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Fターム[5J055EZ51]の内容

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【課題】 広帯域無線通信を行う送信機に用いられ、電源変換効率を向上させると共に、電圧レベル切替の遷移時間の影響を低減し、出力信号の歪特性を改善することができる電源回路を提供する。
【解決手段】 入力信号をプッシュプル増幅方式で増幅するプッシュプル増幅部と、制御信号によりプッシュプル増幅部に提供する電源電圧の電圧レベルを可変とする可変電源部と、入力信号に基づいて電源電圧の電圧レベルを制御する制御信号を出力するスイッチ制御部83′と、入力信号を特定の時間遅延させるタイミング制御部121を備え、スイッチ制御部83′が、制御信号の立ち上げの場合に、タイミング制御部121での遅延時間に対して電圧レベル切り替えの遷移時間に応じた早いタイミングで制御信号を立ち上げ、立ち下げの場合には遅延時間のタイミングで立ち下げる電源回路としている。 (もっと読む)


【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子LDの駆動電流を増減する駆動回路3である。差動信号の正相信号Vinpが入力される端子と、差動信号の逆相信号Vinnが入力される端子と、発光素子LDのアノードに接続されている端子と、正相信号Vinpが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Vinnが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第1及び第2の電圧制御電流源回路を備える。第1の電圧制御電流源回路には、正相信号Vinpに対応する電圧及び逆相信号Vinnの逆相に対応する電圧が入力され、第2の電圧制御電流源回路には、逆相信号Vinnに対応する電圧及び正相信号Vinpの逆相に対応する電圧が入力される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の回路ブロックへの電力供給復帰時に、無駄な充放電を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、第1電源電圧を供給する第1電源線と、第1電源電圧よりも高い第2電源電圧を供給する第2電源線と、前段回路ブロックと、前段回路ブロックの出力信号に基づいて動作する後段回路ブロックと、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに対する第1電源電圧及び第2電源電圧の供給を制御する電力供給制御回路と、を備える。電力供給制御回路は、後段回路ブロックへの第1電源電圧の供給開始タイミングを前段回路ブロックへの第1電源電圧の供給開始タイミングよりも遅延させる。更に、電力供給制御回路は、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに第1電源電圧が供給された後に、第2電源電圧を前段回路ブロックと後段回路ブロックの両方に供給する。 (もっと読む)


【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第2電源が接続される第2電源接続部、第2電源の電圧よりも高い電圧の第1電源が接続される第1電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第1電源接続部とダイオードとの間に挿入され第1電源の電圧を第2電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第2電源接続部と電源出力部との接続をオン/オフするMOSスイッチと、第1電源接続部から電源が供給され、第2電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第2電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第1電源の電圧をMOSスイッチに導通することによってMOSスイッチをオフする比較回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】不具合の発生が抑制された半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧レベルの高いHi信号、及び、該Hi信号よりも電圧レベルの低いLo信号が異なるタイミングで入力される第1入力端子と、Hi信号が常時入力される第2入力端子と、第1入力端子のHi信号によって第1動作状態、第1入力端子のLo信号によって第2動作状態に制御される素子と、を有する半導体集積回路であって、第2入力端子とグランドとの間にスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子は、第1入力端子にHi信号が入力されている時にOFF状態、第1入力端子にLo信号が入力されている時にON状態となる。 (もっと読む)


【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護(overvoltage protection)を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第1のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第1の制御信号を生成させ、また間接的に第2のスイッチングユニットを該第1のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第2のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 (もっと読む)


【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ11及びローサイドトランジスタ12と、ハイサイドトランジスタ11及びローサイドトランジスタ12のゲートを相補に駆動する2つの駆動回路21、22とを具備する。ハイサイドトランジスタ11はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ12は、ノーマリオン型トランジスタである。 (もっと読む)


【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第1パワーゲーティングセルと、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つと連結される少なくとも1つの第2パワーゲーティングセルと、第2パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第3パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第3パワーゲーティングセルのうち、先端の第3パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第4パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つ、第2及び第3パワーゲーティングセルを経て第4パワーゲーティングセルに伝達され、第1ないし第4パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 (もっと読む)


【課題】外部から印加された電圧のノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第1電流が流れる第1内部回路と、第2電流が流れる第2内部回路と、前記第1電流のうちの一部と前記第2電流のうちの一部は第1接地パッドに流れ、残りの前記第1電流と残りの前記第2電流は第2接地パッドに流れるように構成された電圧安定化部とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】NPNバイポーラトランジスタT11のエミッタは抵抗R11の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗R12の一端及びコンデンサC12の一方電極に接続され、ベースは抵抗R11の他端及びコンデンサC11の一方電極に接続される。コンデンサC11の他方電極はLライン通信線10Lに接続される。PNPバイポーラトランジスタT12のエミッタは電源電圧V11を受け、コレクタはNMOSトランジスタQ11のゲートに接続される。NMOSトランジスタQ11のドレインはHライン通信線10Hに接続され、ソースがLライン通信線10Lに接続され、ゲートは抵抗R14を介して接地される。 (もっと読む)


【課題】体格及びコストの増大が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】直流電源とグランドとの間に直列接続された2つの単位回路と、単位回路を制御する制御部と、を備え、2つの単位回路の中点に誘導性負荷が接続された半導体装置であって、2つの単位回路それぞれは、第1スイッチ素子と、第1スイッチ素子と逆並列接続された還流ダイオードと、還流ダイオードと第1スイッチ素子それぞれと並列接続されたバイパス部と、を有し、バイパス部は、直列接続された第2スイッチ素子及び抵抗を有し、制御部は、2つの単位回路の第1スイッチ素子をOFF状態にするデッド期間を挟んで、2つの第1スイッチ素子を交互にON状態とし、デッド期間において、一方の第1スイッチ素子がOFF状態からON状態に移行するまで、一方の第1スイッチ素子と並列接続された第2スイッチ素子をON状態にする。 (もっと読む)


【課題】InやZnなどを含む酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタを、P型トランジスタのように駆動できる半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタとインバータを有し、インバータの出力はトランジスタのゲートに入力され、トランジスタのチャネル領域はIn、Zn若しくはSnを含む酸化物半導体膜を有し、インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、インバータにハイ電圧を入力すると、インバータからロー電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにロー電圧が入力されてトランジスタはオフし、インバータにロー電圧を入力すると、インバータからハイ電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにハイ電圧が入力されてトランジスタはオンする半導体装置によって解決する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧が変動しても半導体デバイスのオン動作及びオフ動作を安定して駆動できる半導体デバイス駆動回路を得る。
【解決手段】ドライブ回路10は、入力回路11より得られる制御信号S11に基づき、インバータG4から電源電圧VCCにより決定される“H”(オンレベル)、あるいは接地電圧GNDにより決定される“L”(オフレベル)の出力電圧VOUT1を駆動信号として半導体デバイスQ1のゲートに出力する。基準電源部14は抵抗R1及びR2の直列接続により、電源電圧VCC,接地電圧GND間の電位差を所定の分圧比率(抵抗R1及びR2による抵抗比)で分圧して得られる電圧が基準電圧VREF1として得られる。バッファ回路8は基準電圧VREF1により決定される基準信号となる出力電圧VOUT2を半導体デバイスQ1のソースに付与する。 (もっと読む)


【課題】絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、制御信号Vinを遅延させて得られる遅延信号を、PMOS1及びNMOS2のゲート端子に出力する遅延回路19を備える。NMOS4が、第2出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング(t2)は、PMOS1が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング(t2)よりも遅くなく、かつ、PMOS3が、第1出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング(t7)は、NMOS2が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング(t7)よりも遅くない。 (もっと読む)


【課題】動作モード切り換え時におけるノイズを抑制する。
【解決手段】差動入力バッファ1は、動作モードを通常状態又は省電力状態のいずれかに切り換える電源回路MN1,MN2と、ソースフォロア回路を構成する半導体素子MP1,MP3及びMP2,MP4のそれぞれの寄生容量の合計である第1の寄生容量に対応する第2の寄生容量を有する半導体素子MP7,MP8により構成されるダミー回路とを有し、動作モードの切り換え時に第1の寄生容量に起因して発生する電流の流通方向と、動作モードの切り換え時に第2の寄生容量に起因して発生する電流の流通方向とが共通の配線において相反する構成を有する。 (もっと読む)


【課題】屋外装置が一般の購入品である場合は屋内装置との接続正誤確認のために特別な加工を必要とする。
【解決手段】屋外装置17,18は送信装置または受信装置であって異なる電源入力条件を採り得る。屋外装置17,18とケーブルで接続された屋内装置16に設けられた誤接続防止回路1は、ケーブル接続の誤りを内部回路の切替えにより自動的に修正する。セレクタ1〜4は電源入力条件に適合するように屋外装置17,18への電源6,7および電源供給経路を選択し、セレクタ3,4は屋内装置16の中核部(不図示)との間の送受信と整合するように屋外装置17,18との信号接続経路を選択する。信号接続経路は電源供給経路の一部を形成する。 (もっと読む)


【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードN1,N2間に直列接続された高耐圧、高GmのトランジスタQ1および低耐圧、低GmのトランジスタQ2と、トランジスタQ2に並列接続された低耐圧、高GmのトランジスタQ3とを含む。トランジスタQ2をオンさせるとトランジスタQ1がオンし、さらにトランジスタQ3をオンさせるとノードN1,N2間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタQ2をオンさせて高耐圧のトランジスタQ1をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 (もっと読む)


【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ1hの出力が入力される温度検出端子14a〜14cを利用し、クランプ回路5a〜5cや温度検出回路7a〜7cの一部がパワーモジュール1に接続されないときには温度検出端子14a〜14cの電位に基づいて温度センサ1hが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子14a〜14cのうち温度センサ1hに接続されない端子に断線検出無効化閾値Vth3以上の電圧を印加することで、温度検出端子14a〜14cが温度センサ1hに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路5a〜5cに接続されるクランプ端子11a〜11cの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子14a〜14cの電位に応じて判定できる。 (もっと読む)


【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ3は、前記スイッチポートを切替える制御信号CNTに応答し、スイッチ7を制御するためのスイッチ制御信号SWCNTを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号SWCNTに応答し、スイッチ切替え検出信号t_swを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号t_swに応答し、周波数制御信号ICONT、CCONTを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ICONT、CCONTに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を2つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号NVG_OUTを生成し、スイッチ7は、スイッチ制御信号SWCNTと前記負電圧出力信号NVG_OUTに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 (もっと読む)


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