【課題】逆方向のＥＳＤに対する耐性を十分に向上させる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、基準軸Ａに沿って延在する活性領域１３と主面Ｐ１とを有する半導体積層１０と、基準軸Ａに交差する第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２と、主面Ｐ１に設けられた第１の溝２４及び第２の溝２５とを備える。第１の溝２４及び第２の溝２５は、基準軸Ａに沿って延在している。活性領域１３は、基準軸Ａの方向から見て第１の溝２４と第２の溝２５との間に設けられている。第１の溝２４の一の端面Ｅ３と他の端面Ｅ４とは第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。第２の溝２５の一の端面Ｅ５と他の端面Ｅ６とは第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減することができる構成を備えた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザが、Ｐ型ＩｎＰ基板１と、Ｐ型ＩｎＰ基板１に、Ｐ型ＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層３と、Ｎ型ＩｎＰクラッド層４と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層５と、Ｎ型ＩｎＰ埋込み層６と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層７と、Ｎ型ＩｎＰ層８と、Ｎ型ＩｎＰコンタクト層９と、ＳｉＯ_２絶縁膜１０と、Ｎ型電極１１と、Ｐ型電極１２とを備えている。半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板を用いたＳＩ−ＢＨ構造において、メサと埋込層との間のＩｎＧａＰ障壁層のＧａ組成比が大きくなると、伝導帯のポテンシャル障壁は高くなるが、格子不整合が大きくなってしまう。ＡｌＧａＩｎＡｓは、価電子帯にポテンシャル障壁を形成しないため、正孔のリークを防止することができない。
【解決手段】 半導体基板の上に、活性層と上部クラッド層とを含むメサ構造体が形成されている。メサ構造体の両側に、半導体埋込層が形成されている。メサ構造体の側面と、半導体埋込層との間に障壁層が配置されている。障壁層は、第１の層と第２の層とを含む。第１の層の価電子帯上端の正孔のエネルギ準位が、上部クラッド層及び第２の層の価電子帯上端の正孔のエネルギ準位のいずれよりも高い。第２の層の伝導帯下端の電子のエネルギ準位が、上部クラッド層及び第１の層の伝導帯下端の電子のエネルギ準位のいずれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】活性層の両側を流れるリーク電流を低減することでレーザの特性を向上できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子５１は、半導体基板２ｎ上に設けられた第一クラッド層３ｎ、活性層５、及び第二クラッド層７ｐを含むメサストライプ部２０Ａと、メサストライプ部２０Ａの側面を埋め込むように設けられ、電子及び正孔のうち少なくとも一方を捕獲する作用を有する不純物がドープされた電流ブロック層９と、メサストライプ部２０Ａと電流ブロック層９との間に設けられたｎ型半導体中間層１１Ａ及びｐ型半導体中間層１０Ａと、を備え、ｐ型半導体中間層１０Ａはメサストライプ部２０Ａの側面に接しており、ｎ型半導体中間層１１Ａはｐ型半導体中間層１０Ａと前記電流ブロック層９との間に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】利得飽和レベルが高く波形歪みが小さい優れた素子特性を実現しかつ長期信頼性を有する半導体光増幅器を得る。
【解決手段】半導体光増幅器を、第１導電型の半導体基板２１と、半導体基板２１の一部および半導体基板２１上に形成された活性層２２および第２導電型のクラッド層２３の各層からなり所定の幅を有するリッジメサと、このリッジメサの両側面に接するようにそれぞれ設けられた高抵抗の電流ブロック層２４と、半導体基板２１上で前記リッジメサに略平行方向に延在しかつ光導波方向に対して直交方向に周期的に配置された複数の半導体層からなるＤＢＲ層２５と、半導体基板２１で活性層２２が形成された面とは反対側の面上に設けられた第１電極２６と、第２導電型のクラッド層２３上に設けられた第２電極２７と、で構成する。 （もっと読む）

【課題】 高温時におけるキャリアのリークの増加を抑えつつ活性層へのキャリアの閉じ込め効果を向上可能な半導体光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体光素子１は、第１導電型の半導体基板１０上に設けられており活性層３０を含む半導体メサ部２と、半導体メサ部２の活性層３０の側面上に設けられており半導体メサ部２を埋め込む第２導電型の第１埋め込み層６０ａと、第１埋め込み層上に設けられた第１導電型の第２埋め込み層６０ｂと、第１埋め込み層６０ａと半導体メサ部２の活性層３０との間に設けられたキャリア漏れ防止層５０と、を有し、キャリア漏れ防止層５０は第１埋め込み層６０ａのバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有する。
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【課題】結晶への水素の混入が抑制された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。このような構成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１を主面両側で囲んでいる下部ｎ型半導体層１９および上部ｎ型半導体層２３は、半導体デバイスの種々の製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制するためのいわゆる保護膜として作用することができる。このように、半導体デバイスの製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制することにより、結晶性に優れたIII−Ｖ族化合物半導体層２１を実現できるため、当該III−Ｖ族化合物半導体層２１を有する高性能および高品質な半導体デバイスを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された第１導電型AlGaInPクラッド層４と、第１導電型AlGaInPクラッド層４上に形成されたAlGaAs多重量子井戸活性層５と、AlGaAs多重量子井戸活性層５上に形成された第２導電型AlGaInPクラッド層７とを有し、第２導電型AlGaInPクラッド層７とAlGaAs多重量子井戸活性層５との間に、第２導電型AlGaInPクラッド層７のIn組成比よりもIn組成比が低い（Al_xGa_1-x）_yIn_1-yP拡散抑制層６（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】所望の格子定数をもった高品質な光半導体素子を得る。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＩｎＧａＰバッファー層３を導入して擬似的に３元基板を作製し、該擬似３元基板上に成長温度５５０℃で成長したｎ−ＩｎＧａＡｓ層４、成長温度６８０℃で成長したｎ−ＩｎＧａＡｓ層５、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸層６を形成した。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上のレーザを実現する際に、シリコン導波路上に化合物半導体を接着する方法がある。電流注入によるレーザ発振実現が必須であるが、シリコン化合物半導体接着面にアモルファスが形成されるため、シリコン導波路を通して化合物半導体に直接電流注入することは難しい。また、導波路近傍に電極を形成し電流を注入しても、シリコン導波路付近に電流は注入されないため、シリコン導波路を導波するレーザ発振は実現されない。
【解決手段】 シリコン導波路の横から電流注入し、かつ電流をシリコン導波路近傍に集中する構造を化合物半導体に形成することにより解決される。具体的な方法は以下の2つである。1つ目は化合物半導体にトンネルジャンクション構造を形成する方法、2つ目は化合物半導体に横方向P-I-Nジャンクションを形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】電流阻止能力を向上するとともに、電流阻止層上の層の成長に及ぼす影響を低減できるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。下部半導体層は、ｎ型基板１０１上に形成された第１導電型の層である。活性層１１５は、下部半導体層上に形成されている。上部半導体層は、活性層１０６上に形成された第２導電型の層である。電流阻止層１１５は、上部半導体層および下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部１１５ａが形成されている。電流阻止層１１５は、ｉ−Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層とｉ−Ｉｎ_yＡｌ_zＧａ_(1-y-z)Ｎ層とが交互に積層されてなるとともに、ｉ−Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層は２層以上形成され、０．３＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｚ＜ｘ、０≦ｚ＜１であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高いスロープ効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】発振波長λの半導体レーザ素子の本体１００上にはｐ側電極１１５が形成されている。ｐ側電極１１５の第１の電極層１１５ａは、ｎ_ＥＦＦ−ｎ_Ｅ１≧１、ｄ_１≧λ／（４πｋ_１）の関係を満たし、ｐ側電極１１５の第２の電極層１１５ｂは、ｎ_ＥＦＦ−ｎ_Ｅ２＜１、ｄ_２＜λ／（４πｋ_２）の関係を満たす。ｎ_ＥＦＦは本体１００の発振波長λの光の実効屈折率、ｎ_Ｅ１は第１の電極層１１５ａの発振波長λの光の実効屈折率、ｄ_１は第１の電極層１１５ａの厚み、ｋ_１は第１の電極層１１５ａの発振波長λの光の消衰係数、ｎ_Ｅ２は第２の電極層１１５ｂの発振波長λの光の実効屈折率、ｄ_２は第２の電極層１１５ｂの厚み、ｋ_２は第２の電極層１１５ｂの発振波長λの光の消衰係数である。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造を有する７８０ｎｍ帯赤外半導体レーザを、特性を劣化させることなく、安定して製造することを目的とする。
【解決手段】赤外半導体レーザ装置において、従来のＡｌＧａＡｓより無秩序化しやすいＡｌＧａＩｎＰを障壁層に用いることで、Ｚｎ拡散領域内の活性層１０３へのＺｎ拡散が促進され、無秩序化による端面窓構造を形成するのに要する時間を短縮できるとともに、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５の平均組成化によるウェットエッチングの選択性低下を抑制でき、端面窓構造を有するリッジストライプ型半導体レーザの安定生産が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 光増幅素子の構成要件を緩和しつつ、入力光強度による利得変動を抑える。
【解決手段】 入力信号光４１１を入力する入力導波路４０２、入力信号光４１１を導波させる多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃ、出力信号光４１２を出力する出力導波路４０４を信号光の伝播方向に沿って順次ｎ−ＩｎＰ基板４０１上に形成し、多モード導波路４０３ａの両脇には反射手段４０９ａ、４１０ａを対向配置し、多モード導波路４０３ｂの両脇には反射手段４０９ｂ、４１０ｂを対向配置し、多モード導波路４０３ｃの両脇には反射手段４０９ｃ、４１０ｃを対向配置し、反射手段４０９ａ、４１０ａ、反射手段４０９ｂ、４１０ｂおよび反射手段４０９ｃ、４１０ｃのうちの少なくとも２個は多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃごとに反射率が互いに異なるように設定する。 （もっと読む）

【課題】
製造工程中に電流狭窄層の組成管理を確実に行い、安定したレーザ光の発振を可能とする半導体レーザを提供する。
【解決手段】
活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う製造方法を用い、それによって得られる高出力で高精度なレーザ発振を可能とする半導体レーザの構成とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ特性を悪化させずに素子抵抗を低減できる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の間に活性層を備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上にｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を有し、リッジ導波路を構成するリッジ部分のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層との間に、複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、ＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層の膜厚をｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層より薄く設定し、かつｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層と複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層の合計の膜厚を、０．１μｍ以下とし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層及び各ＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層のＡｌの含有量を、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層に近い層ほど少なくした。 （もっと読む）

【課題】誘電体マスクを用いることなく作製可能な構造を有しており実屈折率導波が可能である半導体光素子を提供する。
【解決手段】活性層５は、第１導電型半導体領域３の第２の半導体部３ｂ上に設けられている。活性層５は、一対の側面５ａを有している。第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３の第１の半導体部３ａの第２の領域３ｄ上、第２の半導体部３ｂの側面３ｅ上、活性層５上、及び活性層５の側面５ａ上に設けられている。第２導電型半導体領域７の第２の領域７ｄは第１導電型半導体領域３の第２の領域３ｄおよび第２の半導体部３ｂの側面７ｅとｐｎ接合を構成している。活性層５は、第１導電型半導体領域３の第１の領域３ｃと第２導電型半導体領域７の第１の領域７ｃとの間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 電流ブロック層を構成するｎ型層とｎ型クラッド層またはｎ型コンタクト層との接触を防止して、漏れ電流を低減し、レーザ特性を向上できる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、ｐ型ＩｎＰからなる基板１上に形成され、活性層３およびｎ型ＩｎＰからなるクラッド層４を含むリッジ構造と、リッジ構造の両側に形成され、ｐ型ＩｎＰ層１１／ｎ型ＩｎＰ層１２／ｐ型ＩｎＰ層１３の積層からなる電流ブロック層とを備え、リッジ構造の上面におけるリッジトップ幅のうねりを１０ｎｍ以下に抑制している。 （もっと読む）