【課題】差動回路の特性を損なうことなく、高速に信頼性の高いラッチ出力を行うラッチト・コンパレータを提供する。
【解決手段】ラッチト・コンパレータ（１）は、ドレイン・ソース間が、第１の電流経路上の第１のＭＯＳトランジスタ（Ｑ１）と第３のＭＯＳトランジスタ（Ｑ３）との間の第１のノード（Ｎ１）と、第２の電流経路上の第２のＭＯＳトランジスタ（Ｑ２）と第５のＭＯＳトランジスタ（Ｑ４）との間の第２のノード（Ｎ２）との間に接続されているとともに、ゲートが第１のＣＭＯＳインバータの出力に接続された、第７のＭＯＳトランジスタ（ＱＮ３）と、ドレイン・ソース間が第１のノード（Ｎ１）と第２のノード（Ｎ２）との間に接続されているとともに、ゲートが第２のＣＭＯＳインバータの出力に接続された、第８のＭＯＳトランジスタ（ＱＮ４）と、の少なくとも一方をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】共通データバスを共有する複数のローカルメモリユニットが重複してデータを転送すること、あるいは、複数のローカルメモリユニットに対して重複してデータを転送することを抑制した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリセルを含む複数のローカルメモリユニットＬＭＵ＜０＞〜ＬＭＵ＜７＞を備える。共通データバスＤＢは、複数のローカルメモリユニットに共有され、複数のローカルメモリユニットからデータを転送し、あるいは、複数のローカルメモリユニットへデータを転送する。タイミングコントローラＴ／Ｃはローカルメモリユニットの単位で配置するのではなく、インターリーブ動作を行なう単位（ローカルメモリユニットＬＭＵ＜０＞〜ＬＭＵ＜７＞のグループ）に対して1つ配置する。これにより読出しデータまたは書込みデータは、共通データバスＤＢにおいて衝突しない。 （もっと読む）

【課題】積層され、貫通電極で相互に接続された複数の半導体チップの出力インピーダンスのバラツキを抑える。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の被制御チップ１１０と、第１の被制御チップ１１０を制御する制御チップ１２０とを備える。第１の被制御チップ１１０は、第１の出力回路と同一の構成を持つ第１のレプリカ出力回路１１１と、第１のレプリカ出力回路１１１に接続される第１のＺＱ端子１１２と、第１のＺＱ端子に接続される第１の貫通電極１１３と、第１のレプリカ出力回路１１１のインピーダンスを設定する第１の制御回路１１４と、を含む。制御チップ１２０は、第１の貫通電極１１３に接続される第２のＺＱ端子１２１と、第２のＺＱ端子１２１の電圧と参照電圧Ｖｒｅｆとを比較する比較回路１２２と、比較回路１２２からの比較結果に応じて処理を行う第２の制御回路１２３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数段構成におけるソースフォロア回路において入出力レンジを確保する。
【解決手段】ソースフォロア部ＳＦ１１、ＳＦ１２間に、ゲートドレイン間がダイオード接続され且つソースフォロア部ＳＦ１１およびＳＦ１２を構成するＭＯＳトランジスタＭ１１およびＭ１２と同一チャネル種類のＭＯＳトランジスタＭ１３とそのドレインに接続された電流源Ｃ１３とからなる接続部１１を設け、前段のソースフォロア部ＳＦ１１の出力端とＭＯＳトランジスタＭ１３のソースとを接続し、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインと後段のソースフォロア部ＳＦ１２の入力端とを接続する。接続部１１における入出力間の電圧レベルのシフト方向は、ソースフォロア部ＳＦ１１、ＳＦ１２における入出力間の電圧レベルのシフト方向と逆となり、電圧シフトを打ち消す方向に作用するため、電圧レベルのシフトにより入出力レンジが狭くなることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】より少ない調整ステップでキャリブレーションを完了する。
【解決手段】出力端子（ＤＱに相当）と、出力端子と接続され、出力端子を調整可能なインピーダンスで駆動する出力回路（２１０に相当）と、出力回路のインピーダンスを段階的に調整するキャリブレーション回路（１００）と、を備え、キャリブレーション回路は、キャリブレーション動作の実行を指示するコマンドを受けて、インピーダンスの調整を開始し、インピーダンスを変化させる変化幅を、開始直後に対し以降においてより狭めるように調整する。 （もっと読む）

【課題】多くの個別素子による回路を用いることなく、容易に簡素な回路構成で端子外れ検出を行うことが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】ゲートがセンサ回路に接続され、ドレインが第１の電圧制限抵抗に接続された第１の出力ドライバと、物理量検出信号出力端子と接地端子の間に接続された第２の電圧制限抵抗と、非反転入力端子が第１の基準電圧回路に接続され、反転入力端子が前記物理量検出信号出力端子に接続され、出力が論理回路に接続された第１の比較器と、反転入力端子が第２の基準電圧回路に接続され、非反転入力端子が前記物理量検出信号出力端子に接続され、出力が論理回路に接続された第２の比較器と、ゲートが前記論理回路の出力に接続され、ドレインが断線診断信号出力端子に接続された第２の出力ドライバで構成した。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、エンファシスの有無により消費電流が変動する問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、抵抗値を、エンファシスモードにおいて第１の抵抗値とし、非エンファシスモードにおいて第１の抵抗値よりも小さな第２の抵抗値とする可変抵抗３０と、出力インピーダンスを、エンファシスモードにおいて第３の抵抗値とし、非エンファシスモードにおいて前記第３の抵抗値よりも大きな第４の抵抗値とする第１の駆動部１０と、出力インピーダンスを、エンファシスモードにおいて第５の抵抗値とし、非エンファシスモードにおいて第５の抵抗値よりも大きな第６の抵抗値とする第２の駆動部１１と、入力信号に応じて第１、第２の駆動部の導通状態を制御すると共に、エンファシスモードと非エンファシスモードとにおいて第１、第２の駆動部の出力インピーダンスと可変抵抗の抵抗値を切り換える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】２つの出力信号間のタイミングのずれを低減すること。
【解決手段】入力信号ＩＮ，ＸＩＮはトランジスタＭ１，Ｍ２のゲートに供給される。トランジスタＭ１のドレインはトランジスタＭ３のドレインとトランジスタＭ４のゲートに接続され、トランジスタＭ２のドレインはトランジスタＭ３のゲートとトランジスタＭ４のドレインに接続される。また、トランジスタＭ１，Ｍ２のドレインは差動対のトランジスタＭ１１，Ｍ１２のゲートに接続される。トランジスタＭ３，Ｍ４のソースには、ゲートにバイアス電圧ＶＢが供給されるトランジスタＭ５が接続される。トランジスタＭ１１，Ｍ１２のソースには、ゲートにバイアス電圧ＶＢが供給されるトランジスタＭ１３が接続される。 （もっと読む）

【課題】チップごとに適正な電源電圧を設定する。
【解決手段】チップのレイアウトデータ２０からクリティカルパスのゲート遅延と配線遅延の遅延比を抽出する（ステップＳ１，Ｓ２）。チップのモニタ回路で実測されたゲート遅延及び配線遅延を、その遅延比に基づき合成して第１遅延値を生成し（ステップＳ３）、モニタ回路のシミュレーションで得られるゲート遅延及び配線遅延を、その遅延比に基づき合成して第２遅延値を生成する（ステップＳ４，Ｓ５）。このようにゲート遅延、配線遅延、クリティカルパスでの遅延比が考慮された第１遅延値及び第２遅延値に基づいて、チップに適用するチップ電源電圧を設定する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】ＩｎやＺｎなどを含む酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタを、Ｐ型トランジスタのように駆動できる半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタとインバータを有し、インバータの出力はトランジスタのゲートに入力され、トランジスタのチャネル領域はＩｎ、Ｚｎ若しくはＳｎを含む酸化物半導体膜を有し、インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、インバータにハイ電圧を入力すると、インバータからロー電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにロー電圧が入力されてトランジスタはオフし、インバータにロー電圧を入力すると、インバータからハイ電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにハイ電圧が入力されてトランジスタはオンする半導体装置によって解決する。 （もっと読む）

【課題】出力インピーダンスを切り替えた場合の出力トランジスタに対する電源配線抵抗等の見かけ上の変動を抑制し、出力インピーダンスを切り替えた際の出力インピーダンスの誤差を低減する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、電源端子に接続された電源配線（１０）と、出力端子に接続された信号配線（２０）と、前記電源配線と前記信号配線との間に並列接続された複数のトランジスタ（ＴＰ１〜ＴＰ７，ＴＮ１〜ＴＮ７）と、前記複数のトランジスタのうち、特定のトランジスタ（ＴＰ４，ＴＮ４）を基準として前記電源配線および前記信号配線の長手方向において相互に対照をなす位置関係にあるトランジスタを単位として前記複数のトランジスタを選択的に活性化させる制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタが仮にディプレッション型である場合でも、安定して動作することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】開示する発明の一態様の半導体装置は、第１の電位を第１の配線に供給する機能を有する第１のトランジスタと、第２の電位を第１の配線に供給する機能を有する第２のトランジスタと、第１のトランジスタのゲートに第１のトランジスタがオンをオンにするための第３の電位を供給した後、第３の電位の供給を止める機能を有する第３のトランジスタと、第２の電位を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する第４のトランジスタと、第１の信号にオフセットを施した第２の信号を生成する機能を有する第１の回路と、を有し、第４のトランジスタのゲートには、第２の信号が入力され、第２の信号の最小値は、第２の電位未満の値である。 （もっと読む）

【課題】ソースが共通接続されそれぞれのゲートが二つの入力端子に接続さた二つのトランジスタを有する差動対を備える差動入力回路において、より適正に入力オフセットをより小さくする。
【解決手段】トランジスタＴｉｎ１，トランジスタＴｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０を接続し、トランジスタＴｉｎ１のソースおよびトランジスタＴｉｎ２のソースと接地電圧印加点ＧＮＤとの間にトランジスタＴｓｅｎを設け、論理ローレベルの電圧の制御信号ＳＥＮをスイッチング回路７０に入力すると共に制御信号Ｔｃとしてクロック信号を入力して入力端子ＩＮ１に電圧Ｖ１を印加すると共に入力端子ＩＮ２に電圧Ｖ２を印加し、検出した出力端子ＯＵＴ，ＯＵＴＢの電圧に応じてトランジスタＴｉｎ１，Ｔｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０により電源電圧Ｖｄｄｈを印加する （もっと読む）

【課題】 待機動作時のオフリーク電流を削減した論理回路を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置１００は、第１の動作電圧または第１の動作電圧よりも小さい第２の動作電圧を供給する電源供給部１１０と、電源供給部１１０から第１または第２の動作電圧を受け取る低しきい値のＰ型トランジスタＴｐと、トランジスタＴｐと基準電位との間に接続されたＮ型トランジスタＴｎとを有し、トランジスタＴｐ、Ｔｎは、ゲートに入力された信号Dinに応じて出力信号Doutを生成する論理回路を構成する。電源供給部１１０は、通常動作時、第１の動作電圧をトランジスタＴｐのソースに供給し、待機動作時、第２の動作電圧をトランジスタＴｐのソースに供給する。第２の動作電圧は、トランジスタＴｐ、Ｔｎそれぞれのゲート・ソース間電圧の振幅がトランジスタＴｐ、Ｔｎのしきい値よりも大きくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】 単極性のトランジスタを用いたデジタル回路であっても、出力信号の振幅が小さくなってしまうことを防ぎ、正常に動作する手段を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 ダイオード接続されたトランジスタ１０１がオフすることによって、トランジスタ１０２のゲートが、フローティング状態となる。そのとき、トランジスタ１０２は、オン状態にあり、そのゲート・ソース間には電位差が生じている。
トランジスタ１０２がオン状態にあるため、トランジスタ１０２のソースの電位は上昇するが、トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量によって、ゲート・ソース間の電位が保持されており、かつトランジスタ１０２のゲートはフローティングとなっているため、容量結合効果によってトランジスタ１０２のゲートの電位も上昇する。その結果、出力信号の振幅が小さくなることを防ぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】５Ｔｒ１Ｃで構成されるインバータ回路１において、トランジスタＴ２のゲートと高電圧線Ｌ３との間に接続されたトランジスタＴ４，Ｔ５と、トランジスタＴ２のゲートと低電圧線Ｌ１との間に接続されたトランジスタＴ３とのオンオフ動作により、全期間に渡ってトランジスタＴ１，Ｔ２が同時にオンしないようになっている。 （もっと読む）

【課題】入力信号の交流成分の歪み等の影響をなるべく受けることなく、本来のデューティー比（目標デューティー比）で出力信号を出力することのできるバッファ回路を提供する。
【解決手段】バッファ回路１０は、デューティー比検出部１６と直流成分生成部１７とから構成される負帰還回路部によって、入力信号増幅部１５の入出力間で出力信号ＳＯのデューティー比に応じた直流成分の信号を帰還させている。つまり、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比に応じて、入力信号ＳＩ´の直流成分をさらに小さくしたり、大きくしたりする。これにより、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比を目的デューティー比に変更した上で、その出力信号ＳＯを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】ラッチ回路の初期値が確定可能であり、出力信号の立ち上がり／立ち下がり特性の対称性に優れたレベルコンバータを提供すること。
【解決手段】シフト回路１２のラッチ回路３１を構成する第１及び第２インバータ回路３２，３３の出力端子となるノードＮ１，Ｎ２とトランジスタＴｐ１，Ｔｐ２との間に初期値設定用のＭＯＳトランジスタＴｐ３，Ｔｐ４を挿入接続した。そして、ＭＯＳトランジスタＴｐ３のゲートをグランドに接続し、ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲートを初期値設定回路３４に接続した。初期値設定回路３４は、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベル以下の場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲート電位を第２の高電位電源ＶＤＥとグランドとの間の中間電位に制御し、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベルより高い場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４をオンするようそのゲート電位をグランドレベルに制御する。 （もっと読む）

【課題】クロック源の消費電力を増大させることなく、動作クロック周波数に応じて駆動能力を変化させることにより消費電力低減可能なクロックバッファ回路を提供すること。
【解決手段】クロック信号を伝達するバッファ部１０２と、クロック信号の参照クロック信号に対する逓倍数をカウントし、バッファ部１０２に対して逓倍数に基づいたイネーブル信号を出力する駆動能力切替部１０１と、を備え、バッファ部１０２は、当該バッファ部１０２の入力に接続された入力インバータ７と、イネーブル信号によりオンオフが可能であって、それぞれの出力が当該バッファ部の出力に共通に接続された複数の出力インバータ１３〜２８と、を備え、入力インバータ７が１個のＣＭＯＳインバータからなるクロックバッファ回路。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）