【課題】本発明はレーザービームの発生装置の負荷を減少させ、寿命を増加させることができるシリコン結晶化方法、それを用いたシリコン結晶化装置、それを用いた薄膜トランジスタ、それを用いた薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】３００Ｈｚより大きいパルス周波数を有する光が発生される。光は所定時間の間少なくとも一つのアモルファスシリコン薄膜に照射され初期ポリシリコン結晶を形成させる。光は所定方向に移送され初期ポリシリコン結晶を成長させる。減少された出力エネルギーを有するレーザービームがアモルファスシリコン薄膜上に照射されアモルファスシリコン薄膜をポリシリコン薄膜で結晶化させ、レーザービーム発生装置の負荷は減少され寿命は増加される。 （もっと読む）

後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）