【課題】能動層と、支持層と、能動層と支持層の間の電気絶縁層とを備える、半導体材料製の多層構造を製造するための方法であって、構造支持層内の電気的損失を最小限に抑えるために、キャリア・トラップの密度および／または電気絶縁層内の電荷を修正する方法を提供する。
【解決手段】支持層内の電気的損失を最小限に抑えるために電気絶縁層内の電荷が、構造が形成されたあとで構造に適用される加熱処理のパラメーターを調節することによって修正する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表裏の一方の面に機能層を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板の処理方法を提供する。
【解決手段】機能層５２の露出表面５４に対する化学−機械的研磨工程を含み、この研磨工程の実行前に還元性雰囲気１００内での焼鈍工程２００を更に含む方法。 （もっと読む）

【課題】活性材料要素をしじたいに移し替えるコストを低減する。
【解決手段】第１の材料から成る活性要素の表面上における支持体２への接合対象部位に非晶質材料６を蒸着する工程を備え、第２の材料が第１の材料よりも希少ではないことを特徴とする。更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソース基板から薄膜を分離する方法を提供する。
【解決手段】欠陥の存在により弱化される埋め込み帯域を形成するように、ソース基板１中にイオン２またはガス種２を注入するステップ、上記弱化された帯域中３で裂開を起こすことによって、上記ソース基板１から薄膜５を分離するステップを含む。２つの種が注入され、その一方は欠陥を形成するようになされ、他方はこれらの欠陥を占有するようになされ、上記分離が、上記第１の種の用量単独で分離が起こると予想される温度より低い温度で行われる。 （もっと読む）

【課題】 ２枚のウェハ間の接合を、接合後の欠陥の発生を低減すること、および接合エネルギーを高めることによって、強化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面には原子種が注入され、ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂を使用して酸化表面を洗浄する第１ステップと、塩化水素種（ＨＣｌ）を使用して洗浄する第２ステップとを含み、第１ステップは、約１０Å〜約１２０Åでエッチングするように実行され、第２ステップは、約１０分間またはそれ以内の間、約５０℃以下の選択された温度で実行される。 （もっと読む）

本発明は、サファイアからなる第１基板１２０と、第１基板の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する材料からなる第２基板１１０とを少なくとも備えるヘテロ構造を作製し、サファイアからなる第１基板１２０に第２基板１１０を分子結合する工程Ｓ６を含む、製造方法に関する。本発明の製造方法は、２つの基板を互いに結合する前に、１００℃から５００℃の範囲の温度で第１基板１２０をストービングする工程Ｓ１を含む。 （もっと読む）

【課題】非常に小さいナノドメインの信頼性のある再現可能な生成を可能にするデータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】記憶媒体は、支持基板１０４と、中間酸化層１０２と、間隔を置いて配置された金属領域１００”と絶縁材料を含む電極層１００’と、電極層１００’を覆う強誘電体材料による感光材料層１０１と、データ記憶媒体１０の近くに移動されており、強誘電体層１０１に対向している導電性の近視野顕微鏡チップ５を含み、電極層１００’と近視野顕微鏡チップ５との間に電場が加えられ、力線１０６が強誘電体層１０１の一部分を通過する結果、ナノドメイン１０７は強誘電体層１０１の表面に形成される。ナノドメイン１０７のこのサイズは導電領域１００”の幅、または視野顕微鏡チップ５の曲率半径に依存する。記憶媒体は、感光材料層１０１に全体的に平行な基準面を有し、近視野顕微鏡チップ５が基準面に沿って動かされるように適合される。 （もっと読む）

本発明は、支持基板１０に結合した少なくとも１つの薄膜４と、支持基板１０と薄膜４との間に堆積によって形成された酸化物結合層１２とを含む、複合構造１４の製造方法に関する。薄膜および支持基板は、７×１０^-6Ｋ^-1またはそれよりも大きな平均熱膨張係数を有する。酸化物結合層１２は、支持基板１０の結合面上および／または薄膜４の結合面上における酸化物層の減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）によって形成される。薄膜は、５マイクロメートルまたはそれ未満の厚さを有し、酸化物層１２の厚さは薄膜４と同じかそれよりも大きな厚さである。 （もっと読む）

本発明は、エピタキシーによる材料の製造方法に関し、複合構造１４上における少なくとも１つの材料の層１５をエピタキシャル成長させる工程を含む。複合構造は、支持基板１０に結合させた少なくとも１つの薄膜４と、支持基板１０と薄膜４との間に堆積によって形成された結合層２５と、を含み、薄膜４および支持基板１０は、７×１０^-6Ｋ^-1かそれよりも大きな平均熱膨張係数を有する。酸化物結合層２５は、支持基板１０の結合面上および／または薄膜４の結合面上におけるシリコンの酸化物層の減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）によって形成される。薄膜４の厚さは、酸化物層の厚さよりも小さいまたはそれに等しい。本製造方法はまた、シリコンの酸化物層の堆積温度よりも高い温度で所定の期間にわたって行われる熱処理を含む。 （もっと読む）

【課題】基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法において、サポートの除去に関連する良好な製造法を提供する。
【解決手段】接着界面に分子付着によりサポート１２上にシード層２を転写し、シード層上に有効層１６のエピタキシーを形成し、ついで、有効層１６の上に補剛材基板を直接接着し、サポート１２の取り除きの工程とを含み、前記サポート１２が、熱膨張率が有効層１６の熱膨張率の０．７倍から３倍の材料から構成されており、かつ、シード層２がサポート１２および有効層１６の熱膨張の適応に適したものである製造方法。 （もっと読む）