【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、基板を溶融させることなく、表面が平滑化した多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】水素ガス３１を含み且つ非酸化性の処理雰囲気中で基板２上に形成された半導体膜３にレーザ光１を照射し、基板２の温度を融点以下に保持したまま、半導体膜３を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、半導体膜３を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜中の当該金属元素の影響を抑え、優れた性能を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】結晶化を助長する金属元素を利用して得た結晶性珪素膜で構成された活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は、ハロゲン元素を含有する絶縁膜を有する。ハロゲン元素を含有する絶縁膜によって、結晶化を助長する金属元素を固定化し、ゲイト絶縁膜の機能低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜中に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜上に、保護膜を形成し、前記保護膜上に、不純物を含有する非晶質状態の珪素膜を形成し、前記基板の歪点以下の温度で加熱して、前記不純物を含有する珪素膜中に前記金属元素を拡散させ、前記保護膜をエッチングストッパーにして、前記不純物を含有する珪素膜を除去し、前記保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハロゲン化アルミニウム、より好ましくは、塩化アルミニウム(AlCl₃)と異種金属又はこれらの金属化合物とを含む混合雰囲気の低温条件で非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって、経済的且つ効率的に多結晶シリコン薄膜を製造することを目的とする。
【解決手段】 本発明の多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板上に形成された非晶質シリコン薄膜をハロゲン化アルミニウムと異種金属又はこれらの金属化合物を99:1〜1:99の比で混合された雰囲気下、400℃〜600℃の温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）