【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】バッテリ逆接続でのリレー動作防止を実現するとともに、リレー回路の駆動電流経路の電圧降下を抑制する技術を提供する。
【解決手段】リレー装置１００では、電源電圧ＶｂａｔｔからグランドＧＮＤに向けて、逆流防止回路１５０、リレー駆動回路１１０及びリレー回路ＲＬＹが直列に配置されている。逆流防止回路１５０は、ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とを備えている。ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とは並列に接続されており、順方向が同じである。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第２電源が接続される第２電源接続部、第２電源の電圧よりも高い電圧の第１電源が接続される第１電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第１電源接続部とダイオードとの間に挿入され第１電源の電圧を第２電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第２電源接続部と電源出力部との接続をオン／オフするＭＯＳスイッチと、第１電源接続部から電源が供給され、第２電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第２電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第１電源の電圧をＭＯＳスイッチに導通することによってＭＯＳスイッチをオフする比較回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の振幅に対する歪みを低減しつつ、スイッチングを実現することが可能なスイッチを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端子と、高周波信号が出力される第１出力端子との間に接続され、入力される高周波信号を第１出力端子から選択的に出力させる第１スイッチング部と、入力端子と、入力された高周波信号が出力される第２出力端子との間に接続され、入力端子に入力される高周波信号を第２出力端子から選択的に出力させる第２スイッチング部とを備え、第１スイッチング部、第２スイッチング部それぞれは、信号線上に設けられるインピーダンス変成器と、エミッタが接地され、コレクタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタと、コレクタが接地され、エミッタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタとを備えるスイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】高デューティ領域においてデューティ比が不正確になるのを防止することにより、デューティ比の精度を向上させた負荷制御装置を提供する。
【解決手段】三角波生成回路５が、負荷２に供給される電源電圧ＶＩから三角波ＶＣ１を生成する。パルス駆動回路６が、三角波生成回路５により生成される三角波ＶＣ１と基準電圧Ｖｋとの比較に応じたデューティ比の駆動パルスを負荷２に供給する。基準電圧生成回路７が、電源電圧ＶＩが増加するに従って基準電圧Ｖｋを増加または減少させて駆動パルスのデューティ比を減少させる。周波数調整回路８が、電源電圧ＶＩが所定電圧以下のときに、三角波生成回路５により生成される三角波ＶＣ１の周波数を低くして駆動パルスの周波数を低くする。 （もっと読む）

【課題】従来に比してより少ない追加素子数で、消費電流を増加させることなく、出力電流の最大値を、回路定数の調整によって、他の諸特性に影響を及ぼすことなく設定可能とする。
【解決手段】入力信号に対して差動増幅を行う差動増幅回路１０１と、差動増幅回路１０１の出力を電圧・電流変換して出力するプリドライバ回路１０３と、プリドライバ回路１０３の出力により駆動される出力段１０６とを有してなる演算増幅器であって、プリドライバ回路１０３を構成するプリドライバ用トランジスタ３のベース電流の増加を抑圧し、出力電流（出力ソース電流）の過電流保護を可能とした過電流保護回路１０４が設けられたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】電子機器装置において、減電圧状態になった場合及び過電圧状態になった場合に、より確実に回路を保護する。
【解決手段】電子機器装置１は、第１の規定電圧値以下の電圧が電子機器装置１に供給される減電圧状態になった場合に、マイコン８をリセットさせ、第２の規定電圧値以上の電圧が電子機器装置１に供給される過電圧状態になった場合に、ヒューズ１０を溶断させる減電圧／過電圧検出回路１１を備える。減電圧／過電圧検出回路１１は、平滑用のコンデンサ４により平滑化された電圧（１次側電圧出力ラインＬ１から出力された電圧）を監視し、平滑用のコンデンサ４により平滑化された電圧に基いて、減電圧状態、及び過電圧状態を検出する。そして、減電圧／過電圧検出回路１１は、過電圧状態を検出した場合には、マイコン８をリセットさせ、過電圧状態を検出した場合には、ヒューズ１０を溶断させる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】光信号を送信するための発光素子の駆動に寄与しない無効電流を低減することが可能な駆動回路および宅側装置を提供する。
【解決手段】駆動回路５２は、光信号を送信するための発光素子ＬＤを含む発光回路７５における発光素子ＬＤにバイアス電流を供給するためのバイアス電流供給回路６８と、送信すべきデータの論理値に応じた大きさの変調電流を発光素子ＬＤに供給するための変調電流供給回路６３とを備える。変調電流供給回路６３は、データの論理値に応じて、発光素子ＬＤに電流を供給するか否かを切り替えるための差動駆動回路４１と、差動駆動回路４１の差動出力間に接続された終端抵抗とを含む。差動駆動回路４１および発光回路７５は直流結合されており、差動駆動回路４１が発光素子ＬＤに供給する上記電流の電源は発光回路７５から供給される。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。 （もっと読む）

【課題】マイコンのリセット端子をトランジスタによってグランドに接続することによりマイコンにリセットをかけるリセット回路において、リセット動作不能な電源電圧の領域を無くす。
【解決手段】リセット回路１０は、マイコン１１のリセット端子１３を電源電圧（以下、ＶＭ）にプルアップする抵抗Ｒ１と、ＶＭが所定値未満のときにトランジスタＴ１をオンしてリセット端子１３を０Ｖにするリセット信号出力回路１５とに加え、オンすることで抵抗Ｒ１の上流側にＶＭを供給するトランジスタＴ２と、抵抗Ｒ１の上流側とグランドとの間に接続された抵抗Ｒ２と、トランジスタＴ１がオン可能なＶＭの最低値（Ｖｂｅ）より高く、上記所定値よりは低い電圧（Ｖｂｅ＋ダイオードＤ１のＶｆ）を動作閾値電圧とし、ＶＭがその動作閾値電圧未満である場合にトランジスタＴ２をオフさせておいて、マイコン１１のリセットを確保する回路Ｔ３，Ｄ１，Ｒ３，Ｒ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにＥＳＤ耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、第１および第２の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記第１の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。前記第２の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧に応じて前記第１のスイッチ素子の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】窒化物ＦＥＴを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物ＦＥＴを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子Ｍ１及び低圧側素子Ｍ２と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ１１と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ１２と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Ｔｒ１と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードＤ１と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】オンデューティが５０％以上のパルス信号でもスイッチング素子のゲートをドライブできる安価なゲートドライブ回路。
【解決手段】直流電源Vcc1の両端にトーテムポール接続され且つ各ベースにパルス信号が入力されるトランジスタQ2,Q3と、直流電源Vcc2の両端にトーテムポール接続され且つ各エミッタがスイッチング素子Q1のゲートに接続されるトランジスタQ4,Q5と、一次巻線P1がトランジスタQ2,Q3の各エミッタとトランジスタQ2,Q3の一方のコレクタとにコンデンサC1を介して接続され、二次巻線S1がトランジスタQ4,Q5の各ベースとトランジスタQ4,Q5の各エミッタとに接続されたトランスT1とを有し、パルス信号Vinの最大オンデューティは、トランスT1の一次巻線電圧VpとトランジスタQ4,Q5のベース−エミッタ間順方向電圧とに基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】過電流や短絡発生時に絶縁ゲート型トランジスタへの遮断の遅延を抑制し、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できるゲート駆動を提供する。
【解決手段】対を成すＮＰＮトランジスタ１５、ＰＮＰトランジスタ１７によるトーテムポール回路９に駆動信号が入力され、回路９の出力が絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート３Ａに接続され、トランジスタ３のゲート３Ａの電位を下げて保護動作をする保護回路１１が備えられたゲート駆動回路１であって、トーテムポール回路９のトランジスタ１５、１７ごとに独立して設けられて駆動信号をベース１５Ａ、１７Ａに入力するベースライン２９Ａ、２９Ｂと、保護回路１１の保護動作の間、トーテムポール回路９の上アーム側のトランジスタ１５のベース電位を下げる電位強制低下回路１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極、及び前記第１の主電極と前記第２の主電極間で前記主面上に配置された制御電極を有するスイッチング素子Ｔ_ＳＷと、コレクタ端子とエミッタ端子と制御端子とを有する第１の駆動素子Ｔ_Ｄ１及び入力端子を含む駆動回路１０と、を備え、前記第１の駆動素子の前記コレクタ端子は前記スイッチング素子の前記第１の主電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記エミッタ端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記制御端子は前記入力端子及び前記エミッタ端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）