Fターム［5F110BB00］の内容
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Fターム［5F110BB00］に分類される特許
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薄膜トランジスタの製造方法
【課題】ａ−ＩＧＺＯをチャネル層として用いるＴＦＴの素子特性分布に優れ、長時間動作の閾値電圧シフト量を低減した薄膜トランジスタの製造方法の提供。
【解決手段】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜をチャネル層として用いた薄膜トランジスタの製造方法において、該チャネル層を成膜後に、露点温度を３０〜９５℃に制御した水蒸気と酸素ガスの混合雰囲気中で、温度２００〜５００℃で該チャネル層のアモルファス酸化物を熱処理する工程を含むこと特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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