通信システム
【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、差動信号を伝送する伝送路に通信回路ノードが、差動信号により通信を行うように構成された通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば車両の通信システムでは、制御の高度化・複雑化に伴い、多数の電子制御装置（Electronic Control Unit；以下、単に「ＥＣＵ」と記載する）が搭載されるとともに、それらのＥＣＵ間でやりとりされるデータ量は増加の一途をたどっている。このため、通信システムの性能向上が必要となっている。
【０００３】
この種の通信システムとしては、差動信号を伝送する一対の信号線からなる伝送路として、幹線と、該幹線からそれぞれ分岐する複数の支線とを有し、その支線のそれぞれにＥＣＵを接続したバス構成のものが知られている。
【０００４】
このような通信システムとして例えばＣＡＮ（Controller Area Network）があり、ＣＡＮを採用した通信システムは例えば特許文献１及び特許文献２で開示されている。
【０００５】
図６は従来の通信システムの構成を示す回路図である。同図に示すように、幹線４０から分岐される４本の支線４１それぞれに自動車の各部を制御するＥＣＵ１０１〜１０４が接続されてなるものである。なお、図６で示す通信システム１はＣＡＮプロトコルにて通信を行う。
【０００６】
幹線４０はＨライン幹線４０Ｈ及びＬライン幹線４０Ｌからなり、各支線４１はＨライン支線４１Ｈ及びＬライン支線４１Ｌから構成され、各Ｈライン支線４１ＨがＨライン幹線４０Ｈに接続され、各Ｌライン支線４１ＬがＬライン幹線４０Ｌに接続される。
【０００７】
ノードとしてのＥＣＵ１０１〜１０４は、それぞれ、支線４１に接続される。なお、Ｈライン幹線４０Ｈ及びＨライン支線４１ＨがＣＡＮ−Ｈ（以下、「Ｈライン」と記載する場合あり）であり、Ｌライン幹線４０Ｌ及びＬライン支線４１ＬがＣＡＮ−Ｌ（以下、「Ｌライン」と記載する場合あり）である。なお、幹線４０の両端には、それぞれ、その幹線４０の両端での反射を抑制するための終端回路４５が接続される。
【０００８】
データを送信する通信回路であるＥＣＵ１０１〜１０４は、Ｈライン支線４１Ｈ，Ｌライン支線４１Ｌに差動信号を送出し、データを受信するＥＣＵ１０１〜１０４は、Ｈライン支線４１Ｈ，Ｌライン支線４１Ｌ間の電位差を判定する。Ｈライン幹線４０Ｈ（Ｈライン支線４１Ｈ），Ｌライン幹線４０Ｌ（Ｌライン支線４１Ｌ）間の電位差である信号レベルにはドミナント（優性）とレセッシブ（劣性）とがある。
【０００９】
ＣＡＮにおいては、上記信号レベル（電位差）が例えば０．９［Ｖ］より大きい場合ドミナントと認識され、上記信号レベル（電位差）が例えば０．５［Ｖ］より小さい場合レセッシブと認識される。また、一般的に、ドミナントの理論値が“０”とされ、レセッシブの理論値が“１”とされる。このような従来の通信システムでは、データが信号レベルに応じた２値信号でやりとりされる。
【００１０】
図７は図６で示した通信システムにおけるリンギング現象を示す波形図である。ＣＡＮにおける差動信号の上記信号レベルには、図７に示すようにＨライン，Ｌライン間に所定の電位差があるドミナント期間ＤＴと信号線間に電位差がないレセッシブ期間ＲＴとがある。より具体的に、Ｈラインの電位がハイレベル（例えば３．５［Ｖ］）でＬラインの電位がローレベル（例えば１．５［Ｖ］）である状態がドミナントであり、Ｈラインの電位が基準電位であるローレベル（例えば２．５［Ｖ］）でＬラインの電位が基準電位であるハイレベル（例えば２．５［Ｖ］）である状態がレセッシブである。
【００１１】
ところで、例えばＣＡＮをはじめとしたバス構成の通信システムでは、分岐点のインピーダンスの不整合により、分岐点とノード（通信回路）との間で信号成分が反射を繰り返すような現象（いわゆるリンギング現象）が発生する。図７に現れているように、例えばＣＡＮにおいて、信号レベルがドミナントからレセッシブに切り替わる際、Ｈラインの電位がマイナス側に大きく振れてしまうとともにＬラインの電位がプラス側に大きく振れ、信号波形が上下に大きく振動する場合がある（図７の期間ｔ６０参照）。
【００１２】
このようなリンギング現象が発生すると、各ＥＣＵ間での通信精度が低下するばかりでなく、通信信号にエラーが発生し、場合によっては通信不能に陥る場合がある。
【００１３】
より具体的には、図７のＰｃ〜Ｐｅで示すように、Ｈラインの電位とＬラインの電位との高低が入れ替わってＬラインの電位がＨラインの電位よりも高くなったり、図７のＰａ，Ｐｂで示すように、Ｈラインの電位がプラス側に振れるとともにＬラインの電位がマイナス側に振れたりして、電位差が発生する。
【００１４】
このように、Ｈライン，Ｌライン間の電位差が本来“０”に保持されるべきレセッシブ期間ＲＴにリンギング現象が生じた場合、本来はレセッシブ期間ＲＴであるにもかかわらず、期間ｔ６０における電位差の大きさによってはドミナント期間ＤＴと誤認識されてしまうという問題点があった。
【００１５】
上記特許文献１及び上記特許文献２では上述したリンギング現象を抑制する回路について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２０１０−２００００６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０６２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
（リンギング抑制回路５１）
図８は特許文献１で開示された従来のリンギング抑制回路（その１）の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線５０を構成するＨライン通信線５０Ｈ，Ｌライン通信線５０Ｌ間にリンギング抑制回路５１を設けている。通信線５０は図６で示した幹線４０及び支線４１（主として支線４１）に相当する。
【００１８】
なお、トランシーバ回路３０は送信信号ＴｘＤをＨライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌの差動信号として出力する送信バッファ３１と、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌより得られる差動信号に基づき受信信号ＲｘＤを出力する受信バッファ３２とから構成される。トランシーバ回路３０は一般的にＥＣＵ等に内蔵される通信回路である。
【００１９】
リンギング抑制回路５１はＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＴ５１、抵抗Ｒ５１及びコンデンサＣ５１から構成される。バイポーラトランジスタＴ５１のエミッタはＨライン通信線５０Ｈに接続され、コレクタはＬライン通信線５０Ｌに接続され、ベースはコンデンサＣ５１の一方電極及び抵抗Ｒ５１の一端に接続され、コンデンサＣ５１の他端及び抵抗Ｒ５１の他端はＬライン通信線５０Ｌに接続される。
【００２０】
リンギング抑制回路５１は、Ｌライン通信線５０Ｌの電位が、Ｈライン通信線５０Ｈの電位より高くなったときに、オン動作を行うバイポーラトランジスタＴ１により、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００２１】
（リンギング抑制回路５２）
図９は特許文献２で開示された従来のリンギング抑制回路（その２）の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線５０を構成するＨライン通信線５０Ｈ，Ｌライン通信線５０Ｌ間にリンギング抑制回路５２を設けている。
【００２２】
リンギング抑制回路５２はダイオードＤ５１〜Ｄ５４及び抵抗Ｒ５２から構成される。互いに直列に接続されるダイオードＤ５１及びＤ５２のうち、ダイオードＤ５２のカソードがＨライン通信線５０Ｈに接続され、ダイオードＤ５１のアノード（端子Ｎ５１）が抵抗Ｒ５２の一端に接続され、抵抗Ｒ５２の他端がＬライン通信線５０Ｌに接続される。さらに、直列に接続されるダイオードＤ５３及びＤ５４のうちダイオードＤ５３のアノードがＨライン通信線５０Ｈに接続され、ダイオードＤ５４のカソードが端子Ｎ５１に接続される。
【００２３】
リンギング抑制回路５２は、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌ間の電位差は、±１．４［Ｖ］の範囲を超えると、ダイオードＤ５１及びＤ５２あるいはダイオードＤ５３及びＤ５４に電流が流れ始めるため、通信線５０から見たインピーダンスは抵抗Ｒ５２の抵抗値となる。そして、このインピーダンスは通信線５０の特性インピーダンスと一致させることにより、インピーダンスマッチングがとられ、リンギング抑制を図っている。
【００２４】
（リンギング抑制回路５３）
図１０は特許文献２で開示されたリンギング抑制回路（その３）の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線５０を構成するＨライン通信線５０Ｈ，Ｌライン通信線５０Ｌ間にリンギング抑制回路５３を設けている。
【００２５】
リンギング抑制回路５３は（ツェナー）ダイオードＤ５５，Ｄ５６及び抵抗Ｒ５３から構成される。互いに対向して接続されるダイオードＤ５５及びＤ５６のうち、ダイオードＤ５５のアノードがＨライン通信線５０Ｈに接続され、ダイオードＤ５６のアノードが抵抗Ｒ５３の一端に接続され、抵抗Ｒ５３の他端がＬライン通信線５０Ｌに接続される。抵抗Ｒ５３の抵抗値は、通信線５０の特性インピーダンスと同じに設定される。
【００２６】
リンギング抑制回路５３は、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌ間の電位差が、ダイオードＤ５５及びＤ５６のうち、一方のダイオードについての順方向電圧降下分と、他方のダイオードの定電圧（ツェナー電圧）との合計値を超えると、電流が流れ、通信線５０から見たインピーダンスは抵抗Ｒ５３の抵抗値となる。すなわち、インピーダンスマッチングがとられ、反射が抑制されリンギング防止効果を図ることができる。
【００２７】
しかしながら、図８〜図１０で示したリンギング抑制回路５１〜５３ではリンギング現象を効果的に抑制できていないという問題点があった。
【００２８】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
この発明に係る請求項１記載の通信システム半導体記憶装置は、基準電位に対しプラス側に電位が振れる信号線であるＨラインとマイナス側に電位が振れる信号線であるＬラインとの一対の信号線からなる伝送路と、前記伝送路に接続される通信部とを備え、前記通信部は前記一対の信号線間に電位差がある優勢信号と前記一対の信号線間に電位差がない劣勢信号とを用いて前記伝送路を介した通信が可能であり、前記Ｌライン及び前記Ｈラインに電気的に接続されて設けられるリンギング抑制回路をさらに備え、前記リンギング抑制回路は、一方電極が前記Ｈライン，他方電極が前記Ｌラインに接続されるＭＯＳトランジスタと、エミッタに所定の固定電圧が付与されるバイポーラトランジスタと、前記Ｈライン及び前記Ｌラインのうち一方ラインと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に設けられるコンデンサと、前記バイポーラトランジスタのエミッタ，ベース間に設けられる抵抗とを備え、前記リンギング抑制回路は、前記バイポーラトランジスタのオン時に、前記ＭＯＳトランジスタのオン動作用の駆動電圧が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに付与されるように接続され、前記優勢信号時に前記抵抗を介して前記所定の電位に向けて前記バイポーラトランジスタのベース電位を導き、前記優勢信号から前記劣勢信号への切り替え時に、前記一方ラインの電位変化を前記コンデンサを介して前記バイポーラトランジスタのベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、前記バイポーラトランジスタをオン動作させ、前記ＭＯＳトランジスタのゲートに前記駆動電圧を付与することにより、前記ＭＯＳトランジスタをオン動作させ前記Ｈライン，前記Ｌライン間を電気的に接続することを特徴とする。
【００３０】
請求項２の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、前記所定の固定電圧は接地電圧を含み、前記駆動電圧は電源電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、ＮＰＮ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、前記リンギング抑制回路は、前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記電源電圧を前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＰＮＰ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える。
【００３１】
請求項３の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、前記所定の固定電圧は電源電圧を含み、前記駆動電圧は接地電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、ＰＮＰ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、前記リンギング抑制回路は、前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記接地電圧を前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＮＰＮ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える。
【００３２】
請求項４の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は電源電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、前記ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される。
【００３３】
請求項５の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は接地電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、前記ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される。
【発明の効果】
【００３４】
請求項１〜請求項５記載の本願発明におけるリンギング抑制回路は、上記のようにバイポーラトランジスタ、抵抗、及びコンデンサを設けることにより、ＬラインがＨラインより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＭＯＳトランジスタを介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、伝送路におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施の形態１である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図２】実施の形態１のリンギング抑制回路を設けた場合のレセッシブ切り替え時のシミュレーション結果を示す波形図である。
【図３】この発明の実施の形態２である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態３である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態４である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図６】従来の通信システムの構成を示す回路図である。
【図７】リンギング現象を示す波形図である。
【図８】従来のリンギング抑制回路（その１）の構成を示す回路図である。
【図９】従来のリンギング抑制回路（その２）の構成を示す回路図である。
【図１０】従来のリンギング抑制回路（その３）の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
＜実施の形態１＞
図１はこの発明の実施の形態１である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路１を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１（主として支線４１）に相当する。
【００３７】
なお、トランシーバ回路３０は送信信号ＴｘＤをＨライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌの差動信号として出力する送信バッファ３１と、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌより得られる差動信号に基づき受信信号ＲｘＤを出力する受信バッファ３２とから構成される。トランシーバ回路３０は一般的にＥＣＵ等に内蔵される通信回路である。
【００３８】
リンギング抑制回路１はＮＭＯＳトランジスタＱ１１、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１（第１のバイポーラトランジスタ），ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２（第２のバイポーラトランジスタ）、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４及びコンデンサＣ１１，Ｃ１２から構成される。
【００３９】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベル（所定の固定電圧）に接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。
【００４０】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは抵抗Ｒ１３の一端にされるとともに電源電圧Ｖ１１（ＮＭＯＳトランジスタＱ１１用の駆動電圧（５Ｖ程度））を受け、コレクタは抵抗Ｒ１４の一端（端子Ｎ１）に接続されると共にＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。さらに、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベースが抵抗Ｒ１３の他端、コンデンサＣ１２の他方電極及び抵抗Ｒ１２の他端とそれぞれ接続される。
【００４１】
ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４の一端に接続され、抵抗Ｒ１４の他端は接地レベルに接続される。
【００４２】
リンギング抑制回路１は、Ｌライン通信線１０Ｌの電位が、Ｈライン通信線１０Ｈの電位より高くなったときに、速やかにＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１がオンし、これに連動してＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２がオン動作する。
【００４３】
その結果、電源電圧Ｖ１１がＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに付与されるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１がオン状態となり、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００４４】
以下、リンギング抑制回路１の動作を詳細に説明する。ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタ，ベース間に抵抗Ｒ１１が設けられているため、ドミナント期間ＤＴにおいて、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベース電位がエミッタ電位（接地レベル）とほぼ同電位で安定する。
【００４５】
一方、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタ，ベース間に抵抗Ｒ１３が設けられるため、ドミナント期間ＤＴにおいて、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベース電位がエミッタ電位（電源電圧Ｖ１１）とほぼ同電位で安定する。
【００４６】
また、ドミナント期間ＤＴはＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２がオフ状態であるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートには抵抗Ｒ１４を介して接地レベルが付与されることにより、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１はオフ状態となる。
【００４７】
そして、ドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時におけるＬライン通信線１０Ｌの電位上昇に伴うコンデンサＣ１１によるチャージポンプ動作により、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベース電位を速やかに立ち上げることにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１は速やかにオン状態となる。
【００４８】
すなわち、コンデンサＣ１１は、ドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時に、Ｌライン通信線１０Ｌの電位上昇をＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１を瞬時にオン状態にすることができる。その後、コンデンサＣ１１に蓄積された電荷が減り、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベース電位がエミッタ電位に近づくため、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１はオフ状態となる。さらに、抵抗Ｒ１１を介してエミッタ電位（接地レベル）がベース電位に伝達されるため、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１はオン直後に速やか、かつ確実にオフ状態となる。
【００４９】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１がオン状態となるとＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２にベース電流が流れることにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２が速やかにオン状態となる。
【００５０】
この際、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のオン動作時におけるコンデンサＣ１２のチャージポンプ動作によりＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベース電位を速やかに立ち下げることにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のターンオン時間の短縮を図ることができる。
【００５１】
なお、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のコレクタとＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベースとの間に設けられる抵抗Ｒ１２により、過剰な電流がＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１やＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２に流れることを防止している。
【００５２】
その後、コンデンサＣ１２に蓄積された電荷が減り、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベース電位がエミッタ電位に近づくため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２はオフ状態となる。さらに、抵抗Ｒ１３を介してエミッタ電位（電源電圧Ｖ１１）がベース電位に伝達されるため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２はオン直後に速やか、かつ確実にオフ状態となる。
【００５３】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２がオン状態になると、電源電圧Ｖ１１がＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに付与されるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１がオン状態となり、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間をＮＭＯＳトランジスタＱ１１により電気的に接続することにより、通信線１０に生じるリンギング現象を抑制することができる。
【００５４】
図２は図１で示した実施の形態１のリンギング抑制回路１を設けた場合のレセッシブ切り替え時のシミュレーション結果を示す波形図である。
【００５５】
図２に示すシミュレーション結果は、一例として、コンデンサＣ１１を２００ｐＦ、コンデンサＣ１２を１００ｐＦ、抵抗Ｒ１１を３ｋΩ、抵抗Ｒ１２を２ｋΩ、抵抗Ｒ１３を３ｋΩ、抵抗Ｒ１４を２ｋΩとし、ドミナント時のＨラインの電位を約３．７Ｖ、ドミナント時のＬラインの電位を約１．５Ｖ、レッセシブ時の基準電位を約２．６Ｖに設定して行っている。
【００５６】
図２において、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間の差分値、すなわち、リンギング現象を含む通信線１０上の実際の差分値を示している。
【００５７】
図２に示すように、ドミナント期間ＤＴ（２．２Ｖ）及びレセッシブ期間ＲＴ（０Ｖ）が切り替えられる際、図２の(a)に示すようにリンギング抑制回路１が無い構成でリンギングが発生する状況下において、リンギング抑制回路１を有する通信システムによるシミュレーション結果が図２の(b)である。
【００５８】
図２(b)に示すように、実施の形態１のリンギング抑制回路１は、リンギング現象を効果的に抑えることができる。
【００５９】
このように、実施の形態１のリンギング抑制回路１において、コンデンサＣ１１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＬライン通信線１０Ｌの電位上昇をＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のべース電圧の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１を速やかにオン状態にすることができ、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のオン動作に連動して、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２、及びＮＭＯＳトランジスタＱ１１をオン動作に導くことができる。
【００６０】
その結果、Ｌライン通信線１０ＬがＨライン通信線１０Ｈより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＮＭＯＳトランジスタＱ１１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【００６１】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【００６２】
＜実施の形態２＞
図３はこの発明の実施の形態２である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路２を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１に相当する。
【００６３】
なお、トランシーバ回路３０の構成は図１で示した実施の形態１と同様であるため、同一符号を附して説明を適宜省略する。
【００６４】
リンギング抑制回路２はＰＭＯＳトランジスタＱ２１、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１（第１のバイポーラトランジスタ），ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２（第２のバイポーラトランジスタ）、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４及びコンデンサＣ２１，Ｃ２２から構成される。
【００６５】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１のエミッタは抵抗Ｒ２１の一端に接続されるとともに電源電圧Ｖ２１（所定の固定電圧）に接続され、コレクタは抵抗Ｒ２２の一端及びコンデンサＣ２２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ２１の他端及びコンデンサＣ２１の一方電極に接続される。コンデンサＣ２１の他方電極はＨライン通信線１０Ｈに接続される。
【００６６】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２のエミッタは抵抗Ｒ２３の一端にされるとともに接地レベルＧ２１（ＰＭＯＳトランジスタＱ２１用の駆動電圧（０Ｖ））に接続され、コレクタは抵抗Ｒ２４の一端（端子Ｎ２）に接続されると共にＰＭＯＳトランジスタＱ２１のゲートに接続される。さらに、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２のベースは抵抗Ｒ２３の他端、コンデンサＣ２２の他方電極及び抵抗Ｒ２２の他端にそれぞれ接続される。
【００６７】
ＰＭＯＳトランジスタＱ２１のドレインはＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ソースがＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ゲートは抵抗Ｒ２４の一端に接続され、抵抗Ｒ２４の他端に電源電圧Ｖ２１が付与される。
【００６８】
リンギング抑制回路２は、Ｈライン通信線１０Ｈの電位が、Ｌライン通信線１０Ｌの電位より低くなったときに、速やかにバイポーラトランジスタＴ２１，Ｔ２２がオン動作する結果、ＰＭＯＳトランジスタＱ２１がオン状態となり、Ｌライン通信線１０Ｌ及びＨライン通信線１０Ｈ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００６９】
すなわち、リンギング抑制回路２を構成する各部（バイポーラトランジスタ及びＭＯＳトランジスタの導電型、電源，接地レベルとの接続関係、Ｈライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌの接続関係）の極性がリンギング抑制回路１と逆になっており、リンギング抑制回路１と実質的に等価なリンギング防止機能を発揮している。
【００７０】
したがって、実施の形態２のリンギング抑制回路２は、実施の形態１のリンギング抑制回路１と同様、リンギング現象を効果的に抑えることができる。
【００７１】
このように、実施の形態２のリンギング抑制回路２において、コンデンサＣ２１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＨライン通信線１０Ｈの電位変化をＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１のべース電圧の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１を速やかにオン状態にすることができ、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１のオン動作に連動して、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２、及びＰＭＯＳトランジスタＱ２１をオン動作に導くことができる。
【００７２】
その結果、Ｈライン通信線１０ＨがＬライン通信線１０Ｌより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＰＭＯＳトランジスタＱ２１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【００７３】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【００７４】
＜実施の形態３＞
図４はこの発明の実施の形態３である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路３を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１（主として支線４１）に相当する。
【００７５】
なお、トランシーバ回路３０の構成は図１で示した実施の形態１と同様であるため、同一符号を附して説明を適宜省略する。
【００７６】
リンギング抑制回路３はＮＭＯＳトランジスタＱ３１、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１，抵抗Ｒ３１，Ｒ３２及びコンデンサＣ３１から構成される。
【００７７】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のエミッタは抵抗Ｒ３１の一端に接続されるとともに電源電圧Ｖ３１（所定の固定電圧、かつＮＭＯＳトランジスタＱ３１用の駆動電圧（５Ｖ程度））に接続され、コレクタは抵抗Ｒ３２の一端及びＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートに接続され、ベースは抵抗Ｒ３１の他端及びコンデンサＣ３１の一方電極に接続される。コンデンサＣ３１の他方電極はＨライン通信線１０Ｈに接続される。
【００７８】
ＮＭＯＳトランジスタＱ３１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ゲートが抵抗Ｒ３２の一端に接続され、抵抗Ｒ３２の他端は接地レベルに接続される。
【００７９】
リンギング抑制回路３は、Ｈライン通信線１０Ｈの電位が、Ｌライン通信線１０Ｌの電位より低くなったときに、速やかにバイポーラトランジスタＴ２１がオン動作する。
【００８０】
その結果、電源電圧Ｖ３１がＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートに付与されＮＭＯＳトランジスタＱ３１がオン状態となるため、Ｌライン通信線１０Ｌ及びＨライン通信線１０Ｈ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００８１】
以下、リンギング抑制回路３の動作を詳細に説明する。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のエミッタ，ベース間に抵抗Ｒ３１が設けられているため、ドミナント期間ＤＴにおいて、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベース電位がエミッタ電位（電源電圧Ｖ３１）とほぼ同電位で安定する。
【００８２】
また、ドミナント期間ＤＴはＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１がオフ状態であるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートには抵抗Ｒ３２を介して接地レベルが付与されるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１はオフ状態となる。
【００８３】
そして、ドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時におけるＨライン通信線１０Ｈの電位下降に伴うコンデンサＣ３１によるチャージポンプ動作により、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベース電位を速やかに立ち下げることにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１は速やかにオン状態となる。
【００８４】
すなわち、コンデンサＣ３１はドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時に、Ｈライン通信線１０Ｈの電位下降をＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１を瞬時にオン状態にすることができる。その後、コンデンサＣ３１に蓄積された電荷が減り、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベース電位がエミッタ電位に近づくため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１はオフ状態となる。さらに、抵抗Ｒ３１を介してエミッタ電位（電源電圧Ｖ３１）がベース電位に伝達されるため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１はオン直後に速やか、かつ確実にオフ状態となる。
【００８５】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１がオン状態となると電源電圧Ｖ３１がＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートに付与されることにより、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１は速やかにオン状態となる。
【００８６】
その結果、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間をＮＭＯＳトランジスタＱ１１により電気的に接続することにより、通信線１０に生じるリンギング現象を抑制することができる。
【００８７】
このように、実施の形態３のリンギング抑制回路３において、コンデンサＣ３１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＨライン通信線１０Ｈの電位変化をＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のべース電圧の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１を速やかにオン状態にすることができ、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のオン動作に伴い、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１をオン動作に導くことができる。
【００８８】
その結果、Ｈライン通信線１０ＨがＬライン通信線１０Ｌより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＮＭＯＳトランジスタＱ３１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【００８９】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【００９０】
＜実施の形態４＞
図５はこの発明の実施の形態４である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路４を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１（特に支線４１）に相当する。
【００９１】
なお、トランシーバ回路３０の構成は図１で示した実施の形態１と同様であるため、同一符号を附して説明を適宜省略する。
【００９２】
リンギング抑制回路４はＰＭＯＳトランジスタＱ４１、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１，抵抗Ｒ４１，Ｒ４２及びコンデンサＣ４１から構成される。
【００９３】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１のエミッタは抵抗Ｒ４１の一端に接続されるとともに接地レベルＧ４１（所定の固定電圧かつＰＭＯＳトランジスタＱ４１用の駆動電圧（０Ｖ））に接続され、コレクタは抵抗Ｒ４２の一端及びＰＭＯＳトランジスタＱ４１のゲートに接続され、ベースは抵抗Ｒ４１の他端及びコンデンサＣ４１の一方電極に接続される。コンデンサＣ４１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。
【００９４】
ＰＭＯＳトランジスタＱ４１のドレインはＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ソースがＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ゲートは抵抗Ｒ４２の一端に接続され、抵抗Ｒ４２の他端に電源電圧Ｖ４１が付与される。
【００９５】
リンギング抑制回路４は、Ｌライン通信線１０Ｌの電位が、Ｈライン通信線１０Ｈの電位より低くなったときに、速やかにバイポーラトランジスタＴ２１がオン動作する。
【００９６】
その結果、接地レベルＧ４１がＰＭＯＳトランジスタＱ４１のゲートに付与されＰＭＯＳトランジスタＱ４１がオン状態となるため、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００９７】
すなわち、リンギング抑制回路４を構成する各部（バイポーラトランジスタ及びＭＯＳトランジスタの導電型、電源，接地レベルとの接続関係、Ｈライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌの接続関係）の極性がリンギング抑制回路３と逆になっており、リンギング抑制回路３と実質的に等価なリンギング防止機能を発揮している。
【００９８】
このように、実施の形態４のリンギング抑制回路４において、コンデンサＣ４１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＬライン通信線１０Ｌの電位上昇をＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１のべース電位の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１を速やかにオン状態にすることができ、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１のオン動作に伴い、ＰＭＯＳトランジスタＱ４１をオン動作に導くことができる。
【００９９】
その結果、Ｌライン通信線１０ＬがＨライン通信線１０Ｈより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＰＭＯＳトランジスタＱ４１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【０１００】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１〜４ リンギング抑制回路
１０ 通信線
１０Ｈ Ｈライン通信線
１０Ｌ Ｌライン通信線
３０ トランシーバ回路
【技術分野】
【０００１】
この発明は、差動信号を伝送する伝送路に通信回路ノードが、差動信号により通信を行うように構成された通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば車両の通信システムでは、制御の高度化・複雑化に伴い、多数の電子制御装置（Electronic Control Unit；以下、単に「ＥＣＵ」と記載する）が搭載されるとともに、それらのＥＣＵ間でやりとりされるデータ量は増加の一途をたどっている。このため、通信システムの性能向上が必要となっている。
【０００３】
この種の通信システムとしては、差動信号を伝送する一対の信号線からなる伝送路として、幹線と、該幹線からそれぞれ分岐する複数の支線とを有し、その支線のそれぞれにＥＣＵを接続したバス構成のものが知られている。
【０００４】
このような通信システムとして例えばＣＡＮ（Controller Area Network）があり、ＣＡＮを採用した通信システムは例えば特許文献１及び特許文献２で開示されている。
【０００５】
図６は従来の通信システムの構成を示す回路図である。同図に示すように、幹線４０から分岐される４本の支線４１それぞれに自動車の各部を制御するＥＣＵ１０１〜１０４が接続されてなるものである。なお、図６で示す通信システム１はＣＡＮプロトコルにて通信を行う。
【０００６】
幹線４０はＨライン幹線４０Ｈ及びＬライン幹線４０Ｌからなり、各支線４１はＨライン支線４１Ｈ及びＬライン支線４１Ｌから構成され、各Ｈライン支線４１ＨがＨライン幹線４０Ｈに接続され、各Ｌライン支線４１ＬがＬライン幹線４０Ｌに接続される。
【０００７】
ノードとしてのＥＣＵ１０１〜１０４は、それぞれ、支線４１に接続される。なお、Ｈライン幹線４０Ｈ及びＨライン支線４１ＨがＣＡＮ−Ｈ（以下、「Ｈライン」と記載する場合あり）であり、Ｌライン幹線４０Ｌ及びＬライン支線４１ＬがＣＡＮ−Ｌ（以下、「Ｌライン」と記載する場合あり）である。なお、幹線４０の両端には、それぞれ、その幹線４０の両端での反射を抑制するための終端回路４５が接続される。
【０００８】
データを送信する通信回路であるＥＣＵ１０１〜１０４は、Ｈライン支線４１Ｈ，Ｌライン支線４１Ｌに差動信号を送出し、データを受信するＥＣＵ１０１〜１０４は、Ｈライン支線４１Ｈ，Ｌライン支線４１Ｌ間の電位差を判定する。Ｈライン幹線４０Ｈ（Ｈライン支線４１Ｈ），Ｌライン幹線４０Ｌ（Ｌライン支線４１Ｌ）間の電位差である信号レベルにはドミナント（優性）とレセッシブ（劣性）とがある。
【０００９】
ＣＡＮにおいては、上記信号レベル（電位差）が例えば０．９［Ｖ］より大きい場合ドミナントと認識され、上記信号レベル（電位差）が例えば０．５［Ｖ］より小さい場合レセッシブと認識される。また、一般的に、ドミナントの理論値が“０”とされ、レセッシブの理論値が“１”とされる。このような従来の通信システムでは、データが信号レベルに応じた２値信号でやりとりされる。
【００１０】
図７は図６で示した通信システムにおけるリンギング現象を示す波形図である。ＣＡＮにおける差動信号の上記信号レベルには、図７に示すようにＨライン，Ｌライン間に所定の電位差があるドミナント期間ＤＴと信号線間に電位差がないレセッシブ期間ＲＴとがある。より具体的に、Ｈラインの電位がハイレベル（例えば３．５［Ｖ］）でＬラインの電位がローレベル（例えば１．５［Ｖ］）である状態がドミナントであり、Ｈラインの電位が基準電位であるローレベル（例えば２．５［Ｖ］）でＬラインの電位が基準電位であるハイレベル（例えば２．５［Ｖ］）である状態がレセッシブである。
【００１１】
ところで、例えばＣＡＮをはじめとしたバス構成の通信システムでは、分岐点のインピーダンスの不整合により、分岐点とノード（通信回路）との間で信号成分が反射を繰り返すような現象（いわゆるリンギング現象）が発生する。図７に現れているように、例えばＣＡＮにおいて、信号レベルがドミナントからレセッシブに切り替わる際、Ｈラインの電位がマイナス側に大きく振れてしまうとともにＬラインの電位がプラス側に大きく振れ、信号波形が上下に大きく振動する場合がある（図７の期間ｔ６０参照）。
【００１２】
このようなリンギング現象が発生すると、各ＥＣＵ間での通信精度が低下するばかりでなく、通信信号にエラーが発生し、場合によっては通信不能に陥る場合がある。
【００１３】
より具体的には、図７のＰｃ〜Ｐｅで示すように、Ｈラインの電位とＬラインの電位との高低が入れ替わってＬラインの電位がＨラインの電位よりも高くなったり、図７のＰａ，Ｐｂで示すように、Ｈラインの電位がプラス側に振れるとともにＬラインの電位がマイナス側に振れたりして、電位差が発生する。
【００１４】
このように、Ｈライン，Ｌライン間の電位差が本来“０”に保持されるべきレセッシブ期間ＲＴにリンギング現象が生じた場合、本来はレセッシブ期間ＲＴであるにもかかわらず、期間ｔ６０における電位差の大きさによってはドミナント期間ＤＴと誤認識されてしまうという問題点があった。
【００１５】
上記特許文献１及び上記特許文献２では上述したリンギング現象を抑制する回路について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２０１０−２００００６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０６２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
（リンギング抑制回路５１）
図８は特許文献１で開示された従来のリンギング抑制回路（その１）の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線５０を構成するＨライン通信線５０Ｈ，Ｌライン通信線５０Ｌ間にリンギング抑制回路５１を設けている。通信線５０は図６で示した幹線４０及び支線４１（主として支線４１）に相当する。
【００１８】
なお、トランシーバ回路３０は送信信号ＴｘＤをＨライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌの差動信号として出力する送信バッファ３１と、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌより得られる差動信号に基づき受信信号ＲｘＤを出力する受信バッファ３２とから構成される。トランシーバ回路３０は一般的にＥＣＵ等に内蔵される通信回路である。
【００１９】
リンギング抑制回路５１はＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＴ５１、抵抗Ｒ５１及びコンデンサＣ５１から構成される。バイポーラトランジスタＴ５１のエミッタはＨライン通信線５０Ｈに接続され、コレクタはＬライン通信線５０Ｌに接続され、ベースはコンデンサＣ５１の一方電極及び抵抗Ｒ５１の一端に接続され、コンデンサＣ５１の他端及び抵抗Ｒ５１の他端はＬライン通信線５０Ｌに接続される。
【００２０】
リンギング抑制回路５１は、Ｌライン通信線５０Ｌの電位が、Ｈライン通信線５０Ｈの電位より高くなったときに、オン動作を行うバイポーラトランジスタＴ１により、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００２１】
（リンギング抑制回路５２）
図９は特許文献２で開示された従来のリンギング抑制回路（その２）の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線５０を構成するＨライン通信線５０Ｈ，Ｌライン通信線５０Ｌ間にリンギング抑制回路５２を設けている。
【００２２】
リンギング抑制回路５２はダイオードＤ５１〜Ｄ５４及び抵抗Ｒ５２から構成される。互いに直列に接続されるダイオードＤ５１及びＤ５２のうち、ダイオードＤ５２のカソードがＨライン通信線５０Ｈに接続され、ダイオードＤ５１のアノード（端子Ｎ５１）が抵抗Ｒ５２の一端に接続され、抵抗Ｒ５２の他端がＬライン通信線５０Ｌに接続される。さらに、直列に接続されるダイオードＤ５３及びＤ５４のうちダイオードＤ５３のアノードがＨライン通信線５０Ｈに接続され、ダイオードＤ５４のカソードが端子Ｎ５１に接続される。
【００２３】
リンギング抑制回路５２は、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌ間の電位差は、±１．４［Ｖ］の範囲を超えると、ダイオードＤ５１及びＤ５２あるいはダイオードＤ５３及びＤ５４に電流が流れ始めるため、通信線５０から見たインピーダンスは抵抗Ｒ５２の抵抗値となる。そして、このインピーダンスは通信線５０の特性インピーダンスと一致させることにより、インピーダンスマッチングがとられ、リンギング抑制を図っている。
【００２４】
（リンギング抑制回路５３）
図１０は特許文献２で開示されたリンギング抑制回路（その３）の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線５０を構成するＨライン通信線５０Ｈ，Ｌライン通信線５０Ｌ間にリンギング抑制回路５３を設けている。
【００２５】
リンギング抑制回路５３は（ツェナー）ダイオードＤ５５，Ｄ５６及び抵抗Ｒ５３から構成される。互いに対向して接続されるダイオードＤ５５及びＤ５６のうち、ダイオードＤ５５のアノードがＨライン通信線５０Ｈに接続され、ダイオードＤ５６のアノードが抵抗Ｒ５３の一端に接続され、抵抗Ｒ５３の他端がＬライン通信線５０Ｌに接続される。抵抗Ｒ５３の抵抗値は、通信線５０の特性インピーダンスと同じに設定される。
【００２６】
リンギング抑制回路５３は、Ｈライン通信線５０Ｈ及びＬライン通信線５０Ｌ間の電位差が、ダイオードＤ５５及びＤ５６のうち、一方のダイオードについての順方向電圧降下分と、他方のダイオードの定電圧（ツェナー電圧）との合計値を超えると、電流が流れ、通信線５０から見たインピーダンスは抵抗Ｒ５３の抵抗値となる。すなわち、インピーダンスマッチングがとられ、反射が抑制されリンギング防止効果を図ることができる。
【００２７】
しかしながら、図８〜図１０で示したリンギング抑制回路５１〜５３ではリンギング現象を効果的に抑制できていないという問題点があった。
【００２８】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
この発明に係る請求項１記載の通信システム半導体記憶装置は、基準電位に対しプラス側に電位が振れる信号線であるＨラインとマイナス側に電位が振れる信号線であるＬラインとの一対の信号線からなる伝送路と、前記伝送路に接続される通信部とを備え、前記通信部は前記一対の信号線間に電位差がある優勢信号と前記一対の信号線間に電位差がない劣勢信号とを用いて前記伝送路を介した通信が可能であり、前記Ｌライン及び前記Ｈラインに電気的に接続されて設けられるリンギング抑制回路をさらに備え、前記リンギング抑制回路は、一方電極が前記Ｈライン，他方電極が前記Ｌラインに接続されるＭＯＳトランジスタと、エミッタに所定の固定電圧が付与されるバイポーラトランジスタと、前記Ｈライン及び前記Ｌラインのうち一方ラインと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に設けられるコンデンサと、前記バイポーラトランジスタのエミッタ，ベース間に設けられる抵抗とを備え、前記リンギング抑制回路は、前記バイポーラトランジスタのオン時に、前記ＭＯＳトランジスタのオン動作用の駆動電圧が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに付与されるように接続され、前記優勢信号時に前記抵抗を介して前記所定の電位に向けて前記バイポーラトランジスタのベース電位を導き、前記優勢信号から前記劣勢信号への切り替え時に、前記一方ラインの電位変化を前記コンデンサを介して前記バイポーラトランジスタのベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、前記バイポーラトランジスタをオン動作させ、前記ＭＯＳトランジスタのゲートに前記駆動電圧を付与することにより、前記ＭＯＳトランジスタをオン動作させ前記Ｈライン，前記Ｌライン間を電気的に接続することを特徴とする。
【００３０】
請求項２の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、前記所定の固定電圧は接地電圧を含み、前記駆動電圧は電源電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、ＮＰＮ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、前記リンギング抑制回路は、前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記電源電圧を前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＰＮＰ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える。
【００３１】
請求項３の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、前記所定の固定電圧は電源電圧を含み、前記駆動電圧は接地電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、ＰＮＰ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、前記リンギング抑制回路は、前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記接地電圧を前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＮＰＮ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える。
【００３２】
請求項４の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は電源電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、前記ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される。
【００３３】
請求項５の発明は、請求項１記載の通信システムであって、前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は接地電圧を含み、前記バイポーラトランジスタは、前記ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを含み、前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される。
【発明の効果】
【００３４】
請求項１〜請求項５記載の本願発明におけるリンギング抑制回路は、上記のようにバイポーラトランジスタ、抵抗、及びコンデンサを設けることにより、ＬラインがＨラインより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＭＯＳトランジスタを介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、伝送路におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施の形態１である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図２】実施の形態１のリンギング抑制回路を設けた場合のレセッシブ切り替え時のシミュレーション結果を示す波形図である。
【図３】この発明の実施の形態２である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態３である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態４である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。
【図６】従来の通信システムの構成を示す回路図である。
【図７】リンギング現象を示す波形図である。
【図８】従来のリンギング抑制回路（その１）の構成を示す回路図である。
【図９】従来のリンギング抑制回路（その２）の構成を示す回路図である。
【図１０】従来のリンギング抑制回路（その３）の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
＜実施の形態１＞
図１はこの発明の実施の形態１である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路１を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１（主として支線４１）に相当する。
【００３７】
なお、トランシーバ回路３０は送信信号ＴｘＤをＨライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌの差動信号として出力する送信バッファ３１と、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌより得られる差動信号に基づき受信信号ＲｘＤを出力する受信バッファ３２とから構成される。トランシーバ回路３０は一般的にＥＣＵ等に内蔵される通信回路である。
【００３８】
リンギング抑制回路１はＮＭＯＳトランジスタＱ１１、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１（第１のバイポーラトランジスタ），ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２（第２のバイポーラトランジスタ）、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４及びコンデンサＣ１１，Ｃ１２から構成される。
【００３９】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベル（所定の固定電圧）に接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。
【００４０】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは抵抗Ｒ１３の一端にされるとともに電源電圧Ｖ１１（ＮＭＯＳトランジスタＱ１１用の駆動電圧（５Ｖ程度））を受け、コレクタは抵抗Ｒ１４の一端（端子Ｎ１）に接続されると共にＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。さらに、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベースが抵抗Ｒ１３の他端、コンデンサＣ１２の他方電極及び抵抗Ｒ１２の他端とそれぞれ接続される。
【００４１】
ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４の一端に接続され、抵抗Ｒ１４の他端は接地レベルに接続される。
【００４２】
リンギング抑制回路１は、Ｌライン通信線１０Ｌの電位が、Ｈライン通信線１０Ｈの電位より高くなったときに、速やかにＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１がオンし、これに連動してＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２がオン動作する。
【００４３】
その結果、電源電圧Ｖ１１がＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに付与されるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１がオン状態となり、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００４４】
以下、リンギング抑制回路１の動作を詳細に説明する。ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタ，ベース間に抵抗Ｒ１１が設けられているため、ドミナント期間ＤＴにおいて、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベース電位がエミッタ電位（接地レベル）とほぼ同電位で安定する。
【００４５】
一方、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタ，ベース間に抵抗Ｒ１３が設けられるため、ドミナント期間ＤＴにおいて、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベース電位がエミッタ電位（電源電圧Ｖ１１）とほぼ同電位で安定する。
【００４６】
また、ドミナント期間ＤＴはＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２がオフ状態であるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートには抵抗Ｒ１４を介して接地レベルが付与されることにより、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１はオフ状態となる。
【００４７】
そして、ドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時におけるＬライン通信線１０Ｌの電位上昇に伴うコンデンサＣ１１によるチャージポンプ動作により、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベース電位を速やかに立ち上げることにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１は速やかにオン状態となる。
【００４８】
すなわち、コンデンサＣ１１は、ドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時に、Ｌライン通信線１０Ｌの電位上昇をＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１を瞬時にオン状態にすることができる。その後、コンデンサＣ１１に蓄積された電荷が減り、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のベース電位がエミッタ電位に近づくため、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１はオフ状態となる。さらに、抵抗Ｒ１１を介してエミッタ電位（接地レベル）がベース電位に伝達されるため、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１はオン直後に速やか、かつ確実にオフ状態となる。
【００４９】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１がオン状態となるとＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２にベース電流が流れることにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２が速やかにオン状態となる。
【００５０】
この際、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のオン動作時におけるコンデンサＣ１２のチャージポンプ動作によりＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベース電位を速やかに立ち下げることにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のターンオン時間の短縮を図ることができる。
【００５１】
なお、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のコレクタとＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベースとの間に設けられる抵抗Ｒ１２により、過剰な電流がＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１やＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２に流れることを防止している。
【００５２】
その後、コンデンサＣ１２に蓄積された電荷が減り、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のベース電位がエミッタ電位に近づくため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２はオフ状態となる。さらに、抵抗Ｒ１３を介してエミッタ電位（電源電圧Ｖ１１）がベース電位に伝達されるため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２はオン直後に速やか、かつ確実にオフ状態となる。
【００５３】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２がオン状態になると、電源電圧Ｖ１１がＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに付与されるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ１１がオン状態となり、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間をＮＭＯＳトランジスタＱ１１により電気的に接続することにより、通信線１０に生じるリンギング現象を抑制することができる。
【００５４】
図２は図１で示した実施の形態１のリンギング抑制回路１を設けた場合のレセッシブ切り替え時のシミュレーション結果を示す波形図である。
【００５５】
図２に示すシミュレーション結果は、一例として、コンデンサＣ１１を２００ｐＦ、コンデンサＣ１２を１００ｐＦ、抵抗Ｒ１１を３ｋΩ、抵抗Ｒ１２を２ｋΩ、抵抗Ｒ１３を３ｋΩ、抵抗Ｒ１４を２ｋΩとし、ドミナント時のＨラインの電位を約３．７Ｖ、ドミナント時のＬラインの電位を約１．５Ｖ、レッセシブ時の基準電位を約２．６Ｖに設定して行っている。
【００５６】
図２において、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間の差分値、すなわち、リンギング現象を含む通信線１０上の実際の差分値を示している。
【００５７】
図２に示すように、ドミナント期間ＤＴ（２．２Ｖ）及びレセッシブ期間ＲＴ（０Ｖ）が切り替えられる際、図２の(a)に示すようにリンギング抑制回路１が無い構成でリンギングが発生する状況下において、リンギング抑制回路１を有する通信システムによるシミュレーション結果が図２の(b)である。
【００５８】
図２(b)に示すように、実施の形態１のリンギング抑制回路１は、リンギング現象を効果的に抑えることができる。
【００５９】
このように、実施の形態１のリンギング抑制回路１において、コンデンサＣ１１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＬライン通信線１０Ｌの電位上昇をＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のべース電圧の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１を速やかにオン状態にすることができ、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のオン動作に連動して、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２、及びＮＭＯＳトランジスタＱ１１をオン動作に導くことができる。
【００６０】
その結果、Ｌライン通信線１０ＬがＨライン通信線１０Ｈより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＮＭＯＳトランジスタＱ１１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【００６１】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【００６２】
＜実施の形態２＞
図３はこの発明の実施の形態２である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路２を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１に相当する。
【００６３】
なお、トランシーバ回路３０の構成は図１で示した実施の形態１と同様であるため、同一符号を附して説明を適宜省略する。
【００６４】
リンギング抑制回路２はＰＭＯＳトランジスタＱ２１、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１（第１のバイポーラトランジスタ），ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２（第２のバイポーラトランジスタ）、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４及びコンデンサＣ２１，Ｃ２２から構成される。
【００６５】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１のエミッタは抵抗Ｒ２１の一端に接続されるとともに電源電圧Ｖ２１（所定の固定電圧）に接続され、コレクタは抵抗Ｒ２２の一端及びコンデンサＣ２２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ２１の他端及びコンデンサＣ２１の一方電極に接続される。コンデンサＣ２１の他方電極はＨライン通信線１０Ｈに接続される。
【００６６】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２のエミッタは抵抗Ｒ２３の一端にされるとともに接地レベルＧ２１（ＰＭＯＳトランジスタＱ２１用の駆動電圧（０Ｖ））に接続され、コレクタは抵抗Ｒ２４の一端（端子Ｎ２）に接続されると共にＰＭＯＳトランジスタＱ２１のゲートに接続される。さらに、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２のベースは抵抗Ｒ２３の他端、コンデンサＣ２２の他方電極及び抵抗Ｒ２２の他端にそれぞれ接続される。
【００６７】
ＰＭＯＳトランジスタＱ２１のドレインはＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ソースがＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ゲートは抵抗Ｒ２４の一端に接続され、抵抗Ｒ２４の他端に電源電圧Ｖ２１が付与される。
【００６８】
リンギング抑制回路２は、Ｈライン通信線１０Ｈの電位が、Ｌライン通信線１０Ｌの電位より低くなったときに、速やかにバイポーラトランジスタＴ２１，Ｔ２２がオン動作する結果、ＰＭＯＳトランジスタＱ２１がオン状態となり、Ｌライン通信線１０Ｌ及びＨライン通信線１０Ｈ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００６９】
すなわち、リンギング抑制回路２を構成する各部（バイポーラトランジスタ及びＭＯＳトランジスタの導電型、電源，接地レベルとの接続関係、Ｈライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌの接続関係）の極性がリンギング抑制回路１と逆になっており、リンギング抑制回路１と実質的に等価なリンギング防止機能を発揮している。
【００７０】
したがって、実施の形態２のリンギング抑制回路２は、実施の形態１のリンギング抑制回路１と同様、リンギング現象を効果的に抑えることができる。
【００７１】
このように、実施の形態２のリンギング抑制回路２において、コンデンサＣ２１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＨライン通信線１０Ｈの電位変化をＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１のべース電圧の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１を速やかにオン状態にすることができ、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ２１のオン動作に連動して、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ２２、及びＰＭＯＳトランジスタＱ２１をオン動作に導くことができる。
【００７２】
その結果、Ｈライン通信線１０ＨがＬライン通信線１０Ｌより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＰＭＯＳトランジスタＱ２１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【００７３】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【００７４】
＜実施の形態３＞
図４はこの発明の実施の形態３である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路３を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１（主として支線４１）に相当する。
【００７５】
なお、トランシーバ回路３０の構成は図１で示した実施の形態１と同様であるため、同一符号を附して説明を適宜省略する。
【００７６】
リンギング抑制回路３はＮＭＯＳトランジスタＱ３１、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１，抵抗Ｒ３１，Ｒ３２及びコンデンサＣ３１から構成される。
【００７７】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のエミッタは抵抗Ｒ３１の一端に接続されるとともに電源電圧Ｖ３１（所定の固定電圧、かつＮＭＯＳトランジスタＱ３１用の駆動電圧（５Ｖ程度））に接続され、コレクタは抵抗Ｒ３２の一端及びＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートに接続され、ベースは抵抗Ｒ３１の他端及びコンデンサＣ３１の一方電極に接続される。コンデンサＣ３１の他方電極はＨライン通信線１０Ｈに接続される。
【００７８】
ＮＭＯＳトランジスタＱ３１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ゲートが抵抗Ｒ３２の一端に接続され、抵抗Ｒ３２の他端は接地レベルに接続される。
【００７９】
リンギング抑制回路３は、Ｈライン通信線１０Ｈの電位が、Ｌライン通信線１０Ｌの電位より低くなったときに、速やかにバイポーラトランジスタＴ２１がオン動作する。
【００８０】
その結果、電源電圧Ｖ３１がＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートに付与されＮＭＯＳトランジスタＱ３１がオン状態となるため、Ｌライン通信線１０Ｌ及びＨライン通信線１０Ｈ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００８１】
以下、リンギング抑制回路３の動作を詳細に説明する。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のエミッタ，ベース間に抵抗Ｒ３１が設けられているため、ドミナント期間ＤＴにおいて、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベース電位がエミッタ電位（電源電圧Ｖ３１）とほぼ同電位で安定する。
【００８２】
また、ドミナント期間ＤＴはＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１がオフ状態であるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートには抵抗Ｒ３２を介して接地レベルが付与されるため、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１はオフ状態となる。
【００８３】
そして、ドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時におけるＨライン通信線１０Ｈの電位下降に伴うコンデンサＣ３１によるチャージポンプ動作により、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベース電位を速やかに立ち下げることにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１は速やかにオン状態となる。
【００８４】
すなわち、コンデンサＣ３１はドミナント期間ＤＴからレセッシブ期間ＲＴへの切り替え時に、Ｈライン通信線１０Ｈの電位下降をＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１を瞬時にオン状態にすることができる。その後、コンデンサＣ３１に蓄積された電荷が減り、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のベース電位がエミッタ電位に近づくため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１はオフ状態となる。さらに、抵抗Ｒ３１を介してエミッタ電位（電源電圧Ｖ３１）がベース電位に伝達されるため、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１はオン直後に速やか、かつ確実にオフ状態となる。
【００８５】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１がオン状態となると電源電圧Ｖ３１がＮＭＯＳトランジスタＱ３１のゲートに付与されることにより、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１は速やかにオン状態となる。
【００８６】
その結果、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間をＮＭＯＳトランジスタＱ１１により電気的に接続することにより、通信線１０に生じるリンギング現象を抑制することができる。
【００８７】
このように、実施の形態３のリンギング抑制回路３において、コンデンサＣ３１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＨライン通信線１０Ｈの電位変化をＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のべース電圧の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１を速やかにオン状態にすることができ、ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ３１のオン動作に伴い、ＮＭＯＳトランジスタＱ３１をオン動作に導くことができる。
【００８８】
その結果、Ｈライン通信線１０ＨがＬライン通信線１０Ｌより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＮＭＯＳトランジスタＱ３１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【００８９】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【００９０】
＜実施の形態４＞
図５はこの発明の実施の形態４である通信システムにおけるリンギング抑制回路の構成を示す回路図である。同図に示すように、通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路４を設けている。通信線１０は図６で示した幹線４０及び支線４１（特に支線４１）に相当する。
【００９１】
なお、トランシーバ回路３０の構成は図１で示した実施の形態１と同様であるため、同一符号を附して説明を適宜省略する。
【００９２】
リンギング抑制回路４はＰＭＯＳトランジスタＱ４１、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１，抵抗Ｒ４１，Ｒ４２及びコンデンサＣ４１から構成される。
【００９３】
ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１のエミッタは抵抗Ｒ４１の一端に接続されるとともに接地レベルＧ４１（所定の固定電圧かつＰＭＯＳトランジスタＱ４１用の駆動電圧（０Ｖ））に接続され、コレクタは抵抗Ｒ４２の一端及びＰＭＯＳトランジスタＱ４１のゲートに接続され、ベースは抵抗Ｒ４１の他端及びコンデンサＣ４１の一方電極に接続される。コンデンサＣ４１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。
【００９４】
ＰＭＯＳトランジスタＱ４１のドレインはＬライン通信線１０Ｌに（直接）接続され、ソースがＨライン通信線１０Ｈに（直接）接続され、ゲートは抵抗Ｒ４２の一端に接続され、抵抗Ｒ４２の他端に電源電圧Ｖ４１が付与される。
【００９５】
リンギング抑制回路４は、Ｌライン通信線１０Ｌの電位が、Ｈライン通信線１０Ｈの電位より低くなったときに、速やかにバイポーラトランジスタＴ２１がオン動作する。
【００９６】
その結果、接地レベルＧ４１がＰＭＯＳトランジスタＱ４１のゲートに付与されＰＭＯＳトランジスタＱ４１がオン状態となるため、Ｈライン通信線１０Ｈ及びＬライン通信線１０Ｌ間を電気的に接続することにより、リンギング防止機能を発揮させている。
【００９７】
すなわち、リンギング抑制回路４を構成する各部（バイポーラトランジスタ及びＭＯＳトランジスタの導電型、電源，接地レベルとの接続関係、Ｈライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌの接続関係）の極性がリンギング抑制回路３と逆になっており、リンギング抑制回路３と実質的に等価なリンギング防止機能を発揮している。
【００９８】
このように、実施の形態４のリンギング抑制回路４において、コンデンサＣ４１は、優勢（ドミナント）信号から劣勢（レッセシブ）信号への切り替え時にＬライン通信線１０Ｌの電位上昇をＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１のべース電位の電位変化として瞬時に伝達することにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１を速やかにオン状態にすることができ、ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ４１のオン動作に伴い、ＰＭＯＳトランジスタＱ４１をオン動作に導くことができる。
【００９９】
その結果、Ｌライン通信線１０ＬがＨライン通信線１０Ｈより電位が高くなる異常時においても、オン状態のＰＭＯＳトランジスタＱ４１を介してＬライン，Ｈライン間を電気的に接続することにより、通信線１０におけるリンギング現象を効果的に抑制することができる。
【０１００】
したがって、通信線１０（図６で示した支線４１，幹線４０に相当）の配線長をより長くしたり、接続されるトランシーバ回路３０（ＥＣＵ等に含まれる）の数を増加させたりすることができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１〜４ リンギング抑制回路
１０ 通信線
１０Ｈ Ｈライン通信線
１０Ｌ Ｌライン通信線
３０ トランシーバ回路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電位に対しプラス側に電位が振れる信号線であるＨラインとマイナス側に電位が振れる信号線であるＬラインとの一対の信号線からなる伝送路と、
前記伝送路に接続される通信部とを備え、前記通信部は前記一対の信号線間に電位差がある優勢信号と前記一対の信号線間に電位差がない劣勢信号とを用いて前記伝送路を介した通信が可能であり、
前記Ｌライン及び前記Ｈラインに電気的に接続されて設けられるリンギング抑制回路をさらに備え、
前記リンギング抑制回路は、
一方電極が前記Ｈライン，他方電極が前記Ｌラインに接続されるＭＯＳトランジスタと、
エミッタに所定の固定電圧が付与されるバイポーラトランジスタと、
前記Ｈライン及び前記Ｌラインのうち一方ラインと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に設けられるコンデンサと、
前記バイポーラトランジスタのエミッタ，ベース間に設けられる抵抗とを備え、
前記リンギング抑制回路は、
前記バイポーラトランジスタのオン時に、前記ＭＯＳトランジスタのオン動作用の駆動電圧が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに付与されるように接続され、
前記優勢信号時に前記抵抗を介して前記所定の電位に向けて前記バイポーラトランジスタのベース電位を導き、前記優勢信号から前記劣勢信号への切り替え時に、前記一方ラインの電位変化を前記コンデンサを介して前記バイポーラトランジスタのベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、前記バイポーラトランジスタをオン動作させ、前記ＭＯＳトランジスタのゲートに前記駆動電圧を付与することにより、前記ＭＯＳトランジスタをオン動作させ前記Ｈライン，前記Ｌライン間を電気的に接続することを特徴とする、
通信システム。
【請求項２】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記所定の固定電圧は接地電圧を含み、前記駆動電圧は電源電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、ＮＰＮ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、
前記リンギング抑制回路は、
前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記電源電圧を前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＰＮＰ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える、
通信システム。
【請求項３】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記所定の固定電圧は電源電圧を含み、前記駆動電圧は接地電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、ＰＮＰ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、
前記リンギング抑制回路は、
前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記接地電圧を前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＮＰＮ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える、
通信システム。
【請求項４】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は電源電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、前記ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される、
通信システム。
【請求項５】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は接地電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、前記ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される、
通信システム。
【請求項１】
基準電位に対しプラス側に電位が振れる信号線であるＨラインとマイナス側に電位が振れる信号線であるＬラインとの一対の信号線からなる伝送路と、
前記伝送路に接続される通信部とを備え、前記通信部は前記一対の信号線間に電位差がある優勢信号と前記一対の信号線間に電位差がない劣勢信号とを用いて前記伝送路を介した通信が可能であり、
前記Ｌライン及び前記Ｈラインに電気的に接続されて設けられるリンギング抑制回路をさらに備え、
前記リンギング抑制回路は、
一方電極が前記Ｈライン，他方電極が前記Ｌラインに接続されるＭＯＳトランジスタと、
エミッタに所定の固定電圧が付与されるバイポーラトランジスタと、
前記Ｈライン及び前記Ｌラインのうち一方ラインと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に設けられるコンデンサと、
前記バイポーラトランジスタのエミッタ，ベース間に設けられる抵抗とを備え、
前記リンギング抑制回路は、
前記バイポーラトランジスタのオン時に、前記ＭＯＳトランジスタのオン動作用の駆動電圧が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに付与されるように接続され、
前記優勢信号時に前記抵抗を介して前記所定の電位に向けて前記バイポーラトランジスタのベース電位を導き、前記優勢信号から前記劣勢信号への切り替え時に、前記一方ラインの電位変化を前記コンデンサを介して前記バイポーラトランジスタのベースの電位変化として瞬時に伝達することにより、前記バイポーラトランジスタをオン動作させ、前記ＭＯＳトランジスタのゲートに前記駆動電圧を付与することにより、前記ＭＯＳトランジスタをオン動作させ前記Ｈライン，前記Ｌライン間を電気的に接続することを特徴とする、
通信システム。
【請求項２】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記所定の固定電圧は接地電圧を含み、前記駆動電圧は電源電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、ＮＰＮ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、
前記リンギング抑制回路は、
前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記電源電圧を前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＰＮＰ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える、
通信システム。
【請求項３】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記所定の固定電圧は電源電圧を含み、前記駆動電圧は接地電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、ＰＮＰ型の第１のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、
前記リンギング抑制回路は、
前記第１のバイポーラトランジスタのオン時に連動してオン動作し、オン動作時に前記接地電圧を前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートに付与すように設けられたＮＰＮ型の第２のバイポーラトランジスタをさらに備える、
通信システム。
【請求項４】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は電源電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、前記ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタを含み、前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される、
通信システム。
【請求項５】
請求項１記載の通信システムであって、
前記一方ラインは前記Ｌラインを含み、
前記他方ラインは前記Ｈラインを含み、
前記所定の固定電圧及び前記駆動電圧は接地電圧を含み、
前記バイポーラトランジスタは、前記ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを含み、
前記ＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートは前記バイポーラトランジスタのコレクタと接続される、
通信システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−４２３８４（Ｐ２０１３−４２３８４Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７８３０５（Ｐ２０１１−１７８３０５）
【出願日】平成２３年８月１７日（２０１１．８．１７）
【出願人】（３９５０１１６６５）株式会社オートネットワーク技術研究所 (2,668)
【出願人】（０００１８３４０６）住友電装株式会社 (6,135)
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１７日（２０１１．８．１７）
【出願人】（３９５０１１６６５）株式会社オートネットワーク技術研究所 (2,668)
【出願人】（０００１８３４０６）住友電装株式会社 (6,135)
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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