【課題】占有面積が小さく、温度変化や素子のバラツキの影響を受け難く、さらに、ノイズを低減することで高品位のレベルシフトを実現することができるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、主に、第１の信号（Ｖ_ＩＮ）をレベルシフトして第２の信号（Ｖ_ｍ）を出力するレベルシフト部１０と、ｐＭＯＳトランジスタ３２ａとｎＭＯＳトランジスタ３２ｂを含み、第２の信号を反転させた第３の信号（Ｓ_１）を出力するＣＭＯＳインバータ回路部３２、偶数個のインバータ素子（第１のインバータ３３ａ〜第ｍのインバータ３３ｍ）を含み、第３の信号を遅延させた第４の信号（Ｓ_３）を生成する遅延回路部３３、論理素子を含み、第３の信号及び第４の信号が入力して第５の信号（Ｓ_５）を出力する論理回路部３４、及び第４の信号と第５の信号が入力するＤ−ＦＦ素子３５、を含む出力バッファ部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路１０は、圧電センサ２の受信信号ＳＰ及びＳＮを増幅するアンプ１５と、圧電センサ２の一端とアンプ１５の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ１１ａ及び１１ｂ（ないしは１２ａ及び１２ｂ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外部から印加された電圧のノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第１電流が流れる第１内部回路と、第２電流が流れる第２内部回路と、前記第１電流のうちの一部と前記第２電流のうちの一部は第１接地パッドに流れ、残りの前記第１電流と残りの前記第２電流は第２接地パッドに流れるように構成された電圧安定化部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。 （もっと読む）

【課題】安定な断熱的回路動作を実現し、消費電力を抑制することができる電源回路、回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電源回路２００は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第１の電源電圧ＶＰと、第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第２の電源電圧ＶＭとを出力する電圧出力回路１００と、制御信号ＳＣに基づいて電圧出力回路１００を制御する制御回路２１０と、第１の電源電圧ＶＰ及び第２の電源電圧ＶＭに基づいて制御信号ＳＣを生成して制御回路２１０に出力する制御信号生成回路２４０とを含み、制御回路２１０は、制御信号ＳＣに基づいて、電圧出力回路１００から出力される第１の電源電圧ＶＰ及び第２の電源電圧ＶＭの振幅を可変に制御する。 （もっと読む）

【課題】クロック信号の出力バッファにおいて、クロック信号の周波数に応じたスルーレートの調整を行うことによりＥＭＩノイズを抑制することが可能なスルーレートコントロール装置、およびスルーレートコントロール方法を提供すること。
【解決手段】変換ゲインＧｉに応じて、入力されるＶＣＯ入力電圧Ｖｉをクロック信号ＣＫｏに変換する電圧制御発振器１５ａを有するＰＬＬ回路２４ａと、ＶＣＯ入力電圧Ｖｉおよび変換ゲインＧｉの各々に対して正の相関関係を有する制御電流Ｉｂを出力する電圧電流変換器１９ａと、制御電流Ｉｂに応じてドライブ電流を設定するバッファ制御回路２１ａと、ドライブ電流で、クロック信号ＣＫｏを出力する出力回路２２ａとを備える。よって、クロック信号ＣＫｏの周波数ｆに比例して出力回路２２ａのドライブ能力が大きくなる関係を有し、周波数ｆに応じて好適なスルーレートが決定することができる。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で波形歪みのエネルギーを消費させ、リンギングを確実に抑制できるリンギング抑制回路を提供する。
【解決手段】一対の信号線３Ｐ，３Ｎ間に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７を接続し、制御回路１４は、伝送線路３を介して伝送される差動信号のレベルがハイからローに変化したことを検出すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７を一定期間オンさせる。すなわち、差動信号のレベルが遷移する期間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７が導通することで信号線３Ｐ，３Ｎ間のインピーダンスを大きく低下させ、差動信号波形の歪みエネルギーを吸収させてリンギングの発生を確実に抑制する。 （もっと読む）

【課題】データ送信における電圧ジッターを減少させる送信器回路を提供すること。
【解決手段】第一の電流源と、該第一の電流源と第一のノードとの間に結合されている第一のフィルタと、該第一の電流源と第二のノードとの間に結合されている第二のフィルタと、第二の電流源と、該第二の電流源と第三のノードとの間に結合されている第三のフィルタと、該第二の電流源と第四のノードとの間に結合されている第四のフィルタと、該第一のノード、該第二のノード、該第三のノードおよび該第四のノードに結合されているドライバースイッチ回路などを含む、送信器回路。 （もっと読む）

【課題】回路動作速度を犠牲にすることなく、待機時の消費電力を小さくすることが可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】同一Si基板上に少なくともソース・ゲート間又はドレイン・ゲート間に流れるトンネル電流の大きさが異なる複数種類のMOSトランジスタを設け、当該複数種類のMOSトランジスタの内、トンネル電流が大きい少なくとも１つのMOSトランジスタで構成された主回路と、トンネル電流が小さい少なくとも１つのMOSトランジスタで構成され、主回路と２つの電源の少なくとも一方の間に挿入した制御回路を有し、制御回路に供給する制御信号で主回路を構成するソース・ゲート間又はドレイン・ゲート間に電流が流れることの許容／不許容を制御し、待機時間中に主回路のINとOUTの論理レベルが異なる際のIN−OUT間リーク電流を防止するスイッチを主回路のIN又はOUTに設ける。 （もっと読む）

【課題】入力信号をレベルシフトして出力するレベルシフト回路を有しながらも、電源の電圧変動等による誤信号の出力を抑えることが可能となる信号伝達回路を提供する。
【解決手段】第１入力信号および第２入力信号の各々をレベルシフトし、それぞれ第１シフト済み信号および第２シフト済み信号として出力する、レベルシフト回路を備え、レベルシフト回路は、第１入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第１直列回路、および、第２入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第２直列回路が、電源と接地端との間において互いに並列に設けられており、第１直列回路上の電圧を第１シフト済み信号として、第２直列回路上の電圧を第２シフト済み信号として、それぞれ出力するようになっており、接地端から第１直列回路および第２直列回路に向かって逆電流が流れることを防止する、逆流防止部を備えた信号伝達回路とする。 （もっと読む）

【課題】部品を内蔵できる配線板を有する通信モジュールであって、アンテナの特性に応じて整合の調整が可能な通信モジュールおよびこれを用いたリーダライタを提供すること。
【解決手段】配線板と、配線板に備えられた通信処理用ＩＣと、通信処理用ＩＣに電気的に接続されて配線板に備えられた、外部に設けられるアンテナとの整合をとる整合回路と、を具備し、整合回路が、キャパシタまたはインダクタを少なくとも含む受動素子回路網の回路であり、該受動素子回路網を構成する回路エレメントのうちの少なくともひとつが、配線板に内蔵された第１の受動素子部品と、配線板の面上に実装された、該第１の受動素子部品と同じ種の受動素子部品である第２の受動素子部品との並列接続または直列接続でできた回路エレメントである。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】センサーデバイスからの検出信号の精度の高いＡ／Ｄ変換を実現できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、電源電圧ＶＤＤＡを生成する電源回路６０と、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡに基づいて動作し、電源電圧ＶＤＤＡにより規定されるＡ／Ｄ変換範囲で、センサーデバイス３０からの検出信号に対応する信号についてのＡ／Ｄ変換を行うＡ／Ｄ変換器ＡＤＣと、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡをセンサーデバイス３０に供給する電源端子ＰＶＤＡを含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】シングルエンド信号および差動信号を入力してシングルエンド信号を出力するときに、広帯域でノイズや歪みが少ない高品質なシングルエンド信号を出力することを目的とする。
【解決手段】信号変換装置３にパルストランス１２を用い、シングルエンド信号を入力したときには、パルストランス１２の１次入力側と２次入力側とのうちシングルエンド信号を入力した入力側および１次出力側と２次出力側とのうち何れか一方の出力側をパルストランス１２に接続し、差動信号を入力したときには、１次入力側および２次入力側との両方の入力側および１次出力側と２次出力側とのうち何れか一方の出力側をパルストランス１２に接続する制御を行っている。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】ｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加され且つ入力信号が入力されないとき第１抵抗R1を含むセット側負荷抵抗R1,R9,MP1のオン抵抗及び第２抵抗Ｒ２を含むリセット側負荷抵抗R2,R10,MP2のオン抵抗を第１抵抗及び第２抵抗よりも小さくし、トランジスタMN3がオンである場合にセット信号を生成し且つセット側負荷抵抗をリセット側負荷抵抗よりも大きくし、トランジスタMN4がオンである場合にリセット信号を生成し且つリセット側負荷抵抗をセット側負荷抵抗よりも大きくする制御部MN1,MN2,MP1,MP2,R1,R2,R9,R10、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ12を備える。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】トランジスタＭＮ３とトランジスタＭＮ４とをオン／オフさせるパルス発生回路１０、第１抵抗Ｒ１の両端に第３抵抗Ｒ９と非線形特性を有し且つ一定以上のｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加された場合にオンするダイオードＤ３〜Ｄ６とが接続された直列回路、第２抵抗Ｒ２の両端に第３抵抗と同じ抵抗値を有する第４抵抗Ｒ１０とダイオードとが接続された直列回路、ＭＮ３がオンである場合にセット信号、ＭＮ４がオンである場合にリセット信号を生成し、ＭＮ３のドレインにおける電位とＭＮ４のドレインにおける電位との間において電圧差が生じていない場合にはいずれの信号も生成しない制御部、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ１２を備える。 （もっと読む）

ＢｉＣＭＯＳプロセストランジスタを用いる混合又はハイブリッドモードドライバが、ドライバのプルアップ部の電圧に調和するプルダウン電流を生成するため電流ステアリング回路（電圧駆動差動対の代わりに）を有する。ドライバは、速度を速め、生成する出力同相電圧ゆらぎが一層小さい。回路２００が、出力端子（ＯＵＴＰ、ＯＵＴＮ）を介して電流を供給して負荷１０４を駆動するドライバ２０２（これは、電圧モードと電流モードの組み合わせを用いる）を有する。ドライバ２０２は、ＮＰＮトランジスタ（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ７、Ｑ８）、電流源（１０６、２０４、２０６）、及び電流ステアリング回路３０４を有する。電流ステアリング回路３０４は、フィードフォワード・レジスタ・キャパシタ（ＲＣ）ネットワーク（Ｒ５、Ｒ６、Ｃ２、Ｃ３）、入力ＮＰＮトランジスタ（Ｑ９、Ｑ１０）、出力ＮＰＮトランジスタ（Ｑ５、Ｑ６）、電流源（２０８、２１０）、レジスタ（Ｒｌ〜Ｒ４及びＲ７〜Ｒ８）、及びバイパスキャパシタＣ１を有する。ＮＰＮトランジスタはＰＮＰトランジスタで置き換えてもよい。
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【課題】消費電力を低減できるＰＬＤ回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】ＰＬＤ回路は、各トランジスター列が直列接続されたプログラマブルな複数のトランジスターを有する第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍを含む。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの一端に第１の非直流電源ＶＳ１が供給される。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの各トランジスター列は、複数の入力信号ＸＰ（Ｘ１Ｐ〜ＸｉＰ）、ＸＮ（Ｘ１Ｎ〜ＸｉＮ）によってオン・オフされる。第１の非直流電源ＶＳ１の電圧により規定される第１のホールド期間に、第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの他端のノードである第１〜第ｍのノードＮＡ１〜ＮＡｍの電圧レベルを各々出力する。 （もっと読む）