において、信号線と、該信号線と交差する走査線と、信号線から突出する第１の電極と、該第１の電極と対向する第２の電極と、該第２の電極と接続する画素電極とを有する。また、走査線の一部はループ形状であり、第１の電極の一部は、走査線の開口部と重畳する領域に位置する。即ち、第１の電極の一部は、走査線と重畳しない。 （もっと読む）