【課題】被監視電圧を効率的に監視でき、かつ、自由度の高いコンパレータを備えたマイクロコンピュータを提供する。
【解決手段】被監視電圧を第１の基準電圧と比較する第１のコンパレータと、被監視電圧を第２の基準電圧と比較する第２のコンパレータと、第１のコンパレータと第２のコンパレータによって並行して被監視電圧を監視し、あらかじめ設定した条件に達したときに割込み信号を発生する割込み制御回路と、を備える。さらに、第１、第２の基準電圧を設定するＤ／Ａコンバータや第１、第２のコンパレータによってセット、リセットされるフリップフロップ回路を設け、フリップフロップ回路により割込みを発生させてもよい。 （もっと読む）

【課題】負荷電流が大なる場合でも損失電力を小とし、システム全体を小型化し、その上電力効率も上げ得る負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】信号源（４）と、信号源（４）よりの入力信号と負荷電流検出部（Ｒ３）よりの検出信号とを受けて差演算を行い、その出力をＯＰアンプ（１）の非反転入力端子に入力する演算回路（８）と、前記入力信号を受け、その極性に応じて、正又は負のコントロール信号を出力する可変／固定電圧選択回路（５）と、この可変／固定電圧選択回路からの正のコントロール信号を受けて所定の正電源電圧をＮＰＮ型トランジスタ（Ｑ１）に供給する第１の電源供給部（６）と、可変／固定電圧選択回路からの負のコントロール信号を受けて所定の負電源電圧をＰＮＰ型トランジスタ（Ｑ２）に供給する第２の電源供給部（７）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＭ−ＣＣＤの電荷増倍電極を駆動するＰｃｈＭＯＳＦＥＴのゲート駆動振幅を確保した上で、ＭＯＳＦＥＴのチャージ電荷量Ｑｇを短時間でを引き抜き、かつＱｇを引き抜く時間分、ターンオンの位相を遅らし、ＭＯＳＦＥＴの導通期間を短く非導通期間を短く保つ。
【解決手段】相補のＭＯＳＦＥＴのゲートとその駆動回路を容量結合しダイオードで直流再生したスイッチング回路において、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴのゲートを駆動する５．５Ｖ電源のアンバッファ反転論理ＣＭＯＳＩＣの入力電圧を接地方向にシフトさせ、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴのゲートを駆動する４．５Ｖ電圧のアンバッファ反転論理ＣＭＯＳＩＣの入力電圧を正電源方向にシフトさせ、ＥＭ−ＣＣＤの電荷増倍電極の電圧振幅と上記シフト電圧とを連動させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下した場合でも、制御対象とする半導体素子を適切に制御することができる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】電圧付与回路１８は、電源電圧Ｖccを所定の閾値電圧Ｖthと比較して、Ｖcc≦Ｖthであれば、プリドライブ回路２のグランド側端子にグランドレベル近傍の電圧である仮想グランド電圧Ｖcpを付与し、Ｖcc＞Ｖthであれば、前記グランド側端子に電源電圧Ｖccとクランプ制御用電圧Ｖgsとの差電圧を付与する。 （もっと読む）

【課題】 単一の低い電圧で動作が可能なスイッチ回路を提供する。
【解決手段】 第１の端子Ｔ1が、コンデンサＣ11を通じて、バックゲートが分離されたＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のドレイン（あるいはソース）に接続される。ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のソース（あるいはドレイン）が第２の端子Ｔ2に接続される。バックゲートがソース（あるいはドレイン）に接続される。ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のゲートに制御電圧ＶGが供給されるとともに、この制御電圧ＶGの極性を反転した電圧が抵抗素子Ｒ12を通じてドレインに供給される。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を吸収するに際しても発熱が生じるのを防止するようにした誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】外部供給電源１２と誘導性負荷１４の間に介挿される第１のスイッチング素子２８、誘導性負荷１４とアース２４の間に介挿される第２のスイッチング素子３０、第１のスイッチング素子２８と誘導性負荷１４との間で分岐してアース２４に接続される電路４０を有すると共に、第１のスイッチング素子２８がオフ、第２のスイッチング素子３０がオンされるとき、誘導性負荷１４の逆起電圧によって生じる逆起電流をアース２４に還流させる還流回路１８、さらに誘導性負荷１４と第２のスイッチング素子３０との間で分岐して外部供給電源１２に接続される電路４４を有すると共に、第１、第２のスイッチング素子２８，３０がオフされるとき、逆起電流を外部供給電源１２に還元する逆起電流還元回路２０を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】オフ状態における高周波信号の絶縁性を向上すると共に、オン状態における挿入損失および線形性を損なわない高周波スイッチ装置を提供する。
【解決手段】高周波信号を入出力する第１の端子、第２の端子と、制御電圧を印加する第３の端子１０５、および第３の端子１０５にハイレベル電圧もしくはローレベル電圧を選択的に印加して、ソース・ドレイン間を電気的に導通もしくは遮断するスイッチトランジスタ１０１を備え、スイッチトランジスタ１０１のゲート１０５と第４の端子１０６に接続され、第５の端子１０７に印加された電圧によって抵抗値の制御をすることのできる可変抵抗装置１０２により構成され、可変抵抗装置１０２はスイッチトランジスタ１０１のオン、オフ状態に応じてその抵抗値を変化させることを特徴とする高周波スイッチ装置。 （もっと読む）

【課題】レギュレータの熱放散の問題を低減する。
【解決手段】パルス送信機のリニア・レギュレータに供給される電圧をレギュレータの温度、送信に要する最小電圧および具体的な航空機計装条件にしたがって変え、それによってレギュレータの熱放散の問題を低減するシステム。 （もっと読む）

【課題】 過電圧を抑制しながら、小型化、低コスト化を達成することができる電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 オン状態またはオフ状態のＩＧＢＴ３のゲート３ｇに、それぞれ所定のオフ用電圧値Ｖｏｆｆまたはオン用電圧値Ｖｏｎをゲート回路７から入力することによってオン、オフ制御を行うようにしたＩＧＢＴ３の駆動方法で、一方の状態から他方の状態へ切り替える時、ゲート回路７からゲート３ｇに、先ず、オン用電圧値Ｖｏｎまたはオフ用電圧値Ｖｏｆｆの一方の電圧値からオン用電圧値Ｖｏｎとオフ用電圧値Ｖｏｆｆの間の所定中間電圧値まで所定の時間をかけて漸次変化するよう電圧値を入力し、その後、他方の電圧値を入力することによりオン、オフ制御を行う。 （もっと読む）

本発明は、第１の端子（１２）、第２の端子（１４）およびこれらの第１の端子（１２）と第２の端子（１４）との間に流れる電流（ｉ_D）を調整する制御端子（１６）とを有するトランジスタ（１０）、さらに第１の端子（１２）および第２の端子（１４）に印加される差電圧（ｕ_DS）に依存して制御端子（１６）にトランジスタ制御電圧（ｕ_GS）を印加する信号処理装置（２２）、ならびにこの信号処理装置（２２）に対応付けられており、且つ少なくとも２つの動作モードを切り換える制御装置（２３）とを有するトランジスタ回路装置（１）に関する。インバータ信号（ｕ_WR）はｕ_WR＝０である場合に、ｕ_DS＜０であればトランジスタ（１０）を導通させ、ｕ_DS＞０であればトランジスタ（１０）を遮断するよう指示する。ｕ_WR＝ｕ＾_WRであればトランジスタは持続的に導通される。
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