本発明は、核生成層（２）、多結晶性または多孔性緩衝層（４）、および支持体基板（６）を含む結晶成長用支持体を提供する。 （もっと読む）

複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）

多段を用いたエピタキシャルラテラルオーバーグロースにより窒化ガリウム基板の成長を行う。開口部領域を有するマスクされた基板上で、選択的成長により最初に三角形ストライプを作成すると、大部分の貫通転位は90°曲がる。第２段では、成長条件を変化させてラテラル成長速度を高め、平坦な(0001)面を生じさせる。この段階で、表面上の転位密度は＜5×10⁷cm^-2である。転位は主に、２つのラテラル成長したファセットがぶつかり合って合体した合体領域に存在する。転位密度をさらに低下させるため、２回目のマスキング工程を開口部が１回目のそれの真上にくるように行う。合体領域の貫通転位(TD)は上層には伝播しない。したがって、転位密度は全表面にわたって＜1×10⁷cm^-2まで低下する。
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