本発明は高耐圧用半導体素子およびその製造方法に関するものであり、本発明ではゲート電極パターンを半導体基板の底部に埋め込まれて形成すると共に、このゲート電極パターンの両方の側部にソース／ドレイン拡散層のための低濃度不純物層及び高濃度不純物層を順次に積層形成し、これにより、高濃度不純物層がゲート電極パターンと別途の離隔距離を確保しなくても、自身に必要な一連の電圧降下領域を容易に確保できるように誘導することで、高濃度不純物層及びゲート電極パターンの離隔による素子のサイズ増加を事前に防止することができる。
このような本発明の実施によって、高濃度不純物層及びゲート電極パターンの離隔必要性が効果的に除去される場合、最終完成する素子のサイズは大幅に減り、結局、素子のサイズ増加による製造コストの上昇問題点も自然に解決される。
（もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスを提供する。凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。２つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。
（もっと読む）

縦方向、横方向に交互に配置されたソース領域（２２）、ソースボディ領域（２６）、ドリフト領域（２０）、ドレインボディ領域（２８）、およびドレイン領域（２４）をそれぞれ有するセル（１８）を、減表面電界を達成するための構造とともに有する、電界効果トランジスタである。実施形態における構造は、ソースまたはドレイン領域（２２、２４）近傍にゲート領域（３１）を定義する縦方向に離間された絶縁ゲートトレンチ（３５）と、ドリフト領域（２０）近傍に縦方向に延在する電位プレート領域（３３）と、を含むことができる。代替的に、別個の電位プレート領域（３３）または縦方向に延在する半絶縁フィールドプレート（５０）をドリフト領域（２０）近傍に設けてもよい。このトランジスタは、双方向切り替えに適している。
（もっと読む）

半導体装置はセル（１８）に隣接するトレンチ（４２）を有する。このセルは、ソース・コンタクト領域及びドレイン・コンタクト領域（２６、２８）と、それとは逆の導電型の中央本体（４０）とを含む。この装置は双方向性であり、比較的低いオン抵抗で電流をいずれの方向にも制御する。好ましい実施形態は、ソース・ドリフト領域及びドレイン・ドリフト領域（３０、３２）と共に働いてＲＥＳＵＲＦ効果を生み出す電位プレート（６０）を含む。
（もっと読む）