【課題】単色性が強く、高効率にテラヘルツ波を発生または検出することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波素子１００は、バッファ層１０２と電子供給層１０４とのヘテロ接合を含む半導体多層構造１０１〜１０４と、半導体多層構造１０１〜１０４上に形成されたゲート電極１０５、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７とを有し、ゲート電極１０５とヘテロ接合界面との間の静電容量は、ドレインとソースとの間を流れる電流の方向と直交する方向に周期的に、第１の静電容量と第１の静電容量の値と異なる第２の静電容量とを有している。 （もっと読む）

【課題】光センサならびに調光装置の機能を達成し、スペースを減少させる部品構造を形成する。
【解決手段】調光検知ＭＯＳＦＥＴトランジスタであって、第一方向に沿って伸張するチャネル１３０により分離された２のソースおよびドレイン領域を有し、光の照射を受ける基板１００と、第一方向と実質的に垂直な第二方向に沿って伸張するゲート導電性の梁(gate conductive beam)１４０であり、かかる梁は、少なくとも一の支持領域上で、その２つの端部のそれぞれにおいて固定され、チャネル領域１３０の上に位置し、当該ゲート梁は、ゲート電圧とバルク電圧間の差であって、当該梁を曲げてチャネルの表面に近づけさせるものにより制御されるその湾曲に基づいて、チャネル１３０に達する光にプログレッシブ変調を実行するよう、ほぼ不透明で柔軟であるゲート導電性の梁を備える。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップを小さくすると共に電子散乱が抑制され、炭化珪素を用いたチャネル領域でのキャリア移動度を向上させた半導体素子、並びにレーザを発振する発光素子を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 （もっと読む）

【課題】 光感度を向上させ、波長４００ｎｍ以下の紫外線を検知する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域５およびドレイン領域６を形成する。ここで、ソース領域５とドレイン領域６との間の単結晶シリコン層３の表面側はチャネル層３ａとして機能する。単結晶シリコン層３（チャネル層３ａ）、ソース領域５、及びドレイン領域６の上にゲート絶縁膜８を形成する。ゲート絶縁膜８上には、シリコンナノ粒子層９、シリコン酸化膜層１０、およびＡｕ電極層１１から構成されるゲート電極１２を設け、さらにゲート電極１２の周囲には絶縁膜からなる側壁膜（サイドウォール）１３を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 （もっと読む）