【課題】指針によるモード表示の持つ認識性とデザイン性を維持しつつ、タッチスイッチの持つ直感的で簡便なモード操作を実現する。
【解決手段】タッチスイッチ７を用いて予め定められた互いに異なる直線方向のいずれかの方向の軌跡を描く操作が行われたか否かを判断する判断手段１０を設け、文字板３に表記されたモード表示名９を構成する文字や記号の一部に、予め定められた互いに異なる直線方向を示す矢印を重ね合わせ、文字や記号と矢印とを視認可能に形成した。 （もっと読む）

【課題】従来の様に未反応の化合物による配向不良や、経済的に不利になる添加剤を多く添加することなく、強酸性物質を生成するカチオン重合開始剤を添加することなく、熱衝撃が加わってもクラックを生じない液晶（エンド）シール剤およびこれを用いた液晶パネルを提供する。
【解決手段】
少なくとも（A）ビスフェノールF（A)型エポキシ樹脂のジ（メタ）アクリレートと、（B）ビスフェノールF(A)のエチレン（プロピレン）オキサイド付加物のジ(メタ）アクリレートと、（C）ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ）アクリレートから選ばれる1種以上の(メタ）アクリレートと（D）光重合開始剤（ビス（２，４，６-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド）、2-ヒドロキシ−２メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを液晶（エンド）シール剤に用いて液晶パネルを作ることでできる。 （もっと読む）

【課題】傷がつき難く、可動部を有する分子構造の樹脂であっても変形時に隙間を発生せず十分な防水性能を有する時計用パッキング組成物およびこれを用いた防水信頼性の高い時計を提供する。
【解決手段】表面に少なくとも（Ａ）2−ヒドロキシプロピル化アダマンタンポリロタキサンーグラフトーポリカプロラクトン 分子量約６００，０００） ［〔Ｈ（Ｃ₆Ｈ₁₀Ｏ₂）ｎ〕ｙ（Ｃ₃₆＋３ｚＨ₆₀＋７ｚｙＯ₃₀＋Ｚ）］〔（Ｃ₁₀Ｈ₁₅）（ＮＨＣＯＣＨ₂Ｏ）（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）ｎ（ＣＨ₂ＣＯＮＨ）（Ｃ₁₀Ｈ₁₅）〕とイソシアネート化合物と、ポリオールまたは／およびフィラーとからなる層を有する時計用パッキング組成物を用いて時計を作成する。 （もっと読む）

【課題】容易に強度調整ができ、硫黄やリン等の化合物を添加剤として用いることなく、製造方法が容易で、経済的に有利で、加工時に揮発して加工不良が発生することの無い時計用Ｃリング加工油組成物とその製造方法および、これを用いて加工した時計用Ｃリングと時計を提供すること。
【解決手段】（Ａ）炭素数が２６の飽和炭化水素ワックスの水素を平均２１個以上２４個以下を塩素で置換した塩素化炭化水素化合物と、（Ｂ）炭素数が１４の直鎖飽和炭化水素の水素を平均５個以上７個以下を塩素で置換した塩素化炭化水素化合物とを含有し、（Ａ）に対する（Ｂ）の含有量が、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることを特徴とする時計用Ｃリング加工油組成物を、（Ｂ）を４０℃以上１１０℃以下に加温し、つづいて（Ａ）を添加して攪拌することで溶解して得て、時計用Ｃリング加工して得て、これを用いて時計を製造する。 （もっと読む）

【課題】傷がつき難く、バンドが切れることが無く、バンドを装着した時に離脱することの無い長期信頼性の高い時計用バンド組成物と、前記時計用バンド組成物を用いた時計を提供する。
【解決手段】表面に少なくとも（Ａ）2−ヒドロキシプロピル化アダマンタンポリロタキサンーグラフトーポリカプロラクトン 分子量約６００，０００） ［〔Ｈ（Ｃ₆Ｈ₁₀Ｏ₂）ｎ〕ｙ（Ｃ₃₆＋３ｚＨ₆₀＋７ｚｙＯ₃₀＋Ｚ）］〔（Ｃ₁₀Ｈ₁₅）（ＮＨＣＯＣＨ₂Ｏ）（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）ｎ（ＣＨ₂ＣＯＮＨ）（Ｃ₁₀Ｈ₁₅）〕とイソシアネート化合物と、アルコールまたは／およびフィラーとからなる層を有する時計用バンド組成物を用いて時計を作成する。 （もっと読む）

【課題】運針による重負荷を軽減することができる。
【解決手段】受信禁止モードにおいて、受信禁止モードを表示するとともに、受信許可モードにおいて、電池充電量を表示する。充電量表示は、第１の所定位置９０１ｄを指示することによって、電池充電量がフル状態であることを表示し、第２の所定位置９０１ａを指示することによって、電池充電量が空状態であることを表示し、第３の所定位置７０７を指示することによって、受信禁止モードを表示し、第１の所定位置９０１ｄ、第２の所定位置９０１ａ、第３の所定位置７０７の順にならべて配置するとともに、第２の所定位置９０１ａと第３の所定位置７０７との間の距離が、第１の所定距離９０１ｄと第３の所定位置７０７との間の距離より短いこと。 （もっと読む）

【課題】データ保持時間を、マスクＲＯＭと同様の無限大とすることができる、長期にわたりデータを保持できる信頼性の高いＥＥＰＲＯＭを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、所定のセンスレベルに対して熱平衡状態しきい値電圧が正方向である第１の不揮発性半導体記憶素子１００に正のデータを記憶し、熱平衡状態しきい値電圧が負方向である第２の不揮発性半導体記憶素子２００に負のデータを記憶することでデータ保持時間を無限大にする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を使用せずバルク基板を用いてフィン型ＦＥＴを製造すると、従来技術では素子領域と半導体基板との間の絶縁耐圧が低くなっていた。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、素子分離膜の形成時にマスクとして用いる耐酸化用膜を、半導体基板表面に設ける溝部の底部から所定の距離まで離間した部分を除いて立設部の表面に形成することで、立設部の下部の素子分離膜がほぼ一定の膜厚にすることができた。このため、立設部と半導体基板との間の絶縁耐圧が向上し、リークもなく、信頼性が向上した。 （もっと読む）

【課題】露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を製造することはできないから、高抵抗の拡散抵抗は実現できなかった。
【解決手段】一組の薄膜構造体の対向する間隔に、サイドウォール形成用の絶縁膜を形成する際に生じる空隙を利用して露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を形成する。薄膜構造体を配線抵抗として利用すれば、これらを接続して設けることにより温度特性に優れる抵抗素子を構成することもできる。 （もっと読む）