【課題】光クロストークが十分に抑制された高い通信品質の一芯双方向光通信が可能な、低コストかつ小型の光通信システム及び光通信システムの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、光ファイバ１０１を介して光送受信モジュール１０２及び光送受信モジュール１０３が接続されている。光送受信モジュール１０２はＶＣＳＥＬ１０４及びＰＤ１０５を有し、光送受信モジュール１０３はＶＣＳＥＬ１０６及びＰＤ１０７を有する。ＶＣＳＥＬ１０４及びＶＣＳＥＬ１０６はＤＢＲ１１２を有する。ＶＣＳＥＬ１０４のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０４で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０６から入射する信号光は透過してＰＤ１０５に入射する。ＶＣＳＥＬ１０６のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０６で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０４から入射する信号光は透過してＰＤ１０７に入射する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の発振モード数を削減することができ、かつ、単純に電流狭窄層の径を小さくする場合よりも高出力化の可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光型半導体レーザ１００は，下部ミラー１０と、下部ミラーの上方に形成された活性層１０３と、活性層の上方に形成された上部ミラー２０と、を含み、下部ミラーおよび上部ミラーは、複数の単位多層膜を積層した多層膜ミラーであり、単位多層膜は、上下方向に積層された１組の低屈折率層と高屈折率層を有し、単位多層膜は、下記式（１）を満たし、活性層は、下記式（２）を満たす。
ｄ_Ｄ ＜ λ／２ｎ_Ｄ・・・（１）
ｄ_Ａ ＞ ｍλ／２ｎ_Ａ・・・（２）
但し、λは、面発光型半導体レーザの設計波長であり、ｍは、正の整数であり、ｄ_Ｄは、単位多層膜の厚さであり、ｎ_Ｄは、単位多層膜の平均屈折率であり、ｄ_Ａは、活性層の厚さであり、ｎ_Ａは，活性層の平均屈折率である。 （もっと読む）

【課題】応答の線形性が良く、量子効率が高い光半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｎ型ＩｎＰ層１２ａは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより大きく、入射光を吸収しない。一方、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収する。ｎ型ＩｎＰ層１２ａの光学層厚はｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂの光学層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】屈折率差を大きく取ることができない半導体材料を用いた場合であっても、導波路を形成することのできる、フォトニック結晶を用いた面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板の上に、第１の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第１の回折光と、該第１の回折光とは回折角度が異なる第２の回折光とに回折するように構成され、
前記第１の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第１の回折光と前記第２の回折光のそれぞれに対してストップバンドを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】組成が均一な均一層上に、その厚さ方向に関して組成が徐々に変化している不均一層を精度良く積層する。
【解決手段】成膜条件に基づいて反射鏡の組成傾斜層の組成プロファイルを仮定し（Ｓ４０７）、成膜する際の各層の積層時間及び反射光の強度変化を計算する。そして、反射光強度を計測しながら反射鏡を事前成膜し、反射光の強度変化の計測結果と計算結果の差が小さくなるように組成プロファイルを修正し（Ｓ４２５）、成膜する際の各層の積層時間及び反射光の強度変化を再計算する（Ｓ４２７）。本番では、均一層の積層中には反射光の強度変化の計測結果と再計算結果とに基づいて終了タイミングを制御し、組成傾斜層を積層するときには積層開始からの経過時間が再計算された積層時間と一致するタイミングで積層を終了する。 （もっと読む）

【課題】 InP基板上の面発光レーザにおいてInP層とInGaAlAs層が交互に積層されたDBR反射鏡膜層の反射率特性とInGaAlAs層の光吸収特性の関係がトレードオフとなっていた。
【解決手段】 上記のトレードオフ解消のためにInP層102aとInGaAlAs-MQW層102bが交互に積層された半導体DBR反射鏡膜を適用する。InGaAlAs-MQW層はInGaAlAs井戸層201と障壁層202から成る。InP層102aは一様にドーピングされ、InGaAlAs-MQW層は少なくとも一部がドーピングされた構造を有する。 （もっと読む）

【課題】幅広い温度範囲で安定して動作することができるＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬは、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性層１０８ｂ、電流狭窄層１１０、ｐ型上部ＤＢＲ１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１４を積層し、コンタクト層１１４上にレーザ光の出射領域を規定する開口部１３２を含むｐ側上部電極１３０が形成されている。ＤＢＲは、アルミニウムの組成の異なるＡｌ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）とＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ層（０≦ｙ≦１、ｘ＜ｙ）とを交互に積層し、Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ層のバンドギャップエネルギーと活性層のバンドギャップエネルギーとの差分Ｓが、０．１ｅＶ≦Ｓ≦０．３ｅＶである。 （もっと読む）

【課題】ダミー素子を用いずに基板の面内方向におけるエッチング深さの差を低減可能な面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子１の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子１において、反射層１０２は、４０．５周期の［ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなり、共振器スペーサー層１０３，１０５の各々は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層１０６は、２４周期の［ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ／Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなる。そして、メサ構造体の底面は、反射層１０６におけるエッチング深さの差を吸収する共振器スペーサー層１０３の途中に位置している。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザ部およびダイオード部を含み所望の特性を有する光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光素子の製造方法は，基板の上方に第１ミラーを形成する工程、第１ミラーの上方に活性層を形成する工程、活性層の上方に第２ミラーを形成する工程、第２ミラーの上に半導体層を形成する工程、および、半導体層の上に犠牲層を形成する工程を有する第１多層膜を形成する工程と、第１多層膜に対して反射率検査を行う第１検査工程と、第１多層膜から前記犠牲層を除去して第２多層膜を形成する工程と、第２多層膜に対して反射率検査を行う第２検査工程と、第１ミラー、活性層、および第２ミラーを有する面発光レーザ部、並びに、半導体層を有するダイオード部が形成されるように第２多層膜をパターニングする工程と、を含み，面発光レーザ部が発する光の設計波長をλとした場合に犠牲層の光学的膜厚はλ／４の奇数倍であるように形成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の発振モード数を削減することができ、かつ、単純に電流狭窄層の径を小さくする場合よりも高出力化の可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光型半導体レーザ１００は，下部ミラー１０と、下部ミラーの上方に形成された活性層１０３と、活性層の上方に形成された上部ミラー２０と、を含み、下部ミラーおよび上部ミラーは、複数の単位多層膜を積層した多層膜ミラーであり、単位多層膜は、上下方向に積層された１組の低屈折率層と高屈折率層を有し、単位多層膜は、下記式（１）を満たし、活性層は、下記式（２）を満たす。
ｄ_Ｄ ＜ λ／２ｎ_Ｄ・・・（１）
ｄ_Ａ ＞ ｍλ／２ｎ_Ａ・・・（２）
但し、λは、面発光型半導体レーザの設計波長であり、ｍは、正の整数であり、ｄ_Ｄは、単位多層膜の厚さであり、ｎ_Ｄは、単位多層膜の平均屈折率であり、ｄ_Ａは、活性層の厚さであり、ｎ_Ａは，活性層の平均屈折率である。 （もっと読む）

【課題】発振光の吸収を低減可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、反射層１０７と、選択酸化層１０８とを備える。反射層１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６および活性層１０５からなる共振器１２０に接して設けられる。そして、反射層１０７は、低屈折率層１０７１と高屈折率層１０７２とを交互に積層した積層構造からなる。低屈折率層１０７１は、Ａｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ａｓからなり、高屈折率層１０７２は、（Ａｌ_０．３７Ｇａ_０．６３）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐからなる。選択酸化層１０８は、反射層１０７の低屈折率層１０７１中に配置される。 （もっと読む）

【課題】活性層で発生した熱を効果的に取り除くことが可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、反射層１０３，１０７と、活性層１０５を含む共振器１２０とを備える。活性層１０５よりも基板側に配置された反射層１０３は、低屈折率層１０３１と、高屈折率層１０３２と、組成傾斜層１０３３とを積層した積層構造からなる。そして、積層された複数の低屈折率層１０３１のうち、共振器１２０側に配置された３個の低屈折率層１０３１Ａ，１０３１Ｂ，１０３１Ｃは、ｍλ／４ｎ（ｍは２以上の整数、λは発振光の波長、ｎは低屈折率層１０３１の屈折率）の膜厚を有し、他の領域に配置された低屈折率層１０３１は、λ／４ｎの膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】短波長帯における温度特性、及びレーザ出力に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】上部半導体多層膜反射鏡における共振器スペーサー層に接する低屈折率層と高屈折率層からなる１組１０７ａのｐ型不純物濃度を他の組１０７ｂのｐ型不純物濃度よりも高く設定する。これにより、共振器領域から上部半導体多層膜反射鏡へのキャリアのリークが従来の面発光レーザ素子よりも抑制され、その結果として、従来の面発光レーザ素子よりも温度特性、及びレーザ出力を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ポンピングビームの入射損失を減らすことができるようにその構造の改善された後ポンピング垂直外部共振型面発光レーザ装置を提供する。
【解決手段】その一面にポンピングビームの入射される非反射コーティング層10、該非反射コーティング層の他面に形成され、ローエルパンインデックス積層構造を有する分散ブラッグ反射器層（ＬＨＩ−ＤＢＲ）20、及び該ＬＨＩ−ＤＢＲ上に形成され、該ポンピングビームにより励起されてレーザ光を発生させる周期的利得層30を備えるレーザチップと100と、該周期的利得層と対向するように、該レーザチップの外部に設置され、該ＬＨＩ−ＤＢＲと共にレーザ共振器を構成する外部共振ミラー200とを具備する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、低発振閾値といった優れた性能を有する面発光型半導体レーザ、及び当該面発光型半導体レーザを歩留まりの低下を招かずに安価に製造することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、半導体基板ＳＢ上に順に積層された第１ミラー１１、活性層１２、及び第２ミラー１３を備える。第１ミラー１１は、活性層１２に接する第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１の下方に位置する第２領域Ｒ２とに大別される。第１領域Ｒ１は、低組成層と高組成層とが交互に積層されるとともに、低組成層と高組成層との間にＡｌ組成をなだらかに変化させた組成傾斜層（ＧＩ（Graded Index）層）が形成されている。これに対し、第２領域Ｒ２は、低組成層と高組成層とが交互に積層された領域であり、第１領域Ｒ１のように低組成層と高組成層との間にＧＩ層は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】ポンプビーム反射層を利用してポンプビームを再活用することによって活性層によるポンプビームの吸収を増大させた後方光ポンピング方式の外部共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】所定の波長を有する信号光を放出する活性層３３と、活性層３３の上面と離隔されて対向し、活性層３３で発生した信号光の一部は透過させて外部に出力し、一部は活性層に反射する外部ミラー３６と、活性層３３の下面と接し、活性層３３で発生した信号光を外部ミラー３６に反射する第１反射層３２と、活性層３３を励起させるためのポンプビームを活性層３３の下面に向けて放出するポンプレーザ３５と、活性層３３の上面と接し、活性層３３を透過したポンプビームが活性層３３で再吸収されるように対反射する第２反射層３４と、を備えることを特徴とする外部共振器型面発光レーザである。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、高次横モードに対してより大きな損失を選択的に付加することができ、高次横モードの発振をより効果的に抑制できて、単一基本横モードにおいてより一層の高出力動作が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、発光領域で発光した光の出射効率を高め、さらに、基板上の所定のバッファ層を省いたIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る半導体発光素子１００は、III族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であり、基板１と、半導体層１０と、多層反射層３と、多層反射層の下側の境界面での反射光と基板の下側の境界面での反射光との位相を整合させる位相整合層２と、を備え、基板の厚さを所定の厚さとしたときに、発光領域１３で発光した光のうち、多層反射層の下側の境界面での反射光、位相整合層の下側の境界面での反射光及び基板の下側の境界面での反射光が相互に干渉した干渉光の光量が極大となるように位相整合層の厚さを設定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 緩和振動周波数が高く、チャンネル当たりの伝送容量が１０Ｇｂｐｓを超える大容量伝送に適した、簡易な構成の高速変調可能な発光装置を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に多層膜反射鏡１０２，１１２で上下をはさまれた複数の共振器を有する垂直共振器型面発光半導体レーザ素子と、変調用パルス電源１１７と、励起用直流電源１１８とを備え、前記垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の複数の共振器は光学的に結合して１つの共振モードを形成しており、それぞれの共振器内には、それぞれ、活性層１０５，１０９が設けられ、それぞれの前記活性層１０５，１０９は同一の共振モード波長に対して利得を有しており、前記活性層１０５，１０９のうちの１つの活性層１０９は、前記変調用パルス電源１１７に電気的に接続され、また、前記活性層１０５，１０９のうちの他の活性層１０５は、前記励起用直流電源１１８に電気的に接続されている。 （もっと読む）