【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧用端子、出力用端子、接地電位用端子、電源電圧用端子、第１端子を有し、入力電圧用端子と出力用端子との間にソースードレイン経路を有する第１ＭＯＳを含む第１チップ、出力用端子と接地電位用端子との間にソースードレイン経路を有する第２ＭＯＳを含む第２チップ、第１ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第１駆動回路、第２ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第２駆動回路、電源電圧用端子に接続されたドレインと、第１端子に接続されたソースとを有するＰＭＯＳとを含む第３チップが一つのパッケージ内に封止され、第１端子と出力用端子との間に容量が接続可能とされ、第２ＭＯＳがオンとされるとき、ＰＭＯＳはオンとされ、第２ＭＯＳがオフとされるとき、ＰＭＯＳはオフとされる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、チップ面積を小さくすることができない問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の電圧ＶＨと、第１の電圧ＶＨよりも低い第２の電圧ＶＬと、第１の電圧ＶＨと第２の電圧ＶＬとの間の第３の電圧ＶＭとに基づき動作する半導体装置であって、第２の電圧ＶＬから第１の電圧ＶＨに至る振幅を有する信号がゲートに入力されるトランジスタを少なくとも１つ含む出力回路２０と、出力回路２０に含まれるトランジスタのゲートの電圧を制御する第１の制御信号と、トランジスタのバックゲート領域の電圧を制御する第２の制御信号と、ディープウェル領域の電圧を制御する第３の制御信号と、を生成する制御回路１０と、を有し、制御回路１０は、第１の制御信号と第２の制御信号との電圧差を第１の電圧ＶＨと第３の電圧ＶＭとの電圧差及び第２の電圧ＶＬと第３の電圧ＶＭとの電圧差のうち大きな電圧差以下とする。 （もっと読む）