【課題】電流リークパスの形成の抑制及び埋込層への不純物の拡散の抑制を両立させることにより、半導体発光素子の信頼性の向上が図られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。この結果、埋込層１３の成長の際、上部クラッド層２３から拡散するＺｎが拡散防止層３１によってトラップされ、ＺｎとＦｅとの相互拡散が抑制される。一方、拡散防止層３１は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層３１自体が電流リークパスとなることも抑制される。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層を一部無秩序化してバンドギャップ、ひいては屈折率の変動を抑制し、安定した拡がり角が得られる半導体レーザを実現する。
【解決手段】基板１０１上に、ｎ型クラッド層１０２，１０３と活性層１０４とｐ型クラッド層１０５とを設け、ｎ型クラッド層１０２，１０３における第一ｎ型クラッド層１０２にドーパントとしてＳｉとＺｎとを含ませ、かつ第一ｎ型クラッド層１０２の厚さを０．１μｍ以上とし、かつ活性層１０４の中心から第一ｎ型クラッド層１０２までの最短距離を０．５μｍ以下とし、かつ基板１０１の基板傾斜角度を０°〜１５°とする。 （もっと読む）

【課題】比較的抵抗が高い窒化物半導体層における共振器端面近傍への電流の注入を抑えることにより、端面近傍での抵抗による発熱を防止し、端面の特性及び寿命を向上させ、素子自体の高寿命化を図ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法及びレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された互いに対向する共振器端面とを有してなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記共振器端面における少なくとも光の出力領域は不純物を含有しており、該光の出力領域は、前記活性層における他の領域よりもバンドギャップが広いか、前記活性層における他の領域よりも不純物濃度が高い窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 面発光型装置及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性向上を図った面発光型装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る面発光型装置１００は，第１面１０１ａと、第１面１０１ａの面指数とは異なる面指数を有する第２面１０１ｂと、を含む基板１０１と、第１面１０１ａの上方に形成された、第１導電型の第１半導体層１０２と、活性層１０３と、第２導電型の第２半導体層１０４とを含む発光部１４０と、第２導電型の第１半導体層１１２と、第１半導体層１１２の上方に形成された第１導電型の第２半導体層１１４とを含む整流部１２０とを形成し、 発光部１４０の第１半導体層１０２および整流部１２０の第１半導体層１１２は、同一の工程で形成され、かつ、同じ不純物を含み、 発光部１４０と整流部１２０とは、電気的に並列接続され、整流部１２０は，発光部１４０とは逆方向の整流作用を有する。 （もっと読む）

【課題】 面発光型装置及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性向上を図った面発光型装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る面発光型装置１００は，第１面１０１ａと、第１面１０１ａの面指数とは異なる面指数を有する第２面１０１ｂと、第１面１０１ａの面指数と同じ面指数を有する第３面１０１ｃとを含む基板１０１と、 第１面１０１ａの上方に形成された、第１導電型の第１半導体層１０２と、活性層１０３と、第２導電型の第２半導体層１０４とを含む発光部１４０と、 第２面１０１ｂの上方に形成された第２導電型の第１半導体層１１２と、第３面１０１ｃの上方であって、第１半導体層１１２に連続して形成された第１導電型の第２半導体層１１４とを含む整流部１２０とを形成し、 発光部１４０と整流部１２０とは、電気的に並列接続され、整流部１２０は，発光部１４０とは逆方向の整流作用を有する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理工程や通電によってクラッド層から拡散した不純物が活性層中をさらに拡散することを抑制し、高出力かつ高信頼性の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０３（Ｓｉドープ）、活性層１０４（Ｓｉドープ）、第１のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０５（Ｚｎドープ）をこの順に含むダブルへテロ接合構造部が形成されている。活性層１０４は、４層のＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ井戸層２０２Ａ〜２０２Ｄ（Ｓｉドープ）とその間の３層の（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐバリア層２０３Ａ〜２０３Ｃ（Ｓｉドープ）とそれらをはさむように形成された（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層２０１、２０４（Ｓｉドープ）とで構成されている。 （もっと読む）