【課題】ペルチェ素子を加熱および冷却を切替えて使用する。
【解決手段】一端が負荷と接続され、他端が負荷を駆動する駆動用電源と接続され、少なくとも、入力端子に入力される第１の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第１のスイッチング素子と、一端が負荷および第１のスイッチング素子の一端と接続され、他端が基準電位と接続され、第２の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第２のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子がオフ状態である場合に、第１のスイッチング素子の入力端子に電圧を供給する電圧供給部と、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のそれぞれに供給し、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子とを交互にオン・オフ動作させる制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、コネクタに接続されたチャージャーの種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、ＶＢＵＳ端子への外部からの給電を検出する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の電圧を検出することにより、チャージャーの種類を特定する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の少なくとも一方のオープン、プルアップ、プルダウンまたは両端子間のショートを検出する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、かつ消費電力の小さい無線通信装置及び高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】無線通信装置１００は、共用アンテナ１０１と、整合回路１１０、１２０と、高周波スイッチ回路１３０と、充電電力受電回路１４０と、応答器１５０と、から構成される。高周波スイッチ回路１３０は、電界効果トランジスタ１３１、１３２と、検波回路と、を備える。電界効果トランジスタ１３１、１３２のソース端子は共通接続される。検波回路は共通接続点に接続され、電界効果トランジスタ１３１のドレイン端子から出力された高周波信号を検波し、共通接続点の電位を基準とした検波電圧を電界効果トランジスタ１３１、１３２のゲート端子に印加する。電界効果トランジスタ１３１、１３２のドレイン端子間のインピーダンスは検波電圧に従って変化する。 （もっと読む）

【課題】部品点数の増加や出力効率の低下、セットのコストアップ、モノリシックＩＣで実現する場合のチップ面積の増大を低減できる、スイッチ駆動装置用地絡保護回路の提供。
【解決手段】ブートストラップ回路Ｄ１、Ｃ１の充電電流ＩＢが流れる経路上に設けられたセンス抵抗Ｒ３と、センス抵抗Ｒ３の両端間電圧ΔＶと所定の閾値電圧Ｖｔｈとを比較して地絡保護信号Ｓ１を生成するコンパレータ３６１と、前記ブートストラップ回路の正規充電動作中には地絡保護信号Ｓ１を無効としておく論理ゲート３６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】過大電流による素子の破壊を防止することができる、半導体回路、半導体装置、及び電池監視システムを提供する。
【解決手段】短絡保護回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ３により短絡状態の場合は、電源電圧ＶＤＤからＦＥＴゲート電圧出力端子ＦＥＴ＿ＰＡＤ（外部ＦＥＴ０）に電流が流れる経路をＰＭＯＳトランジスタＭＰ０及び短絡電流検出用抵抗素子Ｒ０を経由する経路から、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及び抵抗素子Ｒｐｕを経由する抵抗値が大きい経路に切り替えるため、短絡電流を制限することができ、従って、短絡により、電池監視ＩＣ１４が破壊されるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電気負荷に電流を流す複数の各トランジスタが設けられている並列な通電用配線の断線を、各トランジスタに大きな電流負担をかけることなく、また電気負荷への通電を中断してしまうことなく検出する。
【解決手段】トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によりリレーのコイル１３ａに通電する装置１１では、コイル１３ａへの通電期間中に、電圧変動制御部３１が、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２へのゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２の両方を定期的に所定時間だけ低下させることにより、両トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の通電能力が落ちてドレイン・ソース間電圧が所定値以上になる検査用期間を発生させ、該検査用期間中に、故障判定部３２が、各トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のドレイン・ソース間電圧を監視し、ドレイン・ソース間電圧が判定値未満のトランジスタがあれば、該トランジスタが設けられている通電用配線の反負荷側部分（ＬＤ１又はＬＤ２）が断線していると判定する。 （もっと読む）

【課題】電気負荷に電流を流す複数の各トランジスタが設けられている並列な通電用配線の断線を、各トランジスタに大きな電流負担をかけることなく、また電気負荷への通電を中断してしまうことなく検出する。
【解決手段】２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によりリレーのコイル１３ａに通電するＥＣＵ１１では、コイル１３ａへの通電期間中に、電圧変動制御部３１が、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２へのゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２の各々を定期的に且つ互いに時間をずらして所定時間だけ低下させることにより、一方のトランジスタの通電能力が落ちてドレイン・ソース間電圧が所定値以上になる期間を発生させる。そして、故障判定部３２は、各トランジスタのソース電圧ＶＳ１，ＶＳ２の差が所定の閾値以上になったことを検知すると、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられている通電用配線Ｌ１，Ｌ２の負荷側部分ＬＳ１，ＬＳ２の何れかが断線していると判断する。 （もっと読む）

【課題】非反転増幅によるＦＥＴドライブ回路を提供する。
【解決手段】第１基準電圧出力部と、入力端子および第１基準電圧出力部の間に位置する第１端子および第２端子の間に設けられ、第１端子から第２端子へと流れる電流に応じて電圧を降下させる第１電圧降下部と、第１端子および出力端子の間に接続された第１電流源と、第２基準電圧を出力する第２基準電圧出力部と、出力端子および第２端子の間に設けられ、第２基準電圧と第２端子の電圧との差に応じてオンまたはオフとなる第１スイッチ部と、第１スイッチ部がオンおよびオフの状態における第１電圧降下部が降下させる電圧の変化を補償する補償部と、を備える駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電源回路における回路素子の破壊を防止することが可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】誘導性負荷駆動装置の構成として、電源回路の出力端子と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源回路の出力端子に回生させる逆起電流回生回路と、前記電源回路の出力電圧が予め設定された閾値以上となった場合に、前記第２のスイッチング素子をオンにする回路素子保護回路と、を備えた構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】より簡易的な構成で半導体スイッチを駆動する回路を実現する。
【解決手段】充放電切替回路１１は、プラス側の電力線に挿入される半導体スイッチ１２−１および１２−２と、入力側の端子に入力される入力電圧を、所定の出力電圧に変換して出力側の端子から出力する絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２とを備える。そして、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のマイナス端子がプラス側の電力線に接続され、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のプラス端子が半導体スイッチ１２−１および１２−２の開閉を制御する端子に接続される。本発明は、例えば、高電圧の電源の充放電を制御する回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電圧の低下量が大きくなった場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとドレインとの間にコンデンサＣ１を設けることにより、点Ｐ１の電圧Ｖ１が減少した場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電流がコンデンサＣ１側にバイパスしてＦＥＴ（Ｔ１）に流れ、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに供給される電荷量が低減する。このため、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流の増加を抑制でき、電圧Ｖ１の急激な変動を防止できる。その結果、比較器ＣＭＰ１が作動不能となる程度まで電圧Ｖ１が低下することを防止でき、比較器ＣＭＰ１が誤動作することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策用のコンデンサＣ１を設置した場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】プラス端子Ｐ１１とマイナス端子Ｐ１２より電力が供給されて駆動する制御回路１０により、ＦＥＴ（Ｔ１）のオン、オフを切り替えて、負荷ＲＬの駆動、停止を制御する場合に、マイナス端子Ｐ１２とグランドとを接続するアース線に、抵抗Ｒ５とダイオードＤ１の並列接続回路を設ける。従って、入力スイッチＳＷ１の投入時にプラス端子１１とマイナス端子１２の間に配置されたコンデンサＣ１の放電電流Ｉ２が流れる場合であっても、抵抗Ｒ５の電圧降下ＶＲ５によりマイナス端子Ｐ１２の電圧をグランドレベルよりも相対的に低くすることができ、コンデンサＣ１の両端電圧ＶＣ１を拡大させて、放電電流Ｉ２を抑制し、電圧Ｖ１の低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策用のコンデンサＣ１を設置した場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとドレインとの間に第２のコンデンサＣ２を設けることにより、点Ｐ１の電圧Ｖ１が減少した場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電流がコンデンサＣ２側にバイパスしてＦＥＴ（Ｔ１）に流れ、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに供給される電荷量が低減する。このため、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流の増加を抑制でき、電圧Ｖ１の急激な変動を防止できる。その結果、比較器ＣＭＰ１が作動不能となる程度まで電圧Ｖ１が低下することを防止でき、比較器ＣＭＰ１が誤動作することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】コモンノイズを低減する。
【解決手段】半導体装置１０は、直列に接続された半導体スイッチング素子１１，１２と、正極端子１３と、負極端子１４と、出力端子１５とを具備する半導体モジュール１６と、半導体モジュール１６に絶縁されたボディ１７とを備える。ボディ１７と、各端子１３，１５，１４およびデバイスとの間の各浮遊容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ０と、ボディ１７の浮遊インダクタンスＬｂと、コモンノイズの電流経路に応じた角速度ωとに対して、
［１／（ω・Ｃ１）＜｛ω・Ｌｂ＋１／（ω・Ｃ０）｝］と、［１／（ω・Ｃ３）＜｛ω・Ｌｂ＋１／（ω・Ｃ０）｝］と、（Ｃ２＜Ｃ１）と、（Ｃ２＜Ｃ３）とを満たす。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの過電流を簡略な回路構成で抑制する。
【解決手段】半導体集積回路装置７０の過電流保護回路３０には、過電流検出部１と過電流制御部２が設けられる。過電流検出部１には、電流源１１乃至１３、ＮＰＮトランジスタＱ１乃至Ｑ３が設けられる。ＮＰＮトランジスタＱ１及びＮＰＮトランジスタＱ２は第１のカレントミラー回路を構成し、ＮＰＮトランジスタＱ２のコレクタ側から過電流検出信号Ｓｋｋを出力する。ＮＰＮトランジスタＱ１及びＮＰＮトランジスタＱ３は、第２のカレントミラー回路を構成し、ＮＰＮトランジスタＱ３のコレクタ側から過電流制御信号Ｓｋｓを過電流制御部２に出力する。過電流保護回路３０は、出力トランジスタＭＤＴ１に流れる過電流を出力トランジスタＭＤＴ１のソースと抵抗Ｒ１の間で検出して、過電流を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
内部電源電圧を遮断するパワーダウンモードへの移行を誤動作無く確実に実行するパワーダウンモードの移行シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧から降圧してシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する第１の内部回路３０と、電源電圧を供給されて動作する入出力回路２４と、第１の内部回路３０からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換するレベルシフタ２３と、システム電圧発生回路１０を制御する制御回路４０とを備え、制御回路４０は起動信号Ｐ４を入力し、この起動信号に所定の遅延時間を与えた短絡制御信号Ｐ５を出力する遅延回路１００を有し、起動信号はレベルシフタ２３を非活性又は活性として制御し、短絡制御信号はシステム電圧発生回路１０を停止状態又は動作状態として制御する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴをオン状態に維持するための電流を従来よりも低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１１のソースは、ヒューズ２を介してバッテリ電圧＋Ｖに接続され、ＦＥＴ１１のドレインには電気負荷１を接続してある。ＦＥＴ１１のゲートには、コンデンサ１２１と抵抗１２２で構成される直列回路１２のコンデンサ１２１と抵抗１２２との接続ノードが接続されている。直列回路１２には、ＦＥＴ１４を直列に接続している。コンデンサ１２１の両端には、ＦＥＴ１５のソース、ドレインが接続されている。ＦＥＴ１５のゲートには、抵抗１６と抵抗１８との接続ノードが接続されている。抵抗１７には、ＦＥＴ１８を接続している。 （もっと読む）

回路が、電力トランジスタ４８、駆動制御回路１６、可変クランプ回路２４、およびターンオフ制御回路１８を有する。電力トランジスタが、第１電源端子に接続される第１電流電極、回路の出力５０としての第２電流電極、および制御電極を有する。駆動制御回路が、電力トランジスタの制御電極に接続される出力を有して、回路のアクティブモードの間、電力トランジスタを制御する。可変クランプ回路は、回路の出力と第１電源端子との間に接続される。ターンオフ制御回路は、可変クランプ回路に接続され、回路をアクティブモードから非アクティブモードに移行する間、可変クランプ回路のクランプレベルを選択する。
（もっと読む）

【課題】 受信機が受信するノイズを低減することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 パワートランジスタＭ１を駆動して負荷５を作動させる駆動電圧波形を生成するスイッチング回路１において、ラジオ受信機７が受信している送信局の周波数を検出する受信周波数検出部３３と、負荷５を制御する制御パルスを生成する制御パルス生成部と、駆動電圧の変位により生じる高調波のスペクトル包絡線の谷部が、ラジオ受信機７が受信している送信局の周波数を含むように駆動電圧波形の立ち上がり部分と立ち下がり部分の波形を生成する最適波形記憶部３２と、最適波形記憶部３２が生成した駆動電圧波形の立ち上がり部分と立ち下がり部分の波形を、制御パルスに適用して駆動波形を生成する波形生成部３１とを備えた。 （もっと読む）