【課題】ダイの両面にパワー電極又は他の電極を有する種類の低コストの半導体ダイの製造方法を提供すること。
【解決手段】主要な表面上に設けられる少なくとも１つの電極を有する複数のダイを半導体ウェーハに形成するステップと、前記半導体ウェーハの前記ダイの少なくとも１つの電極をマスク材料１１１で覆うステップと、前記各電極に向けて少なくとも１つの開口１１１ａ−１１１ｄを前記マスク材料に形成し、前記開口が前記各電極の底面に達するようにするステップと、前記各電極に向けて前記各開口の底面に少なくとも金属層を形成するステップと、前記半導体ウェーハから各ダイを個別化するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、２つのIII族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。２つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＨＩＤランプ安定器において、低周波変調を提供し、インバータ部に定電力を提供する。
【解決手段】ＨＩＤ安定器１０は、力率の補正を可能にし、同時に定出力電力を供給してインバータを駆動させてＨＩＤランプに定周波変調電力を供給する、簡略化されたトポロジを有するフライバック電力コンバータを含む。電力コンバータ内の変圧器ＴＸ１には直列にスイッチＤ２〜Ｄ５を結合してあり、変圧器ＴＸ１を通る電流を制御して定出力電力を提供する。スイッチＤ２〜Ｄ５のオフ時間は、安定器回路の力率の制御に寄与する。変圧器ＴＸ１は臨界伝導モードで作動させられ、変圧器中のゼロ電流の指示を使用してスイッチの制御を決定する。フライバック電力コンバータの出力は、変圧器ＴＸ１に結合されたスイッチＤ２〜Ｄ５に適用されるスイッチングインターバルに基づいて定電力出力を得るためのフィードバック信号を提供する。 （もっと読む）

【課題】予熱の始めに、ランプが点灯し得る電圧を下回る電圧で負荷回路に電力が供給された後、ＰＦＣ制御回路が直流バスの電圧を点灯継続値まで上昇させる。
【解決手段】安定器制御およびドライバ回路と力率補正（ＰＦＣ）制御回路の両回路を備えた集積回路である。安定器制御およびドライバ回路のモードに応じてＰＦＣ回路が使用可能状態になる。直流バスの垂下を軽減するために、直流バス電圧は、ランプが点灯を継続している間、ランプが点灯すべくランピングしているときのループ速度より遅いループ速度で調整される。過電流検出信号が実際の故障を表しているかどうかを決定するための判定基準が適用されている。点灯ランピングの間、検出信号がカウントされ、故障数と比較される。感知された電圧と上位および下位ウィンドウ電圧を比較することにより、ランプの寿命終焉状態を検出している。 （もっと読む）

【課題】ネットワークへの接続が可能であり、また、ネットワークから更新することができる様々な照明プロファイルを記憶することができる照明制御回路用の電子安定器を提供すること、さらに動的な制御を大規模に提供することが望まれている。
【解決手段】大規模な照明制御をローカルベースまたは遠隔ベースで提供するように、ガス放電ランプに電力を供給する電子安定器回路が、他の安定器回路と共にネットワーク化される。安定器はコマンドを受け取り、問合せ情報を入手するための標準ＰＣへの接続が可能なインターフェースを持つ。安定器は、個々に、あるいはグループで制御することができる。また、安定器コントロールは、安定器中のマイクロコントローラに照明プロファイルをダウンロードができ、ＤＡＬＩ規格を始めとする照明制御プロトコルをサポートすることができる。 （もっと読む）

【課題】二方向伝導フリップチップ半導体デバイス及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】第１の主面において間隔を置いて形成された第１の伝導型である第１及び第２のソース領域５３Ａ，５３Ｂと、第１及び第２のソース領域を収容する、第２の伝導型である第１及び第２のチャネル領域５２Ａ，５２Ｂと、第１及び第２のチャネル領域を収容し、第２の主面まで延びる共通のドレイン領域５１と、第１の主面上に配置され、第１及び第２のチャネル領域のそれぞれの部分を反転させて第１及び第２のソース領域からドレイン領域までの伝導をそれぞれ可能にするような、第１及び第２のゲート構造７５Ａ，７５Ｂを備える第１及び第２のＭＯＳゲートデバイス１４０，１４１と、第１及び第２のソース領域に接続された第１及び第２のソースメタライズド層３１Ａ，３１Ｂと、第１及び第２のゲート構造に接続された第１及び第２のゲートメタライズド層とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、高低パワーの何れかの用途に利用できる新規なパッケージ構想に基づく回路モジュールを提供する。
【解決手段】半導体装置モジュールは、上面と底面とを有し、上面から底面へと延在する開口が形成された支持ベース（５）と、ヒートシンク（２１）と接触するように支持ベースの開口に配置された伝熱性基板（２２）と、支持ベースの上面の上方に配置され、伝熱性基板の直上に臨んで開口が形成されている少なくとも一つの回路基板（２７）と、回路基板上に配置された別の装置と、半導体装置をボンディングワイヤに接続するボンディングワイヤ（４０）と、回路基板の開口上に位置するカバー（２５）とを備える。少なくとも一つのボンディングワイヤから発するＲＦＩノイズを低減すべく、カバー（２５）に導電遮蔽材を設けた。 （もっと読む）

【課題】ローサイド（low side）シャント抵抗を使用してモータ電流を検知すること。
【解決手段】負荷に接続したパワートランジスタ（Ｑ１、Ｑ２）と、そのパワートランジスタにゲートドライブ信号を供給するゲートドライブ部（２０、２２）と、負荷を流れる電流に比例する信号を出力する電流検知デバイス（Ｒｕ）と、ゲートドライブ部によって制御されるサンプルホールド回路（２８）とを備え、負荷をドライブし、負荷電流を検知する。 （もっと読む）

【課題】出力電流に低調波リップルを生じみくい多相コンバータを提供する。
【解決手段】多相コンバータは、２Ｎ＋１個のインダクタと、並列接続されてそのそれぞれがスイッチノードを含む２Ｎ＋１個のスイッチングコンバータとを備える。ここでＮは偶数であり、上記インダクタの対が結合されて共通コアの周りに巻かれる。それぞれの結合インダクタが、その一方の極でそれぞれのスイッチノードに接続され、その他方の極で出力ノードに接続され、上記インダクタの少なくとも１つが他のインダクタとは非結合である。 （もっと読む）

【課題】クラッキング、または類似の機械的損傷を防止するために、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造における材料の不適合性に起因する応力を低減すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体部２０を、成長障壁１６により定められた境界内の成長面１８上に成長することができる。成長障壁１６は、その表面のいずれの上においてもＩＩＩ族窒化物半導体材料の成長を許容しない材料からなるため、ＩＩＩ族窒化物半導体材料成長面１８上でのみ成長する。結果として、ＩＩＩ族窒化物半導体部２０の寸法を成長障壁１６により画定される面積により制限することができる。 （もっと読む）