【課題】過酷な条件下で駆動させた場合であってもＣＯＤ発生を抑制し高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子１は、III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域２３と、量子井戸構造の活性層１５を有する非窓領域２４とを備え、所定の原子を吸収しIII族空孔の拡散を促進する促進膜を窓領域２３上に設けて混晶化部分を形成する半導体レーザ素子において、活性層１５の近傍側の層にＶ族サイトを占める不純物がドーピングされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】 酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 （もっと読む）

【課題】 作動電圧の低い発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、注入された電荷に応じて光を発生するように構成されている活性領域と、n型材料層とp型材料とからなり、n型材料層とp型材料の少なくとも一方が少なくとも２つのドーパントでドープされ、ドーパントの少なくとも１つが、他のドーパントのイオン化エネルギーよりも高いイオン化エネルギーを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が小さく、温度特性に優れた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板（１００）上に形成されたＡｌＧａＡｓ層を含む活性層（１０３）と、活性層（１０３）の上方及び下方のうちの少なくとも一方に形成されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_1-a-bＰ（但し、０≦ａ≦１，０≦ｂ≦１，０≦ａ＋ｂ≦１である。）よりなる上部スペーサ層（１０４）とを備える。上部スペーサ層（１０４）は、活性層（１０３）に注入される電子の障壁層として機能する組成を有している。 （もっと読む）

【課題】共振器の共振器長を逐一変更することなく、任意の発振波長を設定することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層１３と、活性層１３を間にして設けられた下部クラッド層１２および上部クラッド層１４とを含み、第１波長で共振するように構成された共振器４０と、第１波長とは異なる波長で共振するように膜厚の調整された縦モード調整層１１−２を備える。これにより、共振器４０の共振器長が第１波長に基づいて設定されているにも拘わらず、共振器４０と縦モード調整層１１−２との相互作用により、第１波長とは異なる波長で発振が生じ、その結果、その発振波長のレーザ光が外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハプロセス投入前にウェハの活性層のＰＬ（Photoluminescence）波長検査を行い、検査に用いたウェハをウェハプロセスに投入できるようにする。
【解決手段】 ウェハプロセス投入前に、デバイスを形成するウェハのコンタクト層６の一部を除去して開口部１１を形成し、開口部１１から励起レーザ９を入射して活性層３のＰＬ波長検査を行う。そしてＰＬ波長の良否判定を行い、所定の規格を満たすウェハをウェハプロセスに投入し、ウェハプロセス加工を行うようにする。
このように、デバイス形成に用いるウェハの活性層のＰＬ波長検査をウェハプロセス投入前に非破壊検査により行うことにより、検査で用いたウェハをウェハプロセスに投入することができる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、高速変調に好適な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層１３を間にして下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５を備えると共に、上部ＤＢＲミラー層１５を構成する一部の層に電流狭窄層１５Ｃを有するものであって、電流狭窄層１５Ｃの近傍は、上部ＤＢＲミラー層１５の平均濃度より低濃度の不純物濃度を有する。これにより、不純物濃度の低い電流狭窄層１５Ｃの近傍において、積層方向と垂直な方向に流れる電流が、電気伝導度の大きい領域内、すなわち電気抵抗の少ない領域内を流れるようにすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の高欠陥領域を通してリーク電流が流れるのを防止することにより、発光効率の向上した光集積型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域１０Ａ中に第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する高欠陥領域１０Ｂを１または２以上有する基板１０と、基板１０上に形成され、複数の発光素子構造を有すると共に、高欠陥領域１０Ｂに対応する領域を含む領域（高欠陥領域３０Ｂ）に溝１９を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０とを備える。この溝１９は、基板１０の高欠陥領域１０Ｂから伝播した転位の集中する高欠陥領域３０Ｂの一部をＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０から除去することにより設けられており、これにより電極から注入された電流の一部が発光領域を迂回してリークするのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性の向上した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５は、それぞれ高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）および低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）の組を複数積層した構造を有する。下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５それぞれにおいて、複数の高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、活性層１３の近傍以外の層のそれよりも低濃度（第１の不純物濃度）である。また、複数の低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、上記高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）における第１の不純物濃度よりも高濃度（第２の不純物濃度）である。 （もっと読む）

【課題】高温動作や高出力動作を可能とする半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に少なくともｎ型クラッド層１１、活性層１３およびｐ型クラッド層１５をこの順に含んで設けられた半導体層とを備えた半導体レーザ１であって、ｐ型クラッド層１５は、その内部にｐ型クラッド層１５と異なる組成からなる不純物拡散防止層を少なくとも２層（第１不純物拡散防止層１６Ａおよび第２不純物拡散防止層１６Ｂ）含むものである。不純物拡散防止層１６Ａ，１６Ｂは、活性層１３の上にｐ型クラッド層１５をエピタキシャル成長させる際にドープされるｐ型不純物が活性層１３にまで拡散するのを防止するためのものである。 （もっと読む）

【課題】 熱処理工程や通電によってクラッド層から拡散した不純物が活性層中をさらに拡散することを抑制し、高出力かつ高信頼性の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０３（Ｓｉドープ）、活性層１０４（Ｓｉドープ）、第１のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０５（Ｚｎドープ）をこの順に含むダブルへテロ接合構造部が形成されている。活性層１０４は、４層のＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ井戸層２０２Ａ〜２０２Ｄ（Ｓｉドープ）とその間の３層の（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐバリア層２０３Ａ〜２０３Ｃ（Ｓｉドープ）とそれらをはさむように形成された（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層２０１、２０４（Ｓｉドープ）とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型クラッド層における電子のオーバーフローを抑制し、温度特性および発光効率を向上させることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｐ型クラッド層１７の厚みは０．７μｍ以下であり、厚みの減少分だけ直列抵抗および排熱抵抗が減少すると共に力学的に平均結晶格子不整合度（Δａ／ａ）をΔａ／ａ＞＋３×１０^-3とすることができる。これにより、ｐ型不純物である亜鉛が活性化されて活性層１５にまで拡散して活性層１５が非発光センター化するのを防ぐことができると共に、亜鉛のドープ量を２×１０¹⁸／ｃｍ³ 以上３×１０¹⁸／ｃｍ³ 以下の範囲まで増加させることができる。これにより、ｐ型クラッド層１７中のキャリア濃度が増加されて直列抵抗が減少し、また、ｐ型クラッド層１７のフェルミレベルがスロープ状になり、電子のオーバーフローによる漏れ電流の発生が抑制される。 （もっと読む）