【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板に生じるクラックの発生を防止した薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成方法は、基板を準備する基板準備工程と、基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、第１薄膜に対して光線を相対走査して照射することにより、第１薄膜を結晶化する結晶化工程と、結晶化工程において第１薄膜に生じる熱の基板への伝導量を低下させる緩和層を、結晶化工程の前に、基板の端部領域及び基板を切断する際に切断線が通る領域の少なくとも一方を含む領域に形成する緩和層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する第１工程と、基板１上にゲート電極２を形成する第２工程と、ゲート電極２上に第１絶縁膜としてゲート絶縁膜３を形成する第３工程と、ゲート絶縁膜３上に非結晶質の半導体薄膜４ａを形成する第４工程と、非結晶質の半導体薄膜４ａ上に第２絶縁膜としてチャネル保護膜５を形成する第５工程と、チャネル保護膜５の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜４ａを結晶化させて結晶化領域を形成する第６工程と、結晶化領域の上方にソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄを形成する第７工程と、を含み、第５工程において、チャネル保護膜５は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】基材が必要以上に加熱されることなく、透明酸化物半導体層を効率よくアニールして電気的特性に優れた半導体装置の製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１表面にゲート電極層２を形成し、このゲート電極層を覆う絶縁層３を形成し、この絶縁層表面に透明酸化物半導体層４を形成する工程と、透明酸化物半導体層に対してレーザを照射してアニールする工程とを含む。アニール時、レーザを、透明酸化物半導体層及び絶縁層を透過してゲート電極層で吸収される特定波長のグリーンレーザとする。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規な未焼結シリコン粒子膜及び半導体シリコン膜、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の未焼結シリコン粒子膜１３０は、互いに未焼結のシリコン粒子からなり、且つ不活性ガス雰囲気中において１気圧の圧力及び６００℃の温度で加熱したときに脱離する脱離性ガスの量が、未焼結シリコン粒子膜の質量に基づいて、５００質量ｐｐｍ以下である。未焼結シリコン粒子膜を製造する本発明の方法は、（ａ）シリコン粒子分散体を、基材上１００に塗布して、シリコン粒子分散体膜１１０を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜１１０を乾燥して、乾燥シリコン粒子膜１２０を形成する工程、及び（ｃ）乾燥シリコン粒子膜１２０を焼成することによって、未焼結シリコン粒子膜１３０を形成する工程を含む。本発明の半導体シリコン膜１４０は、互いに焼結されているシリコン粒子からなり、且つ炭素原子を実質的に含有していない。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ（Ｓ１０２）と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ（Ｓ１０４）と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ（Ｓ１０６）と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ（Ｓ１０８）とを含み、照射ステップ（Ｓ１０８）では、走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と照射パワー密度Ｐ（ＫＷ／ｃｍ²）との関係をＫ＝Ｐ／√Ｖとし、Ｋ＞４の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるｆθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】高性能な電気特性を実現しうるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の結晶性分布を有した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、絶縁性の基板と、前記絶縁性基板の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成された結晶シリコン膜と、前記結晶シリコン膜の端部の上方に形成されたソース電極と、前記結晶シリコン膜における前記ソース電極が形成された端部と対向する端部の上方に形成され、前記ソース電極と離間しているドレイン電極とを具備する薄膜トランジスタにおいて、前記結晶シリコン膜におけるソース電極又はドレイン電極が形成されている前記結晶シリコン膜の端部から、前記結晶シリコン膜におけるソース電極又はドレイン電極が形成されていない前記結晶シリコン膜の中央部に向かって、前記結晶シリコン膜の結晶化率が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】従来のＩＧＢＴの製造方法によって製造されるＩＧＢＴよりもオン抵抗の低いＩＧＢＴを、安価な製造コストで製造することが可能なＩＧＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】パンチスルー型のＩＧＢＴを製造するためのＩＧＢＴの製造方法。ｎ⁻型シリコン基板１１２を準備する第１工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第１主面側表面にＭＯＳ構造１２０を形成する第２工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２を研削・研磨してｎ⁻型シリコン基板１１２を薄くする第３工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からｎ⁻型シリコン基板１１２の内部にｎ型不純物を導入する第４工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側の表面上にｐ型不純物を含有する多結晶シリコン層１１６”を形成する第５工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からレーザー光を照射して多結晶シリコン層１１６”を溶融させる第６工程とをこの順序で含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向とチャネル領域の方向とが直交しているトランジスタの性能を向上させるとともに、各トランジスタの特性のバラツキを少なくする。
【解決手段】本発明の結晶性半導体膜の形成方法は、基板１１上にアモルファスシリコン膜（非晶質半導体膜）１２を形成する工程と、第１のレーザ光２０ａおよび基板１１のうちの少なくとも一方を移動させながら、アモルファスシリコン膜１２に対して第１のレーザ光２０ａを照射し、その移動方向に沿って半導体膜の結晶を成長させてアモルファスシリコン膜１２から多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１３を得る工程と、多結晶シリコン膜１３に対して、第１のレーザ光２０ａよりもエネルギー量の小さい第２のレーザ光３０ａを照射して、半導体膜の厚さ方向に対して結晶を成長させて、再結晶化後の多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１４を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）