【課題】ソース基板から薄膜を分離する方法を提供する。
【解決手段】欠陥の存在により弱化される埋め込み帯域を形成するように、ソース基板１中にイオン２またはガス種２を注入するステップ、上記弱化された帯域中３で裂開を起こすことによって、上記ソース基板１から薄膜５を分離するステップを含む。２つの種が注入され、その一方は欠陥を形成するようになされ、他方はこれらの欠陥を占有するようになされ、上記分離が、上記第１の種の用量単独で分離が起こると予想される温度より低い温度で行われる。 （もっと読む）

【課題】３つの次元を有する空間におけるナビゲーションに関して、ユーザによって即時に会得されることが可能なナビゲーションデバイスの提供。
【解決手段】ユーザによって操作されることが可能なハウジング１０を含む、少なくとも３つの次元を有する空間においてナビゲートするための独立型のデバイスであって、前記ハウジングは、ケーシングのピッチ軸、ロール軸、およびヨー軸に沿ったハウジング１０の傾きを表す信号群を生成するための手段２０を収容するとともに、前記空間の少なくとも１つの軸に沿った双方向の動きの制御信号を生成する少なくとも１つのアイソメトリックデバイス３０も収容する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の薄膜を分離して、ターゲット基板上に薄層を移設する方法を提供する。
【解決手段】基板内に化学種の注入により埋め込まれた脆性領域を生成することにより、後に、上記脆性領域に沿って基板の破壊を誘発して、上記薄膜を基板から分離できるようにする製造方法が以下の工程を備えることを特徴とする。ａ）主要化学種４を基板内の主要深さ５に注入する主要注入工程と、ｂ）基板を脆化させるために、主要化学種４より低効率の少なくとも１つの副次化学種を、基板内の上記主要深さ５と異なる副次深さ３に、主要化学種４濃度より高濃度で注入する少なくとも１つの副次注入工程と、ｃ）上記副次化学種の少なくとも一部分を主要深さ５の近傍に移動させる工程と、ｄ）主要深さ５に沿って破壊を誘発する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】下地基板と、複数の群の異なる隣接エリアから形成された混合層とを含むハイブリッド基板を簡単かつ確実に生成する方法を提案する。
【解決手段】ハイブリッド基板生成方法が
単結晶の第１の基板が、２つの表面部分１１および１２を得るように分離されるステップと、
表面部分１１に沿って延び、第１のエリア１３で形成され、かつアモルファス材料の異なる第２のエリアに隣接する混合層を含む仮基板が準備され、これらの第２のエリアが、この第１の基板の自由表面の少なくとも一部を形成するステップと、
少なくともこれらのアモルファスエリア全体の分子接合によって、第１の表面部分と同じ結晶配向の他の表面部分１２がこの第１の基板に接合されるステップと、
２つの表面部分の結晶配向にしたがったアモルファスエリアの少なくとも一部の固相再結晶化が第１のエリアに対して選択的に生じ、２つの表面部分が有利には分離されるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】薄層の形成に使用される層と基板との間の界面を形成する工程を含む薄層形成方法を提供する。
【解決手段】第１のレベルの機械的強度を有する少なくとも１つの第１の領域（Ｚ_１）と、前記第１の領域よりも実質的に低いレベルの機械的強度を有する第２の領域（Ｚ_２）とが提供されるように前記界面が形成され、前記第１の領域は前記第２の領域内に含まれることを特徴とする。前記界面は、異なる方法で処理された表面を、前記領域に異なる方法で埋め込まれ脆化する層、または中間多孔質層によって接合させることによって形成することができる。 （もっと読む）

放射標識形態の７−クロロ−Ｎ，Ｎ，５−トリメチル−４−オキソ−３−フェニル−３，５−ジヒドロ−４Ｈ−ピリダジノ［４，５−ｂ］インドール−１−アセトアミドの個人における正常及び病的状態に関連するＰＢＲレベルを検出するためのバイオマーカーとしての使用。正常及び病的状態に関連するＰＢＲレベルの検出方法。診断キット。 （もっと読む）

【課題】層の１つの面と基板の１つの面との分子接着を使用して固定することにより界面を形成する工程を含み、後の剥離に適合するように制御されたレベルで界面が機械的に保持される、剥離可能な基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と活性層１４は単結晶であり、２つの中間層１２、１３はそれぞれ基板１１および薄層１４に接合される。接合される層が接合前に粗面化されているが、強化熱処理されてない基板に熱酸化により、酸化物層１５が形成される。この剥離可能な基板（１１+１２+１３+１４+１５）は活性層の最終支持基盤16に分子接着される。エッチングにより２つの界面１２/１３、１５/１６が優先的にエイッチングされ、機械的剥離により、最終構造１３+１４+１５+１６が完全に分離し、フッ化水素エッチング等により、酸化物１３を除去するとＳＯＩ構造がえられる。 （もっと読む）

【課題】形成されるべき構造体の特有の特徴が、均一な基板の製造工程後にのみ考慮されるような異なるパターンを有するセミコンダクターオンインシュレータタイプの微細電子構造体を製造すること。
【解決手段】基板１１を形成する板材と、連続的な絶縁層と、半導体層１５とを含む積層された均一な構造体１０が形成される。この連続的な絶縁層は、最下基本層１２と、少なくとも１つの中間基本層１３と、最上基本層１４とを含む少なくとも３つの基本層の積層体から形成されており、最下基本層及び最上基本層のうち少なくとも１つは、絶縁材料からなる。この積層された均一な構造体内に、複数の少なくとも２つのパターン（Ｍ１からＭ４）が形成され、この基本層が、これらの２つのパターン間において物理的又は化学的性質の有意差を有するように、これらのパターンのうちの１つにおいて基本層のうちの１つを変更することによって該パターンが区別される。 （もっと読む）

【課題】非常に小さいナノドメインの信頼性のある再現可能な生成を可能にするデータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】記憶媒体は、支持基板１０４と、中間酸化層１０２と、間隔を置いて配置された金属領域１００”と絶縁材料を含む電極層１００’と、電極層１００’を覆う強誘電体材料による感光材料層１０１と、データ記憶媒体１０の近くに移動されており、強誘電体層１０１に対向している導電性の近視野顕微鏡チップ５を含み、電極層１００’と近視野顕微鏡チップ５との間に電場が加えられ、力線１０６が強誘電体層１０１の一部分を通過する結果、ナノドメイン１０７は強誘電体層１０１の表面に形成される。ナノドメイン１０７のこのサイズは導電領域１００”の幅、または視野顕微鏡チップ５の曲率半径に依存する。記憶媒体は、感光材料層１０１に全体的に平行な基準面を有し、近視野顕微鏡チップ５が基準面に沿って動かされるように適合される。 （もっと読む）

【課題】広い面積にわたって分離されるべき少なくとも１つの薄い部分構造物を含む構造物を分離するためであっても、良好に制御される分離方法及び装置を提案すること。
【解決手段】本発明は、分離されるべき２つの部分構造物に構造物を区切る脆弱領域を含む構造物を分離する方法に関し、２つの部分構造物の漸進的な分離を引き起こすように、少なくとも１つの平面刃が、構造物の入口端部から構造物の出口端部の方向において、脆弱領域の中央面に対応する分離面内において進行方向に進められ、進行方向に対して分離面内において刃の傾斜が変動することを特徴としている。 （もっと読む）