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国際特許分類[H03K19/0175]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路 (4,821) | 結合装置;インターフェイス装置 (1,927)

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【課題】低電圧動作を実現可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】入力電位は、GNDとVDDとの間で切り替わる。電源端子には、VDDよりも高いVDDOが印加される。レベルシフト回路は、クランプ回路と接続制御回路を備える。クランプ回路は、ソースが第1ノードに接続され、ドレインがP側出力端子に接続され、ゲートが電源端子に接続された第1NMOSトランジスタと、ソースが第1ノードに接続され、ドレインがN側出力端子に接続され、ゲートがグランド端子に接続された第1PMOSトランジスタと、を備える。入力電位がGNDとVDDの一方の場合、接続制御回路は、P側出力端子にVDDOを印加し、且つ、N側出力端子とグランド端子との間の電気的接続を遮断する。入力電位がGNDとVDDの他方の場合、接続制御回路は、N側出力端子にGNDを印加し、且つ、P側出力端子と電源端子との間の電気的接続を遮断する。 (もっと読む)


【課題】内部電源と入出力セル電源の電源投入順を考慮しなくとも、外部デバイスとの間に好ましくない貫通電流が流れない半導体装置及びそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】内部回路用駆動電源に基づいて生成される第1の入出力切り替え制御信号に基づいて入出力の動作を切り替える入出力セル回路を備えた半導体装置において、前記内部回路用駆動電源とは異なる、入出力セル回路用駆動電源と、前記内部回路用駆動電源が投入されずに入出力セル回路用駆動電源が投入されている場合には、内部回路用駆動電源及び入出力セル回路用駆動電源により生成された第2の入出力切り替え制御信号が有効となり、前記入出力セル回路の出力端子をハイインピーダンス状態とするように制御する制御回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】回路を構成するトランジスタのソース−ドレイン耐圧を維持したまま、最終段のインバータ回路の入力電圧の振幅を増大させることが可能なバッファ回路を提供する。
【解決手段】第1導電型のトランジスタから成る第1トランジスタ回路と第2導電型のトランジスタから成る第2トランジスタ回路とが、第1固定電源と第2固定電源との間に直列に接続され、且つ、各入力端同士及び各出力端同士がそれぞれ共通に接続されており、第1,第2トランジスタ回路の少なくとも一方のトランジスタ回路がダブルゲートトランジスタから成るバッファ回路において、第1,第2トランジスタ回路の一方のトランジスタ回路が動作状態のとき、他方のトランジスタ回路のダブルゲートトランジスタの共通接続ノードに第3固定電源の電圧を与えるスイッチ素子を設ける。 (もっと読む)


【課題】回路遅延の増大を抑制しながら、回路しきい値電圧のバラツキを抑制できる集積回路を提供する。
【解決手段】
集積回路1は、高位側電源VDDと出力端子OUTの間に接続されたPMOSトランジスタMP1と、低位側電源VSSと出力端子OUTの間に接続されたNMOSトランジスタMN1と、高位側電源VDDと出力端子OUTの間に直列に接続されたPMOSトランジスタMP2及びNMOSトランジスタMN3と、低位側電源VDDと出力端子OUTの間に直列に接続されたNMOSトランジスタMN2及びPMOSトランジスタMP3とを備えている。PMOSトランジスタMP1、MP2、及びNMOSトランジスタMN1、MN2のゲートが入力端子INに接続されている。また、NMOSトランジスタMN3のゲートは高位側電源に接続され、PMOSトランジスタMP3のゲートは低位側電源に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 供給電圧または動作電圧に無関係に信頼性を保証可能な出力バッファ回路の動作方法を提供する。
【解決手段】 出力バッファ回路130Aのソーシング制御回路140は、DCレベルを指示する指示信号に基づいて第1ソーシング制御信号Pg0を生成する。ソーシング制御回路140は、指示信号に基づいて第2ソーシング制御信号Pg_biasを生成する。ソーシング回路150は、第1ソーシング制御信号Pg0と第2ソーシング制御信号Pg_biasとに応じて第1電圧VDDOを出力端子151に供給する。第1シンキング回路160は、第2バッファ112から出力されたデータNgのレベルに基づいて出力端子151に接地電圧VSSを供給する。これにより、メインドライバーとして使われるPMOSトランジスタP0、P1のゲート酸化物の信頼性を保証しながら、高速で出力データをバッファリングすることができる。 (もっと読む)


【課題】分割抵抗回路で消費される消費電力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、抵抗分割回路で抵抗分割された分割電圧を受けるための入力端子と、入力端子から供給される分割電圧と、所定の基準電圧と、の電圧差を検出する検出回路と、外部から入力信号を受けるための信号入力端子と、分割電圧と入力信号の電圧を比較するカレントミラー回路と、を備え、カレントミラー回路は、検出回路が検出した電位差に応じて、カレントミラー回路に入力される分割電圧を実効的に補正する電位補正回路と、を含む。 (もっと読む)


【課題】出力信号の応答特性および消費電流を一定にする。
【解決手段】入力信号の論理に応じた電圧の出力信号を出力するドライバ回路であって、定電圧のバイアス電圧を発生する定電圧発生部と、内部に流れる定電流の電流値に応じて出力信号の振幅が定まり、バイアス電圧の電圧値に応じて出力信号の電位が定まり、入力信号の論理に応じた電圧の出力信号を出力する電流モードロジック回路と、定電圧発生部におけるバイアス電圧の出力端から、設定された電流値の定電流を流し出す調整用定電流源と、電流モードロジック回路内に流れる定電流の電流値に応じて、調整用定電流源に流す定電流の電流値を予め設定する電流設定部とを備えるドライバ回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ(10)は、複数のパッド(P11、P12)と、複数のパッド(P11、P12)と電源ライン(15、16)との間に接続された複数の静電破壊保護素子(11H、11L、12H、12L)と、複数のパッドのうち少なくとも2つのパッド(P11、P12)に現れる印加電圧(S11、S12)が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部(13)と、サージ検出部(13)の検出結果(S13)に応じてその動作が許可/禁止される内部回路(14)と、を有する。 (もっと読む)


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