【課題】性能および信頼性が高い半導体装置、かかる半導体装置を容易に効率よく製造し得る半導体装置の製造方法、前記半導体装置を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】図２に示す薄膜トランジスタ（半導体装置）１は、第１の基板２２０上に半導体層３１４が設けられている。この半導体層３１４には、ソース領域３１６、ドレイン領域３１８およびチャネル領域３２０が一体的に形成されており、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８の厚さは、それぞれ、チャネル領域３２０の厚さより大きくなっている。また、半導体層３１４上には、ゲート絶縁膜３２６と層間絶縁膜３４２とを有し、これらの絶縁膜には、半導体層３１４のソース領域３１６およびドレイン領域３１８における最も厚さが大きい部分近傍に、孔部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】 絶縁膜上に形成されるスリットＳＴ内に半導体材料を塗布（充填）し、その後に熱処理を加えて非晶質半導体膜２６０を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でＮｉシリサイドを形成する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、有機半導体材料を有する半導体デバイスを形成する方法であって、溶融物を形成するために、有機半導体材料を有する組成物をこの組成物の融点若しくはガラス転移温度に又はそれよりも高い温度に加熱することと、溶融物を組成物の融点又はガラス転移温度よりも低い温度に冷却することとを有し、加熱する前又は加熱中にディウェッティングを抑制及び／又は防止することができる第１の物質若しくは物体が組成物に隣接するか、又は組成物がディウェッティングを抑制及び／又は防止することができる作用物質を更に有する方法を提供する。
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半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）