【課題】開口を有する電流狭窄層上にｐ型クラッド層が再成長された構成を備えるIII族窒化物半導体レーザ素子において、半極性の再成長界面に存在するｎ型不純物による影響を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１４、活性層１６、第１のｐ型半導体領域１８、電流狭窄層２０、及び第２のｐ型半導体領域２２を備える。第２のｐ型半導体領域２２は、電流狭窄層２０の開口２０ａの形成後に第１のｐ型半導体領域１８上及び電流狭窄層２０上に再成長された領域である。第１のｐ型半導体領域１８における第２のｐ型半導体領域２２との界面は、III族窒化物半導体の半極性面を含む。第１のｐ型半導体領域１８は、第１のｐ型半導体領域１８と第２のｐ型半導体領域２２との界面を構成し且つ１×１０^２０ｃｍ^−３以上のｐ型不純物濃度を有する高濃度ｐ型半導体層１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低い半導体レーザの製造方法及び半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、活性層１０４を、ｎ型ＧａＮ基板の上方に堆積する。ＧａＮからなるｐ型ガイド層１０５を活性層１０４の上方に堆積する。低温ＡｌＮ層１１２を、ｐ型ガイド層１０５上に堆積する。開口部１０６ａをＡｌＮ層１１２に形成する。ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１０７を、低温ＡｌＮ層１１２及び開口部１０６ａを介して露出したｐ型ガイド層１０５上に、開口部１０６ａを介して露出したｐ型ガイド層１０５上における成長開始時の成長レートが低温ＡｌＮ層１１２上における成長開始時の成長レートよりも大きくなるように形成する。そして、ｐ型コンタクト層１０８をｐ型クラッド層１０７上に形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性および製造歩留まりが高い半導体素子の製造方法および低コストの半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の半導体層と、アルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、第１の半導体層の上方に位置し、開口パターンを有する第２の半導体層と、第１の半導体層と第２の半導体層との間に位置し、所定のエッチングガスを用いる場合に該第１および第２の半導体層に対してエッチング選択比が大きい材料からなる第３の半導体層とを備えた半導体積層構造を基板上に形成する半導体積層構造形成工程と、第１の半導体層をエッチ停止層として、所定のエッチングガスにて第２の半導体層の開口パターンの下の第３の半導体層をエッチング除去するエッチング工程と、エッチング工程によって第３の半導体層に形成された溝内に第４の半導体層を形成する半導体層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】より高い光出力を実現できる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、第１導電型半導体層領域と、前記第１導電型半導体層領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型半導体層領域と、前記活性層に注入する電流経路を狭窄するための電流狭窄領域を有する電流狭窄構造と、を有する半導体積層構造と、前記第１導電型半導体層領域と前記第２導電型半導体層領域とから前記活性層に電流を注入するための２つの電極と、を備え、前記半導体層積層構造は、光出射方向に垂直な幅方向において前記電流狭窄領域とは幅中心が許容範囲内で一致するように形成された非窓領域と、前記非窓領域を囲むように形成され、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記非窓領域よりも大きい窓領域とを有し、前記電流狭窄領域の幅をＷ１、前記非窓領域の幅をＷ２とすると、３μｍ≦Ｗ２−Ｗ１が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりが大幅に改善された半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体ウェハの製造方法は、基板３０１上の一部にストライプ状の保護膜３０２を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程後、前記基板３０１上における前記保護膜３０２形成部位以外の部位に半導体結晶を成長させて半導体層を形成する半導体層形成工程とを含み、前記基板３０１として、前記保護膜３０２の長さ方向と平行な方向のオフ角θｐの絶対値｜θｐ｜が、前記保護膜３０２の長さ方向と直交する方向のオフ角θｏの絶対値｜θｏ｜よりも小さく、且つ、｜θｐ｜≦０．２°を満たすものを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流を効率よく狭窄でき、且つマルチモード発振を抑制できるIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１２と、活性層４４を含むアンドープ半導体層１４と、所定方向に延びる開口１６ａを有する電流狭窄層１６と、ｐ型半導体領域１８とを備える。電流狭窄層１６のバンドギャップは、ｐ型半導体領域１８のバンドギャップより大きい。ｐ型半導体領域１８は、上部光ガイド層３２及びクラッド層３３，３４を含む。アンドープ半導体層１４は、活性層４４上に設けられた上部光ガイド層４６を更に含む。電流狭窄層１６は、Ｉｎ_ｘ１Ａｌ_ｙ１Ｇａ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｎ（０≦ｘ１≦０．５，０．５≦ｙ１≦１）からなる。電流狭窄層１６の厚さは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。開口１６ａの幅は、１．３μｍ以上２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザーの端部における放熱性を向上することが可能なリッジ型半導体レーザー及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】リッジ型半導体レーザー１は、所定の軸Ａｘ方向に順に配列された一端部３１、中間部３２、及び他端部３３を含む半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢの主面ａ１上に設けられたクラッド層Ｃ１と、クラッド層Ｃ１上に設けられたコア領域１０と、コア領域１０上に設けられ、所定の軸Ａｘ方向に延在するリッジ部Ｃ２と、リッジ部Ｃ２上に設けられた絶縁層１９と、リッジ部Ｃ２及び絶縁層１９上に設けられ、リッジ部Ｃ２に接続された電極Ｅ１と、中間部３２上において、絶縁層１９上に設けられリッジ部Ｃ２を埋め込む樹脂層６とを備え、中間部３２上の樹脂層６は、絶縁層１９の側面に接し、一端部３１及び他端部３３上の電極Ｅ１は、リッジ部Ｃ２の側面５上の絶縁層１９上に延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歪が十分に緩和された半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上面に複数の帯状の溝部１０Ａが設けられている。複数の溝部１０Ａは、リッジ部２７との対向部分（帯状領域２７Ａ）の両脇に、帯状領域２７Ａに沿って設けられている。各溝部１０Ａの、共振器方向の長さＬ₁は、共振器長をＬ₃としたときに、Ｌ₃／２よりも短くなっている。基板１０の上面には、溝部１０Ａによってリッジ部２７の延在方向から挟まれた領域（溝未形成方形領域１０Ｂ）が存在している。各溝未形成方形領域１０Ｂの、共振器方向の長さＬ₂は、Ｌ₃／３以下となっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層を用いた半導体レーザ素子において、より高出力あるいは長寿命な特性を有する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮもしくはｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１０３と、ＡｌＧａＩｎＮ多重量子井戸からなり、第１クラッド層１０３上に形成された活性層１０５と、活性層１０５上に形成され、ｐ型もしくはアンドープのＧａＮもしくはＡｌＧａＮからなる第２クラッド層１０６と、第２クラッド層１０６上に形成され、ｐ型ＧａＮもしくはｐ型ＡｌＧａＮからなる第３クラッド層１０７とを有する共振器を備え、共振器は、共振器端部にイオン注入部１０４を有する。 （もっと読む）

【課題】 非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、基板１０１と、前記基板１０１の主面上に積層されたｐ型層１０８および１０９とを含み、前記基板主面は、非極性面であり、前記ｐ型層１０８および１０９は、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩ族酸化物半導体の少なくとも一方から形成され、且つ、前記ｐ型層１０８および１０９の上面が、前記基板主面と面方位が異なるファセット面を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積で低コストな基板を用いながら、分極に起因する光学利得の低下が抑制された半導体レーザを提供する
【解決手段】基板上に、クラッド層２、７で挟持された活性層４を有する窒化物半導体レーザ。活性層は、基板の主面とは異なるように制御された面方位を有する領域を備え、制御された面方位を有する活性層領域の少なくとも一部を含むように光導波路が形成されている。例えば、基板は、底部基板１３とその主面上に形成された下地層１６とを備え、下地層は、底部基板の主面とは異なるように制御された面方位の領域を有し、下地層における制御された面方位の領域の上部に、制御された面方位を有する活性層領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝や劈開導入溝等の凹部を形成することによって発生するレーザ素子の発振しきい値の変動現象を抑制し、正確な素子分離や劈開をすることができ、かつ、動作特性に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること。
【解決手段】基板１０１上に、窒化物半導体層を結晶成長させて積層形成された、ｎ型層１０５と、活性層１０８と、電子障壁層１０９と、ｐ型層１１２とを有する積層体１０３を備え、前記積層体１０３内に、ストライプ状の光導波路１１５と、前記基板１０１および前記積層体１０３の分離に用いられる凹部１０４とが形成された窒化物半導体レーザ素子であって、前記基板１０１上における前記光導波路１１５の形成位置と、前記基板１０１上における前記凹部１０４の形成位置との間の前記基板１０１上に、前記窒化物半導体層の結晶成長を抑制するマスク部１０２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。
【解決手段】一電導型の第１の窒化物半導体層（１０７）と、前記一電導型とは逆の二電導型、もしくは高抵抗のＡｌＩｎＮにより形成された第２の窒化物半導体層（１０８）とが直接積層されていて、前記第２の窒化物半導体層（１０８）に、前記第１の窒化物半導体層（１０７）が露出するような開口部（１１２）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングの際に所定の位置で確実にエッチストップすることができる構造を提供する。
【解決手段】電流狭窄層（窒化物半導体層３）と接しており、かつ電流狭窄層（窒化物半導体層３）よりも基板１側に位置する窒化物半導体層２に遷移金属を導入する。窒化物半導体層２がｎ型導電型の場合は正孔を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｔｉ）、またｐ型導電型の場合は電子を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｃｕ）を導入する。この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 （もっと読む）

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された第１の窒化物半導体層１０７と、第１の窒化物半導体層１０７の上に形成された欠陥導入層１０８と、欠陥導入層１０８の上に接して形成され、欠陥導入層１０８を露出する開口部を有する第２の窒化物半導体層１０９とを備えている。欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層に起因するクラックの発生が抑制されて、発光に寄与しない無効電流の低減により閾値電流特性が向上する埋め込み型窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０１上に積層された、少なくともｎ型クラッド層１０３、活性層１０５、及びｎ型電流狭窄層１０９を備え、ｎ型電流狭窄層の一部が除去されて電流通電部１１５が形成されており、ｎ型電流狭窄層上および電流通電部上にｐ型クラッド層１１１が形成されている。ｎ型電流狭窄層は、少なくともＡｌを含んだ窒化物半導体により形成され、ｎ型電流狭窄層の不純物濃度が１×１０¹⁹ｃｍ^-3より高い。これにより、電流狭窄層が受けている引っ張り歪を大幅に低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する自励発振型の埋込型の窒化物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、基板の上に形成された窒化物半導体からなる活性層１０６と、活性層１０６の上に形成され、活性層１０６に選択的に電流を流す開口部１０９ａを有する電流狭窄層１０９とを備え、開口部１０９ａと電流狭窄層１０９との実効屈折率差をΔｎとし、活性層１０６から発光するレーザ光のうち活性層１０６に閉じ込められるレーザ光の垂直方向の光閉じ込め率をΓｖとするとき、０．０４４＜Δｎ／Γｖ＜０．０６２の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと１次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記１次横モードよりも多く分布する第１の活性層領域と、前記１次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第２の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第１の活性層領域の発光波長と、前記第２の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 （もっと読む）