【課題】回路面積を低減させることのできる電圧生成回路を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る電圧生成回路は、第１の電圧値の第１電圧を発生させる第１の昇圧回路と、第２の電圧値の第２電圧を発生させる複数の第２の昇圧回路を含む第２昇圧回路群とを有する。複数の第２の昇圧回路は、第１の状態から第２の状態に移行する際に互いに直列に接続され第１昇圧回路とともに第１電圧を発生可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡略化された回路構成でノイズ低減効果を持つ多相駆動型の昇圧回路を実現する。
【解決手段】昇圧回路は、所定周期のクロック信号を出力する発振回路と、前記クロック信号の１本の配線に直列接続され、トータル遅延時間が前記所定周期よりも長い複数の遅延回路と、前記複数の遅延回路に対応して前記１本の配線に接続された複数の分割昇圧回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路１０は、チャージポンプ回路部１４を備えている。チャージポンプ回路部１４は、メインスイッチング素子ＳＷ１０がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタＣ１に充電された充電電圧に基づいて駆動電源１８の電圧Ｖsを昇圧して駆動電圧Ｖgprを生成する。チャージポンプ回路部１４では、指示信号Ｓ１に基づいてキャパシタＣ１に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】位相同期ループ（ＰＬＬ）における位相周波数検出器およびチャージポンプの線形動作を達成する。
【解決手段】位相周波数検出器は、基準信号とクロック信号とを受け取り、基準信号とクロック信号とに基づいて第１および第２の信号を生成し、第１の信号のみに基づいて第１および第２の信号をリセットする。第１および第２の信号は、それぞれ、ｕｐおよびｄｏｗｎの信号であってもよいし、それぞれ、ｄｏｗｎおよびｕｐの信号であってもよい。位相周波数検出器は、予め定められた量の分、第１の信号を遅らせ、遅れた第１の信号と第２の信号とに基づいて、リセット信号を生成し、リセット信号を用いて第１および第２の信号をリセットすることができる。チャージポンプは、第１および第２の信号を受け取り、基準信号とクロック信号との間の位相誤差を示す出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によりスイッチ切替時間のさらなる高速化を図る。
【解決手段】外部から供給される外部制御信号に応じて、高周波スイッチ回路１０１のＦＥＴ１，２のオン、オフ状態を制御する駆動制御信号を出力する論理制御回路１０４と、ＦＥＴ１，２が論理制御回路１０４によりオフ状態からオン状態とされる際にパルス電圧を出力する切替加速回路１０２，１０３とは、それぞれの出力信号が共にＦＥＴ１，２の駆動制御信号として、それぞれへ印加可能に設けられ、論理制御回路１０４は、定常状態においてＦＥＴ１，２をオン状態とする電源電圧とほぼ等しい駆動制御信号を出力するよう構成され、切替加速回路１０２，１０３は、ピークが電源電圧を超えるパルス電圧を出力する一方、そのパルス電圧が論理制御回路１０４の出力信号の電圧レベルを下回った際には、その出力が遮断されるよう構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】 安定性と即応性を備えたＰＬＬを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態によるＰＬＬは、位相検出器と、前記位相検出器の検出結果に基づいて電流を発生するチャージポンプと、前記チャージポンプに接続され、第１の抵抗変化素子を有するループフィルタと、前記ループフィルタから入力される信号に応じて出力周波数を制御するＶＣＯと、前記ＶＣＯの出力信号を分周して、前記位相検出器に入力するフィードバック信号を生成する周波数分周器と、前記ループフィルタを制御するシーケンサとを有するＰＬＬであって、前記シーケンサは、前記ＰＬＬの電源がＯＦＦされることを示す信号が入力された時または前記ＰＬＬの電源がＯＮされることを示す信号が入力された時に前記第１の抵抗変化素子の抵抗値が第１の抵抗値となるよう制御し、前記ＰＬＬが安定化後には、前記第１の抵抗値よりも高い第２の抵抗値となるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】スイッチ部と、駆動回路と、電源回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記スイッチ部は、共通端子と複数の高周波端子との接続を切り替える。前記駆動回路は、端子切替信号に基づいて前記スイッチ部に制御信号を出力する。前記電源回路は、温度に応じて変化する基準電位基づいて、前記制御信号の電位であって温度制御された第１の電位を生成して前記駆動回路に出力する。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプ回路を駆動するクロックバッファ回路に流れる瞬時電流を抑制すること。
【解決手段】
第１のトランジスタ（Ｔ１１）のドレインを第１のキャパシタ（Ｃ１１）によって第１の制御信号（ＤＣＬＫ１０）に応じて昇圧駆動する第１のバッファと、第１のトランジスタ（Ｔ１１）のゲートを第２のキャパシタ（Ｃ１２）によって第２の制御信号（ＧＣＬＫ１０）に応じて昇圧駆動する第２のバッファとから構成される電圧変換回路おいて、
第１のバッファは，第１の制御信号（ＤＣＬＫ１０）の遷移時の駆動能力が，第２の制御信号（ＧＣＬＫ１０）の遷移時の駆動能力よりも低いことを特徴とする電圧変換回路。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子のオンオフ制御によって負荷を駆動する負荷駆動装置に関し、特に高いデューティ比のときに出力制御を高速に行い得る構成を実現する。
【解決手段】負荷駆動回路１には、外部からの駆動信号及び非駆動信号に応じて通電路１０を流れる電流を制御するゲートドライバ６が設けられ、外部入力が非駆動信号から駆動信号に変化した直後には、コンデンサＣＢＳからの放電に基づき、スイッチ素子Ｍ１がオン状態となるように通電路１０を所定の大電流状態とし、その後の所定時期に、通電路１０を流れる電流をスイッチ素子Ｍ１のオン状態が継続可能な所定の低レベルに変化させている。更に、駆動信号のデューティ比が所定値以上の場合には、ゲートドライバ６に駆動信号が入力されている間、チャージポンプ回路４によってコンデンサＣＢＳに対する電流供給状態が維持されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】複数の電源電圧条件に対して電流制限特性が追従し、負荷特性に適した電流制限を行なう負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】図１に示す負荷駆動回路は、電源及び負荷に接続された出力ＭＯＳトランジスタと、出力ＭＯＳトランジスタの出力電圧に応じて、出力ＭＯＳトランジスタに流れる出力電流を複数段階の制限電流に制限すると共に、制限電流が切り替わる際の出力電圧を電源電圧の変化に基づいて切り替える電流制限値切り替え回路と、を備える。その結果、段階的に電流制限を行い、過剰な電流制限となることを妨げ、負荷条件の拡大を図る。さらに、電流制限値の切り替えを電源電圧に対応させて行なうため、当初の電源電圧条件とはことなる電源電圧で使用したとしても、電流制限特性が電源電圧の変動に追従し、全体として負荷特性に適した電流制限を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの駆動用電源から引き抜かれる無駄な駆動制限電流を低減する。
【解決手段】駆動制限回路１１は、トランジスタ５に流れる検出電流Ｉｓを入力すると、それに応じた駆動制限電流をチャージポンプ回路６から制御ライン１２を介して引き抜くことにより、電流Ｉｍを保護開始電流値Ｉm1以下に制限する。電流引受回路２５は、トランジスタ４の保護開始電流値Ｉm1に対応してトランジスタ５に流れる検出電流値よりも小さく設定された引受電流Ｉａを流し込む。検出電流Ｉｓが引受電流Ｉａ以下のときは、検出電流Ｉｓは全て電流引受回路２５に流れ込むので、チャージポンプ回路６の出力電流は全てトランジスタ４のゲート駆動に使われる。 （もっと読む）

【課題】スイッチの切替時間を短縮できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、負電圧発生回路に接続されるとともに、出力ノードが高周波スイッチ回路に接続され、高周波スイッチ回路に供給するローレベルの制御信号として負電位の信号を供給するレベルシフト回路を有し、出力ノードに蓄積されている電荷を、レベルシフト回路が動作する前に放電させる。 （もっと読む）

【課題】供給電圧に対して負荷電流が直線的に変化しない特性の負荷を駆動する駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）と負荷ＲＬとの接続点と、グランドとの間に電圧重畳回路１４を設ける。そして、電圧Ｖ１が増加してツェナーダイオードＺＤ１の両端電圧がツェナー電圧を超えると、電圧重畳回路１４に電流が流れて抵抗Ｒ１に電圧降下が発生する。そして、この電圧降下分が重畳電圧ＶｇとなってＦＥＴ（Ｔ１）の両端電圧に加算され、加算後の電圧と判定電圧ＶＭとの比較により、過電流が検出される。従って、ＨＩＤランプ等の特殊負荷を駆動する負荷駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策用のコンデンサＣ１を設置した場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】プラス端子Ｐ１１とマイナス端子Ｐ１２より電力が供給されて駆動する制御回路１０により、ＦＥＴ（Ｔ１）のオン、オフを切り替えて、負荷ＲＬの駆動、停止を制御する場合に、マイナス端子Ｐ１２とグランドとを接続するアース線に、抵抗Ｒ５とダイオードＤ１の並列接続回路を設ける。従って、入力スイッチＳＷ１の投入時にプラス端子１１とマイナス端子１２の間に配置されたコンデンサＣ１の放電電流Ｉ２が流れる場合であっても、抵抗Ｒ５の電圧降下ＶＲ５によりマイナス端子Ｐ１２の電圧をグランドレベルよりも相対的に低くすることができ、コンデンサＣ１の両端電圧ＶＣ１を拡大させて、放電電流Ｉ２を抑制し、電圧Ｖ１の低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策用のコンデンサＣ１を設置した場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとドレインとの間に第２のコンデンサＣ２を設けることにより、点Ｐ１の電圧Ｖ１が減少した場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電流がコンデンサＣ２側にバイパスしてＦＥＴ（Ｔ１）に流れ、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに供給される電荷量が低減する。このため、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流の増加を抑制でき、電圧Ｖ１の急激な変動を防止できる。その結果、比較器ＣＭＰ１が作動不能となる程度まで電圧Ｖ１が低下することを防止でき、比較器ＣＭＰ１が誤動作することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電圧の低下量が大きくなった場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとドレインとの間にコンデンサＣ１を設けることにより、点Ｐ１の電圧Ｖ１が減少した場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電流がコンデンサＣ１側にバイパスしてＦＥＴ（Ｔ１）に流れ、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに供給される電荷量が低減する。このため、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流の増加を抑制でき、電圧Ｖ１の急激な変動を防止できる。その結果、比較器ＣＭＰ１が作動不能となる程度まで電圧Ｖ１が低下することを防止でき、比較器ＣＭＰ１が誤動作することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置は、出力電流の制限値のばらつきが大きくなる問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、電源端子と出力端子との間に接続される出力トランジスタ１１と、出力トランジスタ１１に流れる電流に比例した検出電流Ｉ１２を生成する検出トランジスタ１２と、検出電流Ｉ１２に基づき検出電圧を生成する検出電圧生成部Ｒ１０と、検出電圧に応じて出力トランジスタ１１の制御端子から出力端子ＯＵＴに電流を引き抜く保護トランジスタ１３と、保護トランジスタ１３に電流が流れる状態において出力トランジスタ１１に流れる電流を設定する制限設定電流Ｉ１５を保護トランジスタ１３の閾値電圧のばらつき及び検出電流Ｉ１２に対する検出電圧のばらつきに応じて変換した制限電流Ｉ１８を生成し、制限電流Ｉ１８を保護トランジスタ１３の第１の端子に供給する制限電流生成回路１４と、を有する。 （もっと読む）