【課題】半導体装置及びその動作電源電圧制御方法を提供する。
【解決手段】動作電圧を可変とする複数の処理ユニットと、これら処理ユニットを制御するコントローラを有するＬＳＩと、ＬＳＩからの処理ユニット毎に対応した電源供給の要求に応じて電源電圧を処理ユニットに供給する電源制御ユニットと、処理ユニット毎に電源制御ユニットに指示する電源電圧指示値を保持する書き換え可能な不揮発メモリと、を備え、コントローラは、処理ユニット毎に不揮発メモリに保持された電源電圧指示値を取得し、取得した電源電圧指示値を電源制御ユニットに転送する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第１パワーゲーティングセルと、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つと連結される少なくとも１つの第２パワーゲーティングセルと、第２パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第３パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第３パワーゲーティングセルのうち、先端の第３パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第４パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つ、第２及び第３パワーゲーティングセルを経て第４パワーゲーティングセルに伝達され、第１ないし第４パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】集積回路において電力消費量を容易に低減する。
【解決手段】集積回路は、クロック分配回路、同期動作回路、論理回路、および、電源供給部を備える。クロック分配回路は、所定のタイミングを指示するクロック信号を分配する。同期動作回路は、クロック信号に同期して動作する。論理回路は、同期動作回路の動作結果に基づいて所定の論理演算を実行する。電源供給部は、クロック分配回路を駆動させるクロック分配回路駆動電圧より低い電圧を論理回路に論理回路駆動電圧として供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の制御に好適な制御信号発生回路を提供する。
【解決手段】ジョンソンカウンタ３１は、フリップフロップＦＦ１〜ＦＦ４およびゲート回路４１〜４４を含み、順次入力されるスタート信号ＳＴ１〜ＳＴ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｈ」レベルにした後、順次入力されるストップ信号ＳＰ１〜ＳＰ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｌ」レベルにする。したがって、多数のフリップフロップを用いることなく、所望の時間間隔で制御信号Ｃ１〜Ｃ４を順次「Ｈ」レベルにし、順次「Ｌ」レベルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】不良回路ブロックを特定する時間を短くでき、また、各回路ブロックの信頼性加速試験での特性劣化を精度良く測定できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の回路ブロックＢ１、Ｂ２、・・・Ｂｎと、複数の回路ブロックに対応し、回路ブロックと電源端子２との接続を制御する複数のスイッチ回路Ｓａ１、Ｓａ２、・・・Ｓａｎと、複数のスイッチ回路に対応し、スイッチ回路へ回路ブロック選択信号を出力する複数のフリップフロップ回路ＤＦＦ１、ＤＦＦ２、・・・ＤＦＦｎとを備え、複数のフリップフロップ回路は、シフトレジスタ回路を構成し、外部信号の入力に基づいて、２以上のスイッチ回路を選択して回路ブロック選択信号を出力し、当該回路ブロック選択信号を入力された２以上のスイッチ回路は、当該２以上のスイッチ回路それぞれに対応する回路ブロックと電源端子とを接続する半導体集積回路１００。 （もっと読む）

【課題】容量性負荷が外部端子に接続されている場合でも、出力バッファのドライブ能力の診断が可能な出力回路とテスト方法を提供する。
【解決手段】外部負荷が接続される第１、第２の外部端子と、前記第１、第２の外部端子に接続される前記外部負荷を駆動する出力バッファ部と、第１の制御信号に応じてオン状態となることで、前記第１、第２の外部端子を導通させるスイッチ部と、テスト時において、前記出力バッファ部により、前記第１、第２の外部端子に対して互いに逆相の信号を出力させ、且つ、前記第１の制御信号により前記スイッチ回路をオン状態とするテスト制御部と、を有する出力回路。 （もっと読む）

【課題】電子回路及びそのタイミング調整方法において、フリップフロップのホールドエラーを防止すること。
【解決手段】クロック信号ＣＬＫに同期してテストパターンＴＰを出力する送信側フリップフロップＦＦ_t１〜ＦＦ_t３と、テストパターンＴＰを遅延させる遅延回路４１〜４３と、遅延回路４１〜４３から出力されたテストパターンＴＰをラッチすると共に、テストパターンＴＰを出力する受信側フリップフロップＦＦ_r１〜ＦＦ_r３と、受信側フリップフロップＦＦ_r１〜ＦＦ_r３から出力されたテストパターンＴＰと期待値とを比較して、それらが一致するか否かを示す比較信号Ｓ_p１〜Ｓ_p３を出力する比較器４６と、比較信号Ｓ_p１〜Ｓ_p３によってテストパターンＴＰと期待値とが一致していないときに、遅延回路４１〜４３の遅延時間を調整するタイミング調整器４５とを有する電子回路による。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態への設定と解除が頻繁に繰り返されることにより、消費電力が増大することを避けることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】内部回路５０と、第１制御信号を受けて内部回路への電源供給を制御する電源制御回路４０と、第２制御信号を受けて第１制御信号を出力する制御信号発生回路３０と、を備え、制御信号発生回路３０は、第２制御信号の非活性期間が第１の期間未満であるときに第１制御信号を非活性状態とせず、第１の期間以上であるときに第１制御信号を非活性状態とする。 （もっと読む）

【課題】追加の大きなハードウェア要件なしに、ブースト電圧レベルを提供できるようにする。
【解決手段】第１の電圧レベルから第２の電圧レベルに、次に追加のブーストされた第２の電圧レベルに出力信号をシフトするための電圧レベルシフタが開示される。電圧レベルシフタは、入力信号を受信するための入力、出力信号を出力するための出力、前記第１の電圧レベルを供給する第１の電圧源に接続するための第１のパワーサプライ入力、前記第２の電圧レベルを供給する第２の電圧源に接続するための第２のパワーサプライ入力、前記ブーストされた第２の電圧レベルを供給する第３の電圧源に接続するための第３のパワーサプライ入力を含み、前記電圧レベルシフタは、前記出力から前記第１のパワーサプライ入力を隔離するため、及び前記出力に前記第２のパワーサプライ入力を接続するために前記入力信号の所定の変化に応える。 （もっと読む）

【課題】位相同期回路を含む回路シミュレーションにおいて、フィードバックループに分周器が存在している場合であっても正確にシミュレートできるようにすること。
【解決手段】フィードバックループに設けられた分周器の分周比を測定するための第１のクロック信号を生成する測定クロック生成部と、分周器が第１のクロック信号を受信して分周して出力した第２のクロック信号と、第１のクロック信号とを参照して、分周器の分周比を測定する分周比測定部と、入力クロック信号を受信し、入力クロック信号の周期と予め設定された逓倍比と測定された分周比の逆数に相当する逓倍比とに応じて、入力クロック信号を逓倍して第３のクロック信号として出力する逓倍クロック生成部と、第１のクロック信号及び第３のクロック信号を受信し、いずれかを出力クロック信号として出力するクロック出力制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高い半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、入力信号ＤＩＮを記憶保持する複数のフリップフロップＦ１と、複数のフリップフロップＦ１からの出力の多数決結果ＭＪを出力する多数決回路７と、複数のフリップフロップＦ１の出力不一致を検出し、エラー信号を出力するエラー検出回路２と、エラー検出回路２からのエラー信号を監視する監視回路３と、を備え、監視回路３は、エラー検出回路２からのエラー信号をもとに、複数のフリップフロップＦ１のうち、出力不一致が発生しているフリップフロップＦ１に対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、リフレッシュ動作により書き戻らなかった場合には外部に通知を行うものである。 （もっと読む）

【課題】従来技術の半導体集積回路では、電源遮断領域において発生する電圧降下等を抑制することができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、高電位側電源ライン１４及び低電位側電源ライン１５と、部分電源ライン１３ａ，１３ｂと、高電位側電源ライン１４と部分電源ライン１３ａとの間に設けられた電源スイッチＳＷＡ１〜ＳＷＡｍと、部分電源ライン１３ａと低電位側電源ライン１５との間に設けられた内部回路１２ａと、高電位側電源ライン１４と部分電源ライン１３ｂとの間に設けられた電源スイッチＳＷＢ１〜ＳＷＢｎと、部分電源ライン１３ｂと低電位側電源ライン１５との間に設けられた内部回路１２ｂと、部分電源ライン１３ａ，１３ｂ間に設けられ、電源スイッチＳＷＡ１〜ＳＷＡｍ，ＳＷＢ１〜ＳＷＢｎがオンの場合にオンに制御される電源スイッチＳＷＸ１〜ＳＷＸｐと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 波形整形のための信号処理機能を有するインターフェイス回路において、波形整形のために付加される回路の影響で、消費電力が大きくなってしまう。また、システム内では複数の基板がバックプレーンに接続されるため、距離が近いものから遠いものまでが混在することになるが、距離に応じて基板を換えるわけではなく、共通の基板を用いるため、インターフェイス回路は最も遠い場合に対応する構成で準備する必要がある。すなわち、最も距離が長いものに対応した波形整形回路を準備し、それらを伝送距離が短い場所でも使用することになり、全体の消費電力が増大するという問題が生じる。
【解決手段】 本発明のインターフェイス回路は、波形整形回路の一部または全ての動作を停止させる。これにより、伝送距離に応じて、インターフェイス回路内の波形整形回路の動作範囲の切りかえを可能とし、波形整形回路の中の動作範囲を制限することができ、インターフェイス回路、インターフェイス回路を含むＬＳＩやサーバ装置の消費電力を低減できる。 （もっと読む）

【課題】タイミング制約を満たすためにセルの物理的な位置やＲＴＬ（Register Transfer Level）を変更する必要がなく、回路の最適化を短時間に行うことができ、半導体集積回路の設計期間を短縮することができる半導体集積回路の設計方法、設計プログラムを提供する。
【解決手段】半導体集積回路のネットリストに対して静的タイミング解析を行うことにより、所定のタイミング制約を満たさないタイミングエラーパスを検出し、前記タイミングエラーパスを含む第１の論理ブロックと、フリップフロップを介して前記第１の論理ブロックに接続され、所定のタイミング制約を満たす第２の論理ブロックとを抽出し、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックとの間のフリップフロップが正相／逆相フリップフロップである場合は、当該正相／逆相フリップフロップを逆相／正相フリップフロップに変更する。 （もっと読む）

アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置が開示され、第１の電圧源と、第１の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するためにチャージを供給するように適応された第１のスイッチングエレメントとを備える。本装置は、アクティブデバイスの１以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントをコントロールするように適応されコントローラを備えるかもしれない。コントローラは、リファレンス電圧に基づいて、すなわちアクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールかもしれない。
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【課題】通常動作モード、低消費電力動作モードでの省電力化等を図れる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、外部電源電圧ＶＤＤＥを受けて、外部電源電圧ＶＤＤＥを降圧した第１の電源電圧ＶＤＤＡを出力する第１のレギュレーターＲＧ１と、外部電源電圧ＶＤＤＥを受けて、外部電源電圧ＶＤＤＥを降圧した第２の電源電圧ＶＤＤＢを出力する第２のレギュレーターＲＧ２と、第１の電源電圧ＶＤＤＡが供給され、通常動作モード及び低消費電力動作モードにおいて動作する第１のロジック回路ＬＧ１と、第２の電源電圧ＶＤＤＢが供給され、通常動作モードにおいて動作し、低消費電力動作モードでは非動作になる第２のロジック回路ＬＧ２を含む。 （もっと読む）

【課題】開発の早期において、様々な条件におけるクロストーク耐性を確認することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】信号発生回路３と、遅延回路４０、４１、４２、４３、…、４ｍと、遅延回路５０、５１、５２、５３、…、５ｍと、出力バッファ７０、７１、７２、７３、…、７ｍそれぞれに対応して設けられ、遅延回路４０、４１、４２、４３、…、４ｍから出力された信号または遅延回路５０、５１、５２、５３、…、５ｍから出力された信号のいずれかを選択して対応する出力バッファ７０、７１、７２、７３、…、７ｍに出力する選択回路６０、６１、６２、６３、…、６ｍと、を備える。 （もっと読む）

【課題】デジタル回路とアナログ回路とを混載して成る半導体集積回路において、前記デジタル回路によってメモリなどの外部負荷を駆動するにあたって、グランドバウンスによるアナログ回路への影響を抑えつつ、前記外部負荷がデジタル回路からの矩形波パルスを受信するにあたって、ＯＮ／ＯＦＦ（「１」／「０」）判定のマージンを最大にする。
【解決手段】外部負荷３を駆動するメインドライバ回路７を、複数段のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３を備える多段階電圧制御型のプリドライバ回路６を介して駆動するようにし、そのインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３の使用段数を切換え回路１２で切換えられるようにする。そして、雑音検出回路１３によって検出されるグランドバウンスのレベルが、小さいときにはインバータＩＮＶ３のみを使用して前記矩形波パルスの鈍りを小さくし、大きいときにはインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３を使用して、グランドバウンスを抑える。 （もっと読む）

【課題】 低電力モードを有するＬＳＩにおいて、低電力モードで電力が低減されていない場合にも、ＬＳＩを搭載する機器が性能劣化等に至るのを防止することが可能なＬＳＩを提供する。
【解決手段】 動作モードを指示し、そのモードの通りに動作しているかを検出する回路であって、低電力モード時の電流を擬似的に測定し、低電力モードに移行したにもかかわらず実際には電流が低減されていない場合に警告信号を発する。 （もっと読む）

【課題】従来は、ヒータの制御を主制御部が行うようにしていたため、低温起動時において、装置内が所定の温度以上に加熱され装置動作に入る前の段階で、装置全体に電力を供給することになり、消費電力が多くなるという課題があった。
【解決手段】伝送装置を、主制御部と、消費電力が主制御部よりも小さい副制御部と、伝送装置外部との間で信号を送受信するインタフェース部と、該インタフェース部で受信した信号を増幅する増幅部と、伝送装置内を所定の温度に加熱する加熱部と、伝送装置内の温度を検出する温度検出部とから構成し、伝送装置の起動時において、まず副制御部が起動され、副制御部が増幅部への電力供給を行うとともに、温度検出部により伝送装置内の温度を検出し、伝送装置内が所定の温度以上である場合は、主制御部の起動を行い、伝送装置内が所定の温度未満である場合は、加熱部を加熱制御し、伝送装置内が所定の温度以上になると主制御部の起動を行うようにする。 （もっと読む）