Fターム[5F110PP05]の内容
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半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法
【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒CVD,高密度バイアス触媒CVD,バイアス減圧CVD,バイアス常圧CVDを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器1に原料ガスを供給し、真空容器1中に配置された基板10と電極3aとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板10上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。
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