【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とし、回路動作の確実性、安定性の向上を図った正負電圧論理出力回路を提供する。
【解決手段】論理入力と負電圧との間に、ゲートに論理入力するエンハンスメント型Ｐ型電界効果トランジスタＥＰＦＥＴ１とブレークダウン保護用素子１３，１４とが直列に接続され、ブレークダウン保護用素子１４に並列に短絡する切替スイッチ８ａが接続される。切替スイッチ８ａをオン、オフ制御することで、ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる動作ウィンドウの拡張を可能とする。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とする。
【解決手段】負電圧レベルシフト回路４ａは、第３のレベルシフタ１３ａと、第４のレベルシフタ１４ａとを具備すると共に、レベルシフト基準電圧回路３からの切替信号に応じて第４のレベルシフタ１４ａを短絡、開放するレベルシフト切替スイッチ８ａとを具備してなり、負電圧ＶＳＳの大きさに応じて、レベルシフト切替スイッチ８ａのオン、オフを選択することで、負電圧ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドの拡張が可能に構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を駆動するためのドライバを低コストで得ることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、ハイサイド駆動部６２からの駆動信号を受ける第１のスイッチング機能部と、ローサイド駆動部６４からの駆動信号を受ける制御電極とを有する第２のスイッチング機能部とを備え、ハイサイド駆動部６２は、ノーマリーオン型の電界効果トランジスタを含み、スイッチング制御信号の基準電圧を出力ノードの電位へシフトした駆動信号を出力し、第１のスイッチング機能部はノーマリーオン型の第１の電界効果トランジスタＴｒ１を含み、第２のスイッチング機能部はノーマリーオン型の第２の電界効果トランジスタＴｒ２を含み、ハイサイド駆動部６２および第１の電界効果トランジスタＴｒ１は第１の半導体チップ７１に含まれている。 （もっと読む）

【課題】低周波領域から高周波領域までの広い周波数領域に亘って低歪みであり、信号ラインのＤＣ電位の変動も抑制することができるスイッチ回路等を提供する。
【解決手段】スイッチ回路１は、入力端Ｔ１１と出力端Ｔ１２との間の信号ラインＬ１に対して直列に（シリーズに）接続されたＧａＡｓ ＦＥＴ１１を備える。ＧａＡｓ ＦＥＴ１１のゲート電極には、スイッチ回路１の高周波領域での歪み改善のための抵抗１２の一端が接続されており、信号ラインＬ１と抵抗１２の他端との間には、スイッチ回路１の低周波領域での歪み改善のための抵抗１３が設けられている。また、スイッチ回路１は、抵抗１２，１３にアノード電極が接続され、信号ラインＬ１の導通及び非導通を切り替えるための制御電圧が入力される制御端Ｔ１３にカソード電極が接続されたダイオード１４を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減するのに十分な輝度でＬＥＤを発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能なスイッチ回路およびこのスイッチ回路を用いたステップアッテネータを実現することにある。
【解決手段】低速尾部効果を有するＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路に改良を加えたものである。本回路は、ＦＥＴスイッチを照射するＬＥＤと、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチがオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、ＬＥＤを所定の時間発光させる駆動回路とを有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】チャネル間のアイソレーションを大幅に改善する。
【解決手段】本発明は、選択的アイソレーションと、マルチメディア端子のための選択的アイソレーションを備えたスイッチング装置とに関する。２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）によって形成されたスイッチ（５３〜５８）は、所定周波数でフィードバック制御信号Ｖｔｕｎｅによってフィードバック制御されて、この周波数での選択的アイソレーションを保証する。マルチメディア端子の送受信チャネルを切り替えるスイッチング装置は、ＭＭＩＣ技術により集積可能な選択的アイソレーション・スイッチによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 省電力で高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供する。【解決手段】 第１通信システムの送受信信号の伝送経路を切り替える電界効果トランジスタを用いたスイッチ回路と、複数のフィルタ回路を備え、少なくとも３つのポートを備えるＳＰｎＴの高周波スイッチであり、その第１のポートに接続する第１のフィルタ回路と、第２のポートに接続する第２のフィルタ回路を有し、第２のフィルタ回路が、ローパスフィルタ又はバンドパスフィルタであり、第１のフィルタ回路が、ノッチフィルタ又はローパスフィルタであって、第１及び第２のフィルタ回路はインダクタとコンデンサで構成し、各回路において、インダクタとコンデンサの少なくとも一部を多層基板内に電極パターンで形成して高周波スイッチを実装し、第１及び第２のフィルタ回路のインダクタ用電極パターンとが、積層方向に重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】スイッチＭＭＩＣにおいて、第１ソース電極１３および第２ソース電極とドレイン配線または第１ドレイン電極１４および第２ドレイン電極とソース配線が近接している箇所において、高周波信号の漏れがあり、電気的特性が劣化する問題があった。
【解決手段】２つのゲート電極の櫛歯の一端を窒化膜上のゲート接続金属層に接続する。ゲート接続金属層は第１ソース電極および第２ソース電極とドレイン配線間、または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線間に配置する。オフ側ＦＥＴのゲート電極は高周波信号としてＧＮＤ電位であるので、ドレイン−ソース間の高周波信号の漏れを防止できる。ゲート接続金属層と２つのゲート電極（櫛歯）により、１つのソース電極（ドレイン電極）の櫛歯を包囲し、高周波信号の漏れを防止する。ゲート電極形成時にはレジスト除去液が隣接するゲート電極間に十分滲入するのでリフトオフが容易となる。 （もっと読む）

【課題】スイッチＭＭＩＣにおいて、第１ソース電極および第２ソース電極とドレイン配線または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線が近接している箇所において、高周波信号の漏れがあり、電気的特性が劣化する問題があった。
【解決手段】ゲート電極の一端を延在して曲折部を形成し、曲折部を第１ソース電極１３および第２ソース電極とドレイン配線間、または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線間に配置する。オフ側ＦＥＴのゲート電極は高周波信号としてＧＮＤ電位であるので、ドレイン−ソース間の高周波信号の漏れを防止できる。曲折部は１つのソース電極（ドレイン電極）の先端近傍に、両側のゲート電極から対向するように延在させ、互い違いに配置する。またゲート電極の一端を延在して、ソース電極（ドレイン電極）を囲んで曲折部を設け更にゲート配線近傍まで延在する。これによりレジスト除去液が隣接するゲート電極間に十分滲入するのでリフトオフが容易となる。 （もっと読む）

【課題】リバースコントロールタイプのロジックのＭＭＩＣでは抵抗を共通入力端子パッドとＦＥＴの間に配置している。つまり、抵抗上に窒化膜を介してパッド配線が配置されており、パッド配線を伝搬する高周波アナログ信号が、制御端子にもれ、インサーションロスが増加する問題があった。
【解決手段】第１および第２制御端子の直近で、第１接続手段および第２接続手段の交差部までの間に、５ＫΩ以上の高抵抗体を接続する。パッド配線を伝搬した高周波アナログ信号が第１および第２接続手段に漏れても、高抵抗体によって減衰する。従って、実質的に制御端子パッドに高周波アナログ信号が伝わらず、インサーションロスの増大を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 スイッチデバイス自身の歪特性を左右する電流を制御するによって低歪化のできる高周波スイッチを提供することを目的とする。
【解決手段】 高周波スイッチのＲＦポートに高周波信号電力を電圧に変換する検波回路と、検波回路の出力電圧により高周波スイッチの消費電流を制御するスイッチ電流制御部とを設け、ＲＦポートに入力される送信波による歪及び送信波とアンテナポートに入力される妨害波により歪を抑圧する構成を有している。 （もっと読む）

【課題】 高周波スイッチＳＷの前段に接続される素子の出力インピーダンスとの最適化を簡便に行え、高周波スイッチＳＷから発生する高調波を抑制できる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 高周波スイッチＳＷの送信波入力側端子Ｐｂは、直接第１端子Ｐ１に接続されると共に移相器ＰＳ２、ＰＳ３、ＰＳ４を介してそれぞれ第２端子Ｐ２、第３端子Ｐ３、第４端子Ｐ４に分岐され、
各端子Ｐ１〜Ｐ４での移相量が３６０度を等間隔に分割するように各移相器ＰＳ２〜ＰＳ４のインダクタンス及びキャパシタンスが好適に選定されている。
これにより高周波スイッチＳＷの送信波入力側に接続されるローパスフィルタＬＰＦ等のとの接続点の条件（インピーダンス）に良好な入力側端子を選択可能にしている。 （もっと読む）