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Fターム[5F157DB19]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 洗浄効果の向上 (574) | 洗浄液の分離防止 (2)

Fターム[5F157DB19]に分類される特許

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【課題】薬液又は純水によってポリマー又は異物を確実に除去できるウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄装置は、半導体ウェハ3を保持するウェハ保持機構1と、前記ウェハ保持機構1を回転させる回転機構と、前記ウェハ保持機構1の上方に設けられ、薬液又は純水を前記半導体ウェハ3の表面に吐出する薬液ノズル5又は純水ノズル4と、前記ウェハ保持機構1の外側であって前記半導体ウェハ3のベベル部を覆うように配置され、前記ベベル部に前記薬液又は前記純水を一時的に保持する薬液保持治具6と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト剥離能力が十分でなく、溶媒、特に有機溶媒と反応して溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】ポリ(シアノアルキル)エチレンアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。ポリ(シアノアルキル)エチレンアミンとして、N,N’−ビス(2−シアノエチル)−エチレンジアミン、N,N,N’−トリス(2−シアノエチル)エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(2−シアノエチル)エチレンジアミン、N,N’−ビス(2−シアノエチル)ピペラジン、N,N'−ビス(2−シアノエチル)−N’'−(2−アミノエチル)ピペラジン、N,N',N'−トリス(2−シアノエチル)−N’'−(2−アミノエチル)ピペラジン等の1種以上を用いる。 (もっと読む)


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