アクティブデバイスをバイアスするシステム及び方法
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置が開示され、第1の電圧源と、第1の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するためにチャージを供給するように適応された第1のスイッチングエレメントとを備える。本装置は、アクティブデバイスの1以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントをコントロールするように適応されコントローラを備えるかもしれない。コントローラは、リファレンス電圧に基づいて、すなわちアクティブデバイスの1以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールかもしれない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、一般に電力供給システムに関し、より具体的には、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【0002】
高いダイナミック負荷のバースティ(bursty)な性質は、短い期間(例えば、ウルトラワイドバンド(UWB)アプリケーションの場合には3ナノ秒(ns)のオーダー)の間に、例えば数マイクロAmp(μA)から数十ミリAmp(mA)に向かうために、電力レギュレータに対する電流要求を引き起こしている。さらに、電力レギュレータは、非常に短い期間(例えば、パルスポジションUWBシステムに対しては10〜20ns)の間に、初期のバースト(burst)から回復し、次のバーストに対して準備をしなければならない。この素早い負荷要求の変化に加えて、典型的には数十ミリボルト(mV)よりも低い値の負荷を横切る最大電圧リップルに制限される負荷レギュレーション仕様が存在している。
【0003】
ダイナミックな要求は典型的には、その本来のフィードバックレギュレーションスキーム及び相対的に低い帯域幅に起因して、典型的には負荷プロファイルの素早い変化に十分速く反応することができないスイッチモードパワーサプライ(SMPS)或いはロウドロップアウト(LDO)のような、コンベンショナルな電圧レギュレーションスキームの使用を一般的に排除するバースティ負荷オペレーションに関連している。その結果、レギュレーションの視点の1つ、大きくなってきているリップル電圧、レギュレーション能力、或いはレギュレーションキャパシタンスサイズは、常に妥協することはない。
【0004】
このタイプの要求に取り組む現在の解決策は、問題を解決する際に一般的に効果的ではない。例えば、そのようなバースティな電源のレギュレーションに対するLDOレギュレータの使用は、非常に短い時間(例えば、12.5ns)の間に電源をレギュレートするためにループは十分に速くはないという理由のために、困難であろう。さらに、我慢できる最大ドループ(droop)に対する厳重な要求は、非常に大きなバイパスキャパシタを一般的に要求する。さらに、LDOのループ帯域幅は、安定性要求によって制限され、数ns応答を伴うLDOは、実現することが難しい。
【発明の概要】
【0005】
本開示の一視点は、アクティブ回路に対するバイアス電圧を発生する装置に関する。本装置は、第1の電圧源と、第1の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられるチャージを供給するように適応された第1のスイッチングエレメントと、を備える。他の視点において、本装置は、キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラを備える。さらに他の視点において、コントローラは、アクティブデバイスの1以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている。さらに他の視点において、アクティブデバイスの1以上の特性は、アクティブデバイスのゲインを備える。
【0006】
本開示の他の視点において、コントローラは、リファレンス電圧に基づいてキャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている。他の視点において、リファレンス電圧は、アクティブデバイスの1以上の特性に基づく。さらに他の視点において、本装置は、リファレンス電圧を発生するように適応された第2の電圧源を備える。
【0007】
本開示の他の視点において、本装置は、バイアス電圧を形成するために用いられる第2の電圧を発生するように適応された第2の電圧源をさらに備える。他の視点において、第2の電圧源は、アクティブデバイスの1以上の特性に基づいて第2の電圧を生成するように適応されている。さらに他の視点において、本装置は、アクティブデバイスをイネーブルにするために第1の電圧源をアクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントを備える。さらに他の視点において、本装置は、アクティブデバイスをディセーブルにするためにアクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントを備える。
【0008】
本開示の他の視点、効果及び新規な特徴は、添付の図面に関連させて考慮されるとき、本開示の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】図1は、本開示の一視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する例示的な装置のブロック図である。
【図2】図2は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図3】図3は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図4】図4は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図5】図5は、本開示の他の視点にしたがった、例示的なキャパシティブエレメントモジュールのブロック図である。
【図6】図6は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置をキャリブレートする例示的な方法のフロー図である。
【図7A】図7Aは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する例示的な方法に関連するタイミング図である。
【図7B】図7Bは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な方法に関連するタイミング図である。
【図8】図8は、本開示の他の視点にしたがった、例示的な通信システムのブロック図である。
【図9A】図9Aは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図9B】図9Bは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図9C】図9Cは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図9D】図9Dは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図10】図10は、本開示の他の視点にしたがった、種々のチャネルを介して互いに通信する種々の通信デバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示の種々の視点が、以下に説明される。ここでの教示は、広範な種々の形態で実施されるかもしれず、ここで開示される任意の特定の構成、機能或いは両者が単なる代表的なものであることは、明白である。ここでの教示に基づき、当業者は、ここで開示された視点が他の視点から独立してインプリメントされるかもしれず、2以上のこれらの視点が種々の方法で組み合わされるかもしれないことを、認識すべきである。例えば、ここで明らかにされる任意の数の視点を用いて、装置がインプリメントされるかもしれず、方法が実行されるかもしれない。さらに、ここで明らかにされる1以上の視点に加えての或いは1以上の視点以外の他の構成、機能、或いは構成及び機能を用いて、そのような装置がインプリメントされるかもしれず、そのような方法が実行されるかもしれない。
【0011】
図1は、本開示の一視点にしたがった、アクティブデバイス150に対するバイアス電圧VB を発生する例示的な装置100のブロック図を示している。本装置100は、電圧VS を発生する手段としての電圧源(voltage source)モジュール102、電圧VS に応答してチャージを発生する手段としてのキャパシティブエレメントモジュール104、アクティブデバイス150に対するバイアス電圧VB を発生するために用いられるチャージを供給する(deliver)手段としてのスイッチングエレメントモジュール106を備えている。
【0012】
一視点において、バイアス電圧VB を発生することのプロセスは、以下の動作を含んでいるかもしれない:(1)規定された時間間隔で電圧源モジュール102をキャパシティブエレメントモジュール104に結合し、規定された量のチャージQを発生する;(2)規定された量のチャージQが発生すると、電圧源モジュール102をキャパシティブエレメントモジュール104から非結合にし;(3)キャパシティブエレメントモジュール104をアクティブデバイス150に結合させるために、スイッチングエレメントモジュール106をアクティベートし、アクティブデバイスに対するバイアス電圧VB を発生させるためにチャージQが供給される。このプロセスは、アクティブデバイス150をバイアスすることに関連するリーク電流が相対的に小さい或いは無視可能である場合により適切であり、アクティブデバイスの動作中にバイアス電圧VB は実質的にコンスタント(例えば、規定されたコンスタントレベル)であることを維持する。
【0013】
他の視点において、バイアス電圧VB を形成することのプロセスは、以下の動作を含んでいるかもしれない:(1)規定された時間間隔で電圧源モジュール102をキャパシティブエレメントモジュール104に結合し、規定された量のチャージQを発生する;(2)電圧源モジュール102及びキャパシティブエレメントモジュール104の両者をアクティブデバイス150に結合させるために、スイッチングエレメントモジュール106をアクティベートし、チャージQ及び電源電圧VS の両者がアクティブデバイスに対するバイアス電圧VB を発生することに貢献するようにする。このプロセスは、アクティブデバイス150をバイアスすることに関連するリーク電流が重要である場合により適切であり、それはバイアス電圧VB の重要なドロップに帰結するかもしれない。それ故、アクティブデバイス150の動作中にバイアス電圧VB を実質的にコンスタント(例えば、規定されたコンスタントレベル)に維持するために、電圧源モジュール102はアクティブデバイスに結合されることが維持される。
【0014】
図2は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生する他の例示的な装置200のブロック図を示している。要約すると、本装置は、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生するために用いられるチャージQの電源(source)を含んでいる。さらに、本装置200は、キャパシティブエレメントモジュールをキャリブレートするためのリファレンス電圧を発生するように適応された電圧源を含んでいる。そのような電圧は、アクティブデバイス250をバイアスすることに関連するリーク電流を補償するために補足の電圧としても用いられるかもしれない。さらに、本装置200は、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生するために、チャージQ及び/又は補足の電圧を供給するスイッチングエレメントを含んでいる。さらに、本装置は、アクティブデバイス250の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)を検出し、検出された1以上の特性にしたがってリファレンス電圧を調整するコントローラを含んでいる。
【0015】
特に、本装置は、第1の電圧源モジュール202、キャパシティブエレメントモジュール204、第1のスイッチングエレメントモジュール206、第2の電圧源モジュール208、第2のスイッチングエレメントモジュール210、及びコントローラ212を備えている。第1の電圧源モジュール202及びキャパシティブエレメントモジュール204の両者は、コントローラ212のコントロール下において、規定されて量のチャージQを発生するように構成されている。より具体的には、第1の電圧源モジュール202は、第1の電圧V1 を発生するように適応されている。キャパシティブエレメントモジュール204は、第1の電圧V1 に基づいて及び/又は応答してチャージQを発生するように適応されている。コントローラ212は、アクティブデバイス250の1以上の特性を検出するかもしれず、検出された1以上の特性に基づいてチャージQをコントロールするかもしれない。
【0016】
第2の電圧源モジュール208及び第2のスイッチングエレメントモジュール210は、キャパシティブエレメントモジュール204をキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧V2 を発生するように適応されている。さらに、電圧V2 は、補足の電圧(supplemental voltage)として用いられるかもしれず、それは、キャパシティブエレメントモジュール204によって発生されたチャージQに関連して、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生する。例えば、補足の電圧V2 は、アクティブデバイス250をバイアスすることに関連する著しいリーク電流があるときに用いられるかもしれない。そのような場合、補足の電圧V2 の使用がないと、バイアス電圧VB はアクティブデバイス250の動作中に著しくドロップするかもしれない。一方、補足の電圧V2 があると、バイアス電圧VB は規定された電圧範囲に維持されるかもしれない。より具体的には、第2の電圧源208は、コントローラ212のコントロール下において、電圧V2 を発生するように適応されている。コントローラ212は、アクティブデバイス250の1以上の特性を検出するかもしれず、検出された1以上の特性に基づいて補足の電圧V2 をコントロールするかもしれない。
【0017】
さらに、コントローラ212は、キャパシティブエレメントモジュール204のキャパシタンスをキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧を発生するために、第2の電圧源モジュール208を構成するかもしれない。例えば、コントローラ212は、アクティブデバイス250の1以上の特性に基づいてリファレンス電圧V2 を調整するかもしれない。リファレンス電圧が設定されると、コントローラ212は、第1の電圧源モジュール202及びキャパシティブエレメントモジュール204をアクティベートしてチャージQを形成し、キャパシティブエレメントモジュール204の出力に電圧を発現させる。そして、コントローラ212は、キャパシティブエレメントモジュール204のキャパシタンスを調整して、リファレンス電圧V2 に基づいてその出力で電圧を調整するかもしれない。最後に、コントローラ212は、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生するために、チャージQ及び/又は補足の電圧V2 を供給するための第1及び/又は第2のスイッチングエレメントモジュール206及び210を選択的にアクティベートするかもしれない。
【0018】
図3は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する他の例示的な装置300のブロック図を示している。本装置300は、すでに議論された装置100及び200のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。要約すると、本装置300は、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生するために用いられるチャージQの電源(source)を含んでいるかもしれない。さらに、本装置300は、チャージ形成エレメントをキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧V2 を発生するように適応された電圧源を含んでいる。さらに、電圧V2 は、アクティブデバイスMA をバイアスすることに関連するリーク電流を補償するために、補足の電圧としても用いられるかもしれない。さらに、本装置300は、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を形成するために、チャージQ及び/又は電圧V2 を供給するためのスイッチングエレメントを含んでいる。さらに、本装置300は、アクティブデバイスMA の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)を検出するためのコントローラを含み、検出された1以上の特性にしたがってリファレンス電圧V2 を調整する。
【0019】
特に、本装置300は、抵抗R1 、R2 及びR3 、キャパシタCA 及びCB 、スイッチS1 〜S6 、コンパレータ302、及びキャリブレーションコントローラ304を備えている。電源電圧Vdd、抵抗R1 及びR2 、及びスイッチS1 は、上述した第2の電源モジュールとして構成され、リファレンス又は補足の電圧V2 を発生するかもしれない。電源電圧Vdd、キャパシタCA 及びCB 、及びスイッチS4A、S4B、/S4A、及び/S4B、は、上述したキャパシティブエレメントモジュールとして構成され、電源電圧Vdd(例えば、上述したようなV1 )に基づいて又は応答してチャージQを発生するかもしれない。抵抗R3 及びスイッチS2 は、上述した第1のスイッチエレメントモジュールとして構成され、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生するためにチャージQ及び/又は補足の電圧V2 を選択的に供給するかもしれない。入力RF信号が存在する間、スイッチS2 はターンオフし、抵抗R3 は、入力RF信号がキャパシタCA 及びCB の方向に向かってリークすることを実質的に防止するかもしれない。
【0020】
スイッチS5 は、上述した第2のスイッチングエレメントモジュールとして構成されるかもしれず、補足の電圧V2 を選択的に第1のスイッチングエレメントモジュール(例えば、S2 及びR3 )の入力に印加するかもしれない。リファレンスとして、電圧V2 は、キャパシティブエレメントモジュール(例えば、CA 及びCB )をキャリブレートする目的のために、キャパシタ302の入力に印加される。キャパシタ302は、リファレンス電圧V2 とチャージQに関連する電圧との差のファンクションである出力を発生する。コントロールモジュール304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)に基づいて、キャパシタCA 及びCB のキャパシタンス及び/又は抵抗R1 及びR2 を調整するように適応されている。これらのパラメータのキャリブレーションに関連するプロセス及びバイアス電圧VB の形成は、フロー及びタイミング図を参照して以下でさらに議論される。
【0021】
この例において、アクティブデバイスMA は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)として構成されるかもしれない。アクティブデバイスMA は、CP の実効的な入力キャパシタンスを有するかもしれず、それは、デバイスMA のゲート−ソースキャパシタンス、抵抗R4 に関連するキャパシタンス、及び他の寄生キャパシタンスを含むかもしれない。スイッチS6 は、キャパシタCP を選択的に放電するように構成されるかもしれない。アクティブデバイスMA は、例えば、デバイスのバイアシング、速いイネーブリング/ディセーブリング、及び周波数チューニングに対する他のデバイスに関連するかもしれない。例えば、上述したように、抵抗R4 は、デバイスMA に対する規定されたソース電圧或いはゲート−ソース電圧を発生するように構成されるかもしれない。スイッチS3 及び/S3 及びMOSFET MB は、アクティブデバイスMA を素早くイネーブル及びディセーブルするように構成されるかもしれない。例えば、S3 がオン(オープン)で、/S3 がオフ(クローズ)のときに、MOSFET MB はターンオンし、電源電圧Vddが、負荷に関連するインダクタンスLL を介してデバイスMA に印加される。S3 がオフで、/S3 がオンのときに、MOSFET MB はターンオフし、電源電圧VddがデバイスMA に印加されることを阻止する。
【0022】
さらに、この例において、アクティブデバイスMA は、無線周波数(RF)増幅器(例えば、ロウノイズ増幅器(LNA)のような)として構成されるかもしれず、デバイスMA のゲートは入力RF信号を受けるように適応され、デバイスMA のドレインは出力RF信号を生成するように適応される。負荷インダクタンスLL は、増幅器MA に対する規定された中心周波数及び帯域幅を設定するように構成されるかもしれない。そのような増幅器は単なる一例であり、他の変更及び/又はタイプが、ここで説明されるバイアス技術に用いられるかもしれないことを理解すべきである。例えば、増幅器は、ディジェネレーション抵抗R4 なしのコモンソース増幅器であり得る。相対的に短い期間で設定するためのバイアス電圧を必要とするかもしれない他のタイプの増幅器或いはデバイスが、ここで説明される技術を利用するかもしれない。
【0023】
図4は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する他の例示的な装置400のブロック図を示している。本装置400は、すでに説明した装置300と類似しており、同様の参照シンボルで示された同一のエレメントを含み、数字“3”の代わりに“4”であることを除いて、同様の参照番号である。装置300及び400の違いは、装置300における抵抗R1 が電流源406に置き換わっていることであり、それは実質的に固定された或いは可変の電流を発生するように構成されることができる。第2の電圧源モジュールに対する他の構成及び装置300及び400の他のモジュールがインプリメントされるかもしれない。
【0024】
図5は、本開示の他の視点にしたがった、例示的なキャパシティブエレメントモジュール500のブロック図を示している。キャパシティブエレメントモジュール500は、すでに説明されたキャパシティブエレメントモジュールの詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。この例において、キャパシティブエレメントモジュール500は、対応するスイッチS4A1 からS4An を伴った直列に結合されたキャパシタCA1からCAnを含む第1のバイナリウエイテッドキャパシタバンクを備えている。キャパシティブエレメントモジュール500は、対応するスイッチS4B1 からS4Bn を伴った直列に結合されたキャパシタCB1からCBnを含む第2のバイナリウエイテッドキャパシタバンクを備えている。装置300及び400を参照すると、第1のバイナリウエイテッドキャパシタバンクCA1からCAnは、可変キャパシタCA のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。対応するスイッチS4A1 からS4An は、スイッチS4Aのより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。第2のバイナリウエイテッドキャパシタバンクCB1からCBnは、可変キャパシタCB のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。対応するスイッチS4B1 からS4Bn は、スイッチS4Bのより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。
【0025】
図6は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を形成する装置をキャリブレートする例示的な方法600のフロー図を示している。要約すると、方法600によれば、アクティブデバイスMA の1以上の検出された特性に基づいて、リファレンス電圧V2 が最初にキャリブレートされる(ブロック602から614)。そして、キャパシティブエレメントモジュールが、キャリブレートされたリファレンス電圧V2 に基づいて調整される(ブロック616から630)。
【0026】
さらに図3を参照すると(本方法600は、図4にも適用可能である)、コントローラ304は、抵抗R1 及びR2 をデフォルト値に設定し、イニシャルリファレンス電圧V2 (例えば、Vddの1/2)を発生する(ブロック602)。コントローラ304は、スイッチS2 、S4A、S4B及びS6 をターンオフする(ブロック604)。スイッチS2 がオフにされ、R3 がRFリークを阻止するように動作し;S4A及びS4Bがオフにされ、キャパシタCA 及びCB をアクティブデバイスMA から非結合にさせ;スイッチS6 がオフにされ、バイアス電圧VB がキャパシタCP をまたいで発現できるようにする。コントローラ304は、スイッチS1 及びS5 をターンオンし、電圧V2 をアクティブデバイスMA のゲートに印加し、スイッチS2 及びS3 をターンオンさせ、スイッチ/S3 をターンオフさせることによって、アクティブデバイスMA をバイアスする(ブロック606)。アクティブデバイスMA は、連続的に動作する。コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)を検出する(ブロック608)。
【0027】
コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の検出された特性が仕様(specification)内であるか否かを決定する(ブロック612)。アクティブデバイスMA の1以上の特性が仕様内でなければ、コントローラ304は、1以上の特性に基づいて抵抗R1 及び/又はR2 を調整することによって電圧V2 を変化させる(ブロック614)。一例として、アクティブデバイスMA のゲインが仕様よりも低ければ、コントローラ304は、抵抗R1 及び/又はR2 を調整して、アクティブデバイスMA のゲインが増加するように電圧V2 を増加させるかもしれない。一方、アクティブデバイスMA のゲインが仕様よりも高ければ、コントローラ304は、抵抗R1 及び/又はR2 を調整して、アクティブデバイスMA のゲインが減少するように電圧V2 を減少させるかもしれない。コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性が仕様内になるまで、ブロック604から614の動作のいくつか又は全てを繰り返す。
【0028】
ブロック612において、コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性が仕様内であることを決定し、コントローラは、スイッチS2 及びS5 をターンオフし、デバイスをバイアスする(ブロック616)。コントローラ304は、各キャパシタバンク内のバイナリウエイテッドキャパシタの数として、反復回数(iteration count)iからnを設定するかもしれない(ブロック618)。コントローラ304は、キャパシタバンクのスイッチS4Ai 及びS4Bi をターンオンする(バンク内の残りのキャパシタはターンオフされる)(ブロック620)。コントローラ304は、キャパシティブエレメントモジュールの出力での電圧をキャリブレートされた電圧V2 と比較する(ブロック622)。コントローラ304は、比較に基づいてスイッチS4Ai 及びS4Bi いずれか一方をターンオフする(ブロック624)。コントローラ304は、反復回数iを1だけデクリメントし(ブロック626)、反復回数iがゼロに等しいか否かを判断する(ブロック628)。反復回数iがゼロに等しくなければ、コントローラ304はブロック620から628で規定された動作を繰り返す。そうでなければ、コントローラ304は、キャリブレーション手続を終了する(ブロック630)。
【0029】
図7Aは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する例示的な方法に関するタイミング図である。この例において、アクティブデバイスMA は、複数のパルスを備えた入力RF信号を増幅するように構成されている。入力RF信号は、パルスを有する信号に限定される必要がないことが理解されるであろう。タイミング図によれば、入力RF信号に関連する各パルスインターバルに対して、バイアス電圧VB を形成すること及びアクティブデバイスMA をアクティベートすることは、バイアス電圧VB を形成するためにスイッチS2 、S3 、S4A及びS4Bを実質的に同時にターンオンすることを必要とする。スイッチS1 、S5 及びS6 は、バイアス電圧VB を形成する間、オフを維持するかもしれない。スイッチS2 は、バイアス電圧が規定された安定性に達するまでオンに維持されるかもしれず、それはスイッチS3 、S4A及びS4Bのオン時間よりも短い期間であるかもしれない。タイミング的に、入力RF信号のパルスは、スイッチS3 、S4A及びS4Bだけがオンであるときに時間間隔(time interval)に到達する。そして、パルスの処理の後に、スイッチS3 、S4A及びS4Bがターンオフしてパルスインターバル1が完了するかもしれない。この同一のプロセスが、示されたように、入力RF信号の残りのパルスインターバルに対して繰り返されるかもしれない。
【0030】
図7Bは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する例示的な方法に関するタイミング図である。この例において、アクティブデバイスMA は、複数のパルスを備えた入力RF信号を増幅するように構成されている。入力RF信号は、パルスを有する信号に限定される必要がないことが理解されるであろう。タイミング図によれば、入力RF信号に関連する各パルスインターバルに対して、バイアス電圧VB を形成すること及びアクティブデバイスMA をアクティベートすることは、バイアス電圧VB を形成するためにスイッチS2 、S3 、S4A、S4B及びS5 を実質的に同時にターンオンすることを必要とする。スイッチS1 は、アクティブデバイスをバイアスすることに関連して任意のリーク電流を補償するためにアクティブデバイスMA に電圧V2 を印加することができるようにするため、パルス処理プロセスの間、ターンオンされるかもしれない。スイッチS6 は、バイアス電圧VB が発現できるように、パルスインターバルの少し前からパルスインターバルの少し後まで、オフに維持されるかもしれない。任意のパルスインターバルの前及びパルスインターバルの間に、スイッチS6 がターンオンしてキャパシタCPを放電し、バイアス電圧VB が既知の電位(例えば、グラウンド電位)から発現されるかもしれない。スイッチS2 は、バイアス電圧が規定された安定性に達するまでオンに維持されるかもしれず、それはスイッチS3 、S4A、S4B及びS5 のオン時間よりも短い期間であるかもしれない。タイミング的に、入力RF信号のパルスは、スイッチS3 、S4A,S4B及びS5 だけがオンであるときに時間間隔(time interval)に到達する。そして、パルスの処理の後に、スイッチS3 、S4A、S4B及びS5 がターンオフしてパルスインターバル1が完了するかもしれない。この同一のプロセスが、示されたように、入力RF信号の残りのパルスインターバルに対して繰り返されるかもしれない。
【0031】
図8は、本開示の他の視点にしたがった、例示的な通信デバイス800のブロック図を示している。通信デバイス800は、電圧レギュレータとしてすでに議論された任意の装置を使用する通信デバイスの一例示的インプリメンテーションであるかもしれない。特に、通信デバイス800は、アンテナ802、ロウノイズ増幅器(LNA)804、パルス復調器806、第1の電圧レギュレータ808、受信機ベースバンドプロセッシングモジュール810、フェイズロックループ(PLL)及び/又は電圧制御発振器(VCO)812、リファレンス発振器814、送信機ベースバンドプロセッシングモジュール816、パルス変調器818,第2の電圧レギュレータ820、及び電力増幅器(PA)822を備えている。
【0032】
ソース通信デバイスとして、目的地通信デバイスに送信されるデータは、送信機ベースバンドプロセッシングモジュール816に送られる。送信機ベースバンドプロセッシングモジュール816は、送信データを処理して出力ベースバンド信号を発生する。パルス変調器818は、出力ベースバンド信号に基づいて、パルス(例えば、ウルトラワイドバンド(UWB)パルス)を発生する。第2の電圧レギュレータ820は、パルスを発生させるために、適切な時間にパルス変調器818にチャージを供給する。PA822は、UWBパルス信号を増幅し、無線媒体への送信のために、それをTx/Rxアイソレーションデバイス804を介してアンテナ802に供給する。第2の電圧レギュレータ820は、パルスを増幅するために、適切な時間にチャージをPA822に供給する。送信データは、センサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、RISCプロセッサ、キーボード、マウス或いはトラックボールのようなポインティングデバイス、マイクロフォンのようなトランスデューサを含むヘッドセットのようなオーディオデバイス、メディカルデバイス、シュー、データを発生するロボティック或いはメカニカルデバイス、タッチセンシティブディスプレイのようなユーザーインターフェース、等によって発生するかもしれない。
【0033】
目的地通信デバイスとして、受信されたRF信号(例えば、インバウンドUWBパルス)は、アンテナ802によってピックアップされ、LNA804に加えられ、それは受信されたRF信号を増幅する。第1の電圧レギュレータ808は、受信された信号が増幅されるようにするため、適切な時間にチャージをLNA804に供給する。パルス復調器806は、受信されたUWB信号に基づいてインバウンドベースバンド信号を発生する。第1の電圧レギュレータ808はまた、パルスを適切に処理するために、適切な時間にチャージをパルス復調器806に供給する。受信機ベースバンドプロセッシング810は、入力するベースバンド信号を処理して、受信されたデータを発生する。データプロセッサ(図示せず)は、受信されたデータに基づいて、1以上の規定された動作を実行するかもしれない。例えば、データプロセッサは、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、リデューストインストラクションセットコンピュータ(RISC)プロセッサ、ディスプレイ、スピーカのようなトランスデューサを含むヘッドセットのようなオーディオデバイス、メディカルデバイス、シュー、ウオッチ、データに応答するロボティック或いはメカニカルデバイス、ディスプレイのようなユーザーインターフェース、1以上の発光ダイオード(LED)、等を含むかもしれない。
【0034】
図9Aは、ここで説明される任意の通信システム、デバイス及び装置に採用されるかもしれないパルス変調の例として、異なったパルス繰り返し周波数(pulse repetition frequency)(PRF)によって規定される異なったチャネル(チャネル1及び2)を示している。具体的には、チャネル1に対するパルスは、パルストゥパルス遅延期間902に対応するパルス繰り返し周波数(PRF)を有している。逆に、チャネル2に対するパルスは、パルストゥパルス遅延期間904に対応するパルス繰り返し周波数(PRF)を有している。このテクニックは、2つのチャネル間のパルス衝突の相対的に低い可能性を有する擬似オーソゴナル(pseudo-orthogonal)チャネルを規定するために用いられるかもしれない。特に、パルス衝突の低い可能性は、パルスに対する低いデューティサイクルの使用によって達成されるかもしれない。例えば、パルス繰り返し周波数(PRF)の適切な選択により、与えられたチャネルに対する実質的に全てのパルスが、任意の他のチャネルに対するパルスとは異なった時間で送信されるかもしれない。
【0035】
与えられたチャネルに対して規定されたパルス繰り返し周波数(PRF)は、そのチャネルによってサポートされるデータレートに依存しているかもしれない。例えば、非常に低いデータレートをサポートするチャネル(例えば、1秒当たり数キロビット或いはKbpsのオーダー)は、対応する低いパルス繰り返し周波数(PRF)を採用するかもしれない。逆に、相対的に高いデータレートをサポートするチャネル(例えば、1秒当たり数メガビット或いはMbpsのオーダー)は、対応する高いパルス繰り返し周波数(PRF)を採用するかもしれない。
【0036】
図9Bは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれない変調の例として、異なったパルス位置或いはオフセットによって規定される異なったチャネル(チャネル1及び2)を示している。チャネル1に対するパルスは、第1のパルスオフセットにしたがって(例えば、図示しないインタイムの与えられたポイントについて)、ライン906によって示されたインタイムのポイントで発生する。逆に、チャネル2に対するパルスは、第2のパルスオフセットにしたがって、ライン908によって示されるようなインタイムのポイントで発生する。パルス間のパルスオフセットの差(矢印910によって示されるような)が与えられると、このテクニックは2つのチャネル間のパルス衝突の可能性を減少させるために用いられるかもしれない。チャネルに対して規定された任意の他のシグナリングパラメータ(例えば、ここで議論されるような)、及びデバイス間のタイミングの正確性(例えば、相対的なクロックドリフト)に依存して、異なったパルスオフセットの使用は、オーソゴナル或いは擬似オーソゴナル(pseudo-orthogonal)チャネルを与えるために用いられるかもしれない。
【0037】
図9Cは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれない、異なったタイミングホッピングシーケンス変調によって規定される異なったチャネル(チャネル1及び2)を示している。例えば、チャネル1に対するパルス912は、1つのタイムホッピングシーケンスにしたがった時間で発生されるかもしれず、チャネル2に対するパルス914は、他のタイムホッピングシーケンスにしたがった時間で発生されるかもしれない。使用される特別のシーケンス及びデバイス間のタイミングの正確性に依存して、このテクニックは、オーソゴナル或いは擬似オーソゴナル(pseudo-orthogonal)チャネルを与えるために用いられるかもしれない。例えば、時間ホップパルスポジション(time hopped pulse position)は、隣のチャネルからの繰り返しパルス衝突の可能性を低減させるために周期的でないかもしれない。
【0038】
図9Dは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれないパルス変調の例として、異なったタイムスロットによって規定される異なったチャネルを示している。チャネルL1に対するパルスは、特定の時間に発生する。同様に、チャネルL2に対するパルスは、他の時間に発生する。同様にして、チャネルL3に対するパルスは、さらに他の時間に発生する。一般に、異なったチャネルに属する時間は、種々のチャネル間での干渉を減少させる或いは除去するために、一致しない或いはオーソゴナルであるかもしれない。
【0039】
他のテクニックが、パルス変調スキームにしたがってチャネルを規定するために用いられるかもしれないことを認識すべきである。例えば、異なったスプレッディング擬似ランダム数シーケンス、或いは他の適切なパラメータに基づいて、チャネルが規定されるかもしれない。さらに、2以上のパラメータの組み合わせに基づいて、チャネルが規定されるかもしれない。
【0040】
図10は、本開示の他の視点にしたがった、種々のチャネルを介して互いに通信する種々のウルトラワイドバンド(UWB)通信デバイスのブロック図を示している。例えば、UWBデバイス1 1002は、2つのコンカレント(concurrent)UWBチャネル1及び2を介して、UWBデバイス2 1004と通信する。UWBデバイス 1002は、単一のチャネル3を介して、UWBデバイス3 1006と通信する。そして、UWBデバイス3 1006は、単一のチャネル4を介して、UWBデバイス4 1008と通信する。他の構成も可能である。通信デバイスは、多くの異なったアプリケーションに利用されるかもしれず、例えば、ヘッドセット、マイクロフォン、バイオメトリックセンサ、ハートレートモニタ、ペドメータ、EKGデバイス、ウオッチ、シュー、リモートコントロール、スイッチ、タイヤプレッシャセンサ、或いは他の通信デバイスに用いられるかもしれない。メディカルデバイスは、スマートバンドエイド、センサ、バイタルサインモニタ、及びその他のものを含むかもしれない。ここで説明された通信デバイスは、自動車、アスレチック、生理学(メディカル)レスポンスをセンスするような、任意のタイプのセンシングアプリケーションに用いられるかもしれない。
【0041】
本開示の任意の上述した視点は、多くの異なったデバイスにインプリメントされるかもしれない。例えば、上述したメディカルアプリケーションに加えて、本開示の視点は、健康及びフィットネスアプリケーションに適用されるかもしれない。さらに、本開示の視点は、異なったタイプのアプリケーションに対するシューズにインプリメントされるかもしれない。ここで説明された本開示の任意の視点に組み入れられるかもしれない多くのアプリケーションが存在する。
【0042】
本開示の種々の視点が上述されてきた。ここでの教示は、広い種々の形態で実施されるかもしれず、ここで開示された任意の特別な構造、機能或いはその両方は、代表的なものにすぎないことは明らかである。ここでの教示に基づき、当業者は、ここで開示された視点が任意の他の視点に依存せずにインプリメントされるかもしれず、2以上のこれらの視点が種々の方法で組み合わされるかもしれないことを認識すべきである。例えば、ここで明らかにされた任意の数の視点を用いて、装置がインプリメントされるかもしれず、方法が実行されるかもしれない。さらに、ここで明らかにされた1以上の視点に追加して或いは1以上の視点以外に、他の構造、機能、或いは構造及び機能を用いて、そのような装置がインプリメントされるかもしれず、そのような方法が実行されるかもしれない。上記コンセプトのいくつかの例として、いくつかの視点においてコンカレントチャネルがパルス繰り返し周波数に基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、パルスポジション或いはオフセットに基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、タイムホッピングシーケンスに基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、パルス繰り返し周波数、パルスポジション或いはオフセット、及びタイムホッピングシーケンスに基づいて確立されるかもしれない。
【0043】
当業者は、インフォメーション及び信号が、種々の任意の異なったテクノロジー及びテクニックを用いて表されるかもしれないことを理解するであろう。例えば、上述した説明を通して参照されるかもしれないデータ、インストラクション、コマンド、インフォメーション、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁気的フィールド又はパーティクル、光学的フィールド又はパーティクル、或いはそれらの組み合わせによって表現されるかもしれない。
【0044】
当業者は、ここで開示された視点に関連して説明された種々のロジックブロック、モジュール、プロセッサ、手段、回路、及びアルゴリズムステップが、電子的ハードウェア(例えば、ソースコーディング又は他のテクニックを用いて設計されるかもしれないデジタルインプリメンテーション、アナログインプリメンテーション、又は2つの組み合わせ)、インストラクションを組み入れた種々の形態のプログラム又はデザインコード(それらは、便宜上、“ソフトウェア”或いは“ソフトウェアモジュール”として、ここでは言及されるかもしれない)、或いは両者の組み合わせとして、インプリメントされるかもしれないことを、さらに認識するであろう。ハードウェア及びソフトウェアのこの互換性を明確にするために、種々のコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、及びステップが、一般にそれらの機能の観点から上述されている。そのような機能が、ハードウェア又はソフトウェアとしてインプリメントされるか否かは、システム全体にインポーズされた特定のアプリケーション及びデザイン制約に依存する。当業者は、各特定のアプリケーションに対する方法を変える際に、説明された機能をインプリメントするかもしれないが、そのようなインプリメンテーションの決定は、本開示の範囲からの逸脱を生じさせるものとして解釈されるべきではない。
【0045】
ここで開示された視点に関連して説明された種々のロジックブロック、モジュール及び回路は、集積回路(“IC”)、アクセスターミナル、或いはアクセスポイント内にインプリメントされ、又は集積回路(“IC”)、アクセスターミナル、或いはアクセスポイントによって実行されるかもしれない。ICは、ここで説明された機能を実行するように設計された汎用目的プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)又は他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲート又はトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、電子コンポーネント、光学コンポーネント、磁気コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせを備えるかもしれず、IC内、ICの外側、或いはその両者に存在するコード又はインストラクションを実行するかもしれない。汎用目的プロセッサは、マイクロプロセッサであるかもしれないが、プロセッサは、任意のコンベンショナルなプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、或いはステートマシンであるかもしれない。プロセッサは、例えば、DSP及びマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアに接続された1以上のマイクロプロセッサ、或いは任意の他のそのような構成といった、コンピューティングデバイスの組み合わせとしてもインプリメントされるかもしれない。
【0046】
任意の開示されたプロセスにおけるステップの特別な順序或いは階層は、サンプルアプローチの一例である。設計の選択に基づき、プロセスにおけるステップの特別の順序又は階層が、本開示の範囲を維持しながら、再アレンジされるかもしれない。添付の方法クレームは、サンプルオーダーにおける種々のステップの要素を提示しており、提示された特別の順序或いは階層に限定されることを意味するものではない。
【0047】
ここで開示された視点に関連して説明された方法又はアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、或いは2つの組み合わせで実施されるかもしれない。ソフトウェアモジュール(例えば、実行可能なインストラクション及び関連するデータを含む)及び他のデータは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、或いは公知の任意の他の形態のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体のようなデータメモリ内に存在するかもしれない。サンプル記憶媒体は、例えば、プロセッサが記憶媒体からインフォメーション(例えば、コード)を読み出す或いはインフォメーションを書き込むようなコンピュータ/プロセッサ(ここでは、便宜上、“プロセッサ”と言及される)のようなマシンに結合されているかもしれない。サンプル記憶媒体は、プロセッサと一体であるかもしれない。プロセッサ及び記憶媒体は、ASIC内に存在するかもしれない。ASICは、ユーザー装置内に存在するかもしれない。或いは、プロセッサ及び記憶媒体は、ユーザー装置内のディスクリートコンポーネントとして存在するかもしれない。さらに、いくつかの視点において、任意の適切なコンピュータプログラム製品は、本開示の1以上の視点に関連したコードを備えたコンピュータ読み取り可能な媒体を備えているかもしれない。いくつかの視点において、コンピュータプログラム製品は、パッケージング材料を備えているかもしてない。
【0048】
本発明が種々の視点に関連して説明されてきたが、本発明はさらなる変更が可能であることが理解されるであろう。この出願は、本発明の以下のような、任意の変更、使用或いは適応をカバーすることが意図されており、一般に、発明の原理、発明が関連する分野内の公知及び慣用的な実施に含まれるような本開示からの発展をカバーする。
【技術分野】
【0001】
本開示は、一般に電力供給システムに関し、より具体的には、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【0002】
高いダイナミック負荷のバースティ(bursty)な性質は、短い期間(例えば、ウルトラワイドバンド(UWB)アプリケーションの場合には3ナノ秒(ns)のオーダー)の間に、例えば数マイクロAmp(μA)から数十ミリAmp(mA)に向かうために、電力レギュレータに対する電流要求を引き起こしている。さらに、電力レギュレータは、非常に短い期間(例えば、パルスポジションUWBシステムに対しては10〜20ns)の間に、初期のバースト(burst)から回復し、次のバーストに対して準備をしなければならない。この素早い負荷要求の変化に加えて、典型的には数十ミリボルト(mV)よりも低い値の負荷を横切る最大電圧リップルに制限される負荷レギュレーション仕様が存在している。
【0003】
ダイナミックな要求は典型的には、その本来のフィードバックレギュレーションスキーム及び相対的に低い帯域幅に起因して、典型的には負荷プロファイルの素早い変化に十分速く反応することができないスイッチモードパワーサプライ(SMPS)或いはロウドロップアウト(LDO)のような、コンベンショナルな電圧レギュレーションスキームの使用を一般的に排除するバースティ負荷オペレーションに関連している。その結果、レギュレーションの視点の1つ、大きくなってきているリップル電圧、レギュレーション能力、或いはレギュレーションキャパシタンスサイズは、常に妥協することはない。
【0004】
このタイプの要求に取り組む現在の解決策は、問題を解決する際に一般的に効果的ではない。例えば、そのようなバースティな電源のレギュレーションに対するLDOレギュレータの使用は、非常に短い時間(例えば、12.5ns)の間に電源をレギュレートするためにループは十分に速くはないという理由のために、困難であろう。さらに、我慢できる最大ドループ(droop)に対する厳重な要求は、非常に大きなバイパスキャパシタを一般的に要求する。さらに、LDOのループ帯域幅は、安定性要求によって制限され、数ns応答を伴うLDOは、実現することが難しい。
【発明の概要】
【0005】
本開示の一視点は、アクティブ回路に対するバイアス電圧を発生する装置に関する。本装置は、第1の電圧源と、第1の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられるチャージを供給するように適応された第1のスイッチングエレメントと、を備える。他の視点において、本装置は、キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラを備える。さらに他の視点において、コントローラは、アクティブデバイスの1以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている。さらに他の視点において、アクティブデバイスの1以上の特性は、アクティブデバイスのゲインを備える。
【0006】
本開示の他の視点において、コントローラは、リファレンス電圧に基づいてキャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている。他の視点において、リファレンス電圧は、アクティブデバイスの1以上の特性に基づく。さらに他の視点において、本装置は、リファレンス電圧を発生するように適応された第2の電圧源を備える。
【0007】
本開示の他の視点において、本装置は、バイアス電圧を形成するために用いられる第2の電圧を発生するように適応された第2の電圧源をさらに備える。他の視点において、第2の電圧源は、アクティブデバイスの1以上の特性に基づいて第2の電圧を生成するように適応されている。さらに他の視点において、本装置は、アクティブデバイスをイネーブルにするために第1の電圧源をアクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントを備える。さらに他の視点において、本装置は、アクティブデバイスをディセーブルにするためにアクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントを備える。
【0008】
本開示の他の視点、効果及び新規な特徴は、添付の図面に関連させて考慮されるとき、本開示の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】図1は、本開示の一視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する例示的な装置のブロック図である。
【図2】図2は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図3】図3は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図4】図4は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図5】図5は、本開示の他の視点にしたがった、例示的なキャパシティブエレメントモジュールのブロック図である。
【図6】図6は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置をキャリブレートする例示的な方法のフロー図である。
【図7A】図7Aは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する例示的な方法に関連するタイミング図である。
【図7B】図7Bは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な方法に関連するタイミング図である。
【図8】図8は、本開示の他の視点にしたがった、例示的な通信システムのブロック図である。
【図9A】図9Aは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図9B】図9Bは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図9C】図9Cは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図9D】図9Dは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図10】図10は、本開示の他の視点にしたがった、種々のチャネルを介して互いに通信する種々の通信デバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示の種々の視点が、以下に説明される。ここでの教示は、広範な種々の形態で実施されるかもしれず、ここで開示される任意の特定の構成、機能或いは両者が単なる代表的なものであることは、明白である。ここでの教示に基づき、当業者は、ここで開示された視点が他の視点から独立してインプリメントされるかもしれず、2以上のこれらの視点が種々の方法で組み合わされるかもしれないことを、認識すべきである。例えば、ここで明らかにされる任意の数の視点を用いて、装置がインプリメントされるかもしれず、方法が実行されるかもしれない。さらに、ここで明らかにされる1以上の視点に加えての或いは1以上の視点以外の他の構成、機能、或いは構成及び機能を用いて、そのような装置がインプリメントされるかもしれず、そのような方法が実行されるかもしれない。
【0011】
図1は、本開示の一視点にしたがった、アクティブデバイス150に対するバイアス電圧VB を発生する例示的な装置100のブロック図を示している。本装置100は、電圧VS を発生する手段としての電圧源(voltage source)モジュール102、電圧VS に応答してチャージを発生する手段としてのキャパシティブエレメントモジュール104、アクティブデバイス150に対するバイアス電圧VB を発生するために用いられるチャージを供給する(deliver)手段としてのスイッチングエレメントモジュール106を備えている。
【0012】
一視点において、バイアス電圧VB を発生することのプロセスは、以下の動作を含んでいるかもしれない:(1)規定された時間間隔で電圧源モジュール102をキャパシティブエレメントモジュール104に結合し、規定された量のチャージQを発生する;(2)規定された量のチャージQが発生すると、電圧源モジュール102をキャパシティブエレメントモジュール104から非結合にし;(3)キャパシティブエレメントモジュール104をアクティブデバイス150に結合させるために、スイッチングエレメントモジュール106をアクティベートし、アクティブデバイスに対するバイアス電圧VB を発生させるためにチャージQが供給される。このプロセスは、アクティブデバイス150をバイアスすることに関連するリーク電流が相対的に小さい或いは無視可能である場合により適切であり、アクティブデバイスの動作中にバイアス電圧VB は実質的にコンスタント(例えば、規定されたコンスタントレベル)であることを維持する。
【0013】
他の視点において、バイアス電圧VB を形成することのプロセスは、以下の動作を含んでいるかもしれない:(1)規定された時間間隔で電圧源モジュール102をキャパシティブエレメントモジュール104に結合し、規定された量のチャージQを発生する;(2)電圧源モジュール102及びキャパシティブエレメントモジュール104の両者をアクティブデバイス150に結合させるために、スイッチングエレメントモジュール106をアクティベートし、チャージQ及び電源電圧VS の両者がアクティブデバイスに対するバイアス電圧VB を発生することに貢献するようにする。このプロセスは、アクティブデバイス150をバイアスすることに関連するリーク電流が重要である場合により適切であり、それはバイアス電圧VB の重要なドロップに帰結するかもしれない。それ故、アクティブデバイス150の動作中にバイアス電圧VB を実質的にコンスタント(例えば、規定されたコンスタントレベル)に維持するために、電圧源モジュール102はアクティブデバイスに結合されることが維持される。
【0014】
図2は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生する他の例示的な装置200のブロック図を示している。要約すると、本装置は、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生するために用いられるチャージQの電源(source)を含んでいる。さらに、本装置200は、キャパシティブエレメントモジュールをキャリブレートするためのリファレンス電圧を発生するように適応された電圧源を含んでいる。そのような電圧は、アクティブデバイス250をバイアスすることに関連するリーク電流を補償するために補足の電圧としても用いられるかもしれない。さらに、本装置200は、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生するために、チャージQ及び/又は補足の電圧を供給するスイッチングエレメントを含んでいる。さらに、本装置は、アクティブデバイス250の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)を検出し、検出された1以上の特性にしたがってリファレンス電圧を調整するコントローラを含んでいる。
【0015】
特に、本装置は、第1の電圧源モジュール202、キャパシティブエレメントモジュール204、第1のスイッチングエレメントモジュール206、第2の電圧源モジュール208、第2のスイッチングエレメントモジュール210、及びコントローラ212を備えている。第1の電圧源モジュール202及びキャパシティブエレメントモジュール204の両者は、コントローラ212のコントロール下において、規定されて量のチャージQを発生するように構成されている。より具体的には、第1の電圧源モジュール202は、第1の電圧V1 を発生するように適応されている。キャパシティブエレメントモジュール204は、第1の電圧V1 に基づいて及び/又は応答してチャージQを発生するように適応されている。コントローラ212は、アクティブデバイス250の1以上の特性を検出するかもしれず、検出された1以上の特性に基づいてチャージQをコントロールするかもしれない。
【0016】
第2の電圧源モジュール208及び第2のスイッチングエレメントモジュール210は、キャパシティブエレメントモジュール204をキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧V2 を発生するように適応されている。さらに、電圧V2 は、補足の電圧(supplemental voltage)として用いられるかもしれず、それは、キャパシティブエレメントモジュール204によって発生されたチャージQに関連して、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生する。例えば、補足の電圧V2 は、アクティブデバイス250をバイアスすることに関連する著しいリーク電流があるときに用いられるかもしれない。そのような場合、補足の電圧V2 の使用がないと、バイアス電圧VB はアクティブデバイス250の動作中に著しくドロップするかもしれない。一方、補足の電圧V2 があると、バイアス電圧VB は規定された電圧範囲に維持されるかもしれない。より具体的には、第2の電圧源208は、コントローラ212のコントロール下において、電圧V2 を発生するように適応されている。コントローラ212は、アクティブデバイス250の1以上の特性を検出するかもしれず、検出された1以上の特性に基づいて補足の電圧V2 をコントロールするかもしれない。
【0017】
さらに、コントローラ212は、キャパシティブエレメントモジュール204のキャパシタンスをキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧を発生するために、第2の電圧源モジュール208を構成するかもしれない。例えば、コントローラ212は、アクティブデバイス250の1以上の特性に基づいてリファレンス電圧V2 を調整するかもしれない。リファレンス電圧が設定されると、コントローラ212は、第1の電圧源モジュール202及びキャパシティブエレメントモジュール204をアクティベートしてチャージQを形成し、キャパシティブエレメントモジュール204の出力に電圧を発現させる。そして、コントローラ212は、キャパシティブエレメントモジュール204のキャパシタンスを調整して、リファレンス電圧V2 に基づいてその出力で電圧を調整するかもしれない。最後に、コントローラ212は、アクティブデバイス250に対するバイアス電圧VB を発生するために、チャージQ及び/又は補足の電圧V2 を供給するための第1及び/又は第2のスイッチングエレメントモジュール206及び210を選択的にアクティベートするかもしれない。
【0018】
図3は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する他の例示的な装置300のブロック図を示している。本装置300は、すでに議論された装置100及び200のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。要約すると、本装置300は、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生するために用いられるチャージQの電源(source)を含んでいるかもしれない。さらに、本装置300は、チャージ形成エレメントをキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧V2 を発生するように適応された電圧源を含んでいる。さらに、電圧V2 は、アクティブデバイスMA をバイアスすることに関連するリーク電流を補償するために、補足の電圧としても用いられるかもしれない。さらに、本装置300は、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を形成するために、チャージQ及び/又は電圧V2 を供給するためのスイッチングエレメントを含んでいる。さらに、本装置300は、アクティブデバイスMA の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)を検出するためのコントローラを含み、検出された1以上の特性にしたがってリファレンス電圧V2 を調整する。
【0019】
特に、本装置300は、抵抗R1 、R2 及びR3 、キャパシタCA 及びCB 、スイッチS1 〜S6 、コンパレータ302、及びキャリブレーションコントローラ304を備えている。電源電圧Vdd、抵抗R1 及びR2 、及びスイッチS1 は、上述した第2の電源モジュールとして構成され、リファレンス又は補足の電圧V2 を発生するかもしれない。電源電圧Vdd、キャパシタCA 及びCB 、及びスイッチS4A、S4B、/S4A、及び/S4B、は、上述したキャパシティブエレメントモジュールとして構成され、電源電圧Vdd(例えば、上述したようなV1 )に基づいて又は応答してチャージQを発生するかもしれない。抵抗R3 及びスイッチS2 は、上述した第1のスイッチエレメントモジュールとして構成され、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生するためにチャージQ及び/又は補足の電圧V2 を選択的に供給するかもしれない。入力RF信号が存在する間、スイッチS2 はターンオフし、抵抗R3 は、入力RF信号がキャパシタCA 及びCB の方向に向かってリークすることを実質的に防止するかもしれない。
【0020】
スイッチS5 は、上述した第2のスイッチングエレメントモジュールとして構成されるかもしれず、補足の電圧V2 を選択的に第1のスイッチングエレメントモジュール(例えば、S2 及びR3 )の入力に印加するかもしれない。リファレンスとして、電圧V2 は、キャパシティブエレメントモジュール(例えば、CA 及びCB )をキャリブレートする目的のために、キャパシタ302の入力に印加される。キャパシタ302は、リファレンス電圧V2 とチャージQに関連する電圧との差のファンクションである出力を発生する。コントロールモジュール304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)に基づいて、キャパシタCA 及びCB のキャパシタンス及び/又は抵抗R1 及びR2 を調整するように適応されている。これらのパラメータのキャリブレーションに関連するプロセス及びバイアス電圧VB の形成は、フロー及びタイミング図を参照して以下でさらに議論される。
【0021】
この例において、アクティブデバイスMA は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)として構成されるかもしれない。アクティブデバイスMA は、CP の実効的な入力キャパシタンスを有するかもしれず、それは、デバイスMA のゲート−ソースキャパシタンス、抵抗R4 に関連するキャパシタンス、及び他の寄生キャパシタンスを含むかもしれない。スイッチS6 は、キャパシタCP を選択的に放電するように構成されるかもしれない。アクティブデバイスMA は、例えば、デバイスのバイアシング、速いイネーブリング/ディセーブリング、及び周波数チューニングに対する他のデバイスに関連するかもしれない。例えば、上述したように、抵抗R4 は、デバイスMA に対する規定されたソース電圧或いはゲート−ソース電圧を発生するように構成されるかもしれない。スイッチS3 及び/S3 及びMOSFET MB は、アクティブデバイスMA を素早くイネーブル及びディセーブルするように構成されるかもしれない。例えば、S3 がオン(オープン)で、/S3 がオフ(クローズ)のときに、MOSFET MB はターンオンし、電源電圧Vddが、負荷に関連するインダクタンスLL を介してデバイスMA に印加される。S3 がオフで、/S3 がオンのときに、MOSFET MB はターンオフし、電源電圧VddがデバイスMA に印加されることを阻止する。
【0022】
さらに、この例において、アクティブデバイスMA は、無線周波数(RF)増幅器(例えば、ロウノイズ増幅器(LNA)のような)として構成されるかもしれず、デバイスMA のゲートは入力RF信号を受けるように適応され、デバイスMA のドレインは出力RF信号を生成するように適応される。負荷インダクタンスLL は、増幅器MA に対する規定された中心周波数及び帯域幅を設定するように構成されるかもしれない。そのような増幅器は単なる一例であり、他の変更及び/又はタイプが、ここで説明されるバイアス技術に用いられるかもしれないことを理解すべきである。例えば、増幅器は、ディジェネレーション抵抗R4 なしのコモンソース増幅器であり得る。相対的に短い期間で設定するためのバイアス電圧を必要とするかもしれない他のタイプの増幅器或いはデバイスが、ここで説明される技術を利用するかもしれない。
【0023】
図4は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する他の例示的な装置400のブロック図を示している。本装置400は、すでに説明した装置300と類似しており、同様の参照シンボルで示された同一のエレメントを含み、数字“3”の代わりに“4”であることを除いて、同様の参照番号である。装置300及び400の違いは、装置300における抵抗R1 が電流源406に置き換わっていることであり、それは実質的に固定された或いは可変の電流を発生するように構成されることができる。第2の電圧源モジュールに対する他の構成及び装置300及び400の他のモジュールがインプリメントされるかもしれない。
【0024】
図5は、本開示の他の視点にしたがった、例示的なキャパシティブエレメントモジュール500のブロック図を示している。キャパシティブエレメントモジュール500は、すでに説明されたキャパシティブエレメントモジュールの詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。この例において、キャパシティブエレメントモジュール500は、対応するスイッチS4A1 からS4An を伴った直列に結合されたキャパシタCA1からCAnを含む第1のバイナリウエイテッドキャパシタバンクを備えている。キャパシティブエレメントモジュール500は、対応するスイッチS4B1 からS4Bn を伴った直列に結合されたキャパシタCB1からCBnを含む第2のバイナリウエイテッドキャパシタバンクを備えている。装置300及び400を参照すると、第1のバイナリウエイテッドキャパシタバンクCA1からCAnは、可変キャパシタCA のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。対応するスイッチS4A1 からS4An は、スイッチS4Aのより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。第2のバイナリウエイテッドキャパシタバンクCB1からCBnは、可変キャパシタCB のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。対応するスイッチS4B1 からS4Bn は、スイッチS4Bのより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。
【0025】
図6は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を形成する装置をキャリブレートする例示的な方法600のフロー図を示している。要約すると、方法600によれば、アクティブデバイスMA の1以上の検出された特性に基づいて、リファレンス電圧V2 が最初にキャリブレートされる(ブロック602から614)。そして、キャパシティブエレメントモジュールが、キャリブレートされたリファレンス電圧V2 に基づいて調整される(ブロック616から630)。
【0026】
さらに図3を参照すると(本方法600は、図4にも適用可能である)、コントローラ304は、抵抗R1 及びR2 をデフォルト値に設定し、イニシャルリファレンス電圧V2 (例えば、Vddの1/2)を発生する(ブロック602)。コントローラ304は、スイッチS2 、S4A、S4B及びS6 をターンオフする(ブロック604)。スイッチS2 がオフにされ、R3 がRFリークを阻止するように動作し;S4A及びS4Bがオフにされ、キャパシタCA 及びCB をアクティブデバイスMA から非結合にさせ;スイッチS6 がオフにされ、バイアス電圧VB がキャパシタCP をまたいで発現できるようにする。コントローラ304は、スイッチS1 及びS5 をターンオンし、電圧V2 をアクティブデバイスMA のゲートに印加し、スイッチS2 及びS3 をターンオンさせ、スイッチ/S3 をターンオフさせることによって、アクティブデバイスMA をバイアスする(ブロック606)。アクティブデバイスMA は、連続的に動作する。コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性(例えば、信号ゲイン、バイアス電圧VB 等)を検出する(ブロック608)。
【0027】
コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の検出された特性が仕様(specification)内であるか否かを決定する(ブロック612)。アクティブデバイスMA の1以上の特性が仕様内でなければ、コントローラ304は、1以上の特性に基づいて抵抗R1 及び/又はR2 を調整することによって電圧V2 を変化させる(ブロック614)。一例として、アクティブデバイスMA のゲインが仕様よりも低ければ、コントローラ304は、抵抗R1 及び/又はR2 を調整して、アクティブデバイスMA のゲインが増加するように電圧V2 を増加させるかもしれない。一方、アクティブデバイスMA のゲインが仕様よりも高ければ、コントローラ304は、抵抗R1 及び/又はR2 を調整して、アクティブデバイスMA のゲインが減少するように電圧V2 を減少させるかもしれない。コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性が仕様内になるまで、ブロック604から614の動作のいくつか又は全てを繰り返す。
【0028】
ブロック612において、コントローラ304は、アクティブデバイスMA の1以上の特性が仕様内であることを決定し、コントローラは、スイッチS2 及びS5 をターンオフし、デバイスをバイアスする(ブロック616)。コントローラ304は、各キャパシタバンク内のバイナリウエイテッドキャパシタの数として、反復回数(iteration count)iからnを設定するかもしれない(ブロック618)。コントローラ304は、キャパシタバンクのスイッチS4Ai 及びS4Bi をターンオンする(バンク内の残りのキャパシタはターンオフされる)(ブロック620)。コントローラ304は、キャパシティブエレメントモジュールの出力での電圧をキャリブレートされた電圧V2 と比較する(ブロック622)。コントローラ304は、比較に基づいてスイッチS4Ai 及びS4Bi いずれか一方をターンオフする(ブロック624)。コントローラ304は、反復回数iを1だけデクリメントし(ブロック626)、反復回数iがゼロに等しいか否かを判断する(ブロック628)。反復回数iがゼロに等しくなければ、コントローラ304はブロック620から628で規定された動作を繰り返す。そうでなければ、コントローラ304は、キャリブレーション手続を終了する(ブロック630)。
【0029】
図7Aは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する例示的な方法に関するタイミング図である。この例において、アクティブデバイスMA は、複数のパルスを備えた入力RF信号を増幅するように構成されている。入力RF信号は、パルスを有する信号に限定される必要がないことが理解されるであろう。タイミング図によれば、入力RF信号に関連する各パルスインターバルに対して、バイアス電圧VB を形成すること及びアクティブデバイスMA をアクティベートすることは、バイアス電圧VB を形成するためにスイッチS2 、S3 、S4A及びS4Bを実質的に同時にターンオンすることを必要とする。スイッチS1 、S5 及びS6 は、バイアス電圧VB を形成する間、オフを維持するかもしれない。スイッチS2 は、バイアス電圧が規定された安定性に達するまでオンに維持されるかもしれず、それはスイッチS3 、S4A及びS4Bのオン時間よりも短い期間であるかもしれない。タイミング的に、入力RF信号のパルスは、スイッチS3 、S4A及びS4Bだけがオンであるときに時間間隔(time interval)に到達する。そして、パルスの処理の後に、スイッチS3 、S4A及びS4Bがターンオフしてパルスインターバル1が完了するかもしれない。この同一のプロセスが、示されたように、入力RF信号の残りのパルスインターバルに対して繰り返されるかもしれない。
【0030】
図7Bは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスMA に対するバイアス電圧VB を発生する例示的な方法に関するタイミング図である。この例において、アクティブデバイスMA は、複数のパルスを備えた入力RF信号を増幅するように構成されている。入力RF信号は、パルスを有する信号に限定される必要がないことが理解されるであろう。タイミング図によれば、入力RF信号に関連する各パルスインターバルに対して、バイアス電圧VB を形成すること及びアクティブデバイスMA をアクティベートすることは、バイアス電圧VB を形成するためにスイッチS2 、S3 、S4A、S4B及びS5 を実質的に同時にターンオンすることを必要とする。スイッチS1 は、アクティブデバイスをバイアスすることに関連して任意のリーク電流を補償するためにアクティブデバイスMA に電圧V2 を印加することができるようにするため、パルス処理プロセスの間、ターンオンされるかもしれない。スイッチS6 は、バイアス電圧VB が発現できるように、パルスインターバルの少し前からパルスインターバルの少し後まで、オフに維持されるかもしれない。任意のパルスインターバルの前及びパルスインターバルの間に、スイッチS6 がターンオンしてキャパシタCPを放電し、バイアス電圧VB が既知の電位(例えば、グラウンド電位)から発現されるかもしれない。スイッチS2 は、バイアス電圧が規定された安定性に達するまでオンに維持されるかもしれず、それはスイッチS3 、S4A、S4B及びS5 のオン時間よりも短い期間であるかもしれない。タイミング的に、入力RF信号のパルスは、スイッチS3 、S4A,S4B及びS5 だけがオンであるときに時間間隔(time interval)に到達する。そして、パルスの処理の後に、スイッチS3 、S4A、S4B及びS5 がターンオフしてパルスインターバル1が完了するかもしれない。この同一のプロセスが、示されたように、入力RF信号の残りのパルスインターバルに対して繰り返されるかもしれない。
【0031】
図8は、本開示の他の視点にしたがった、例示的な通信デバイス800のブロック図を示している。通信デバイス800は、電圧レギュレータとしてすでに議論された任意の装置を使用する通信デバイスの一例示的インプリメンテーションであるかもしれない。特に、通信デバイス800は、アンテナ802、ロウノイズ増幅器(LNA)804、パルス復調器806、第1の電圧レギュレータ808、受信機ベースバンドプロセッシングモジュール810、フェイズロックループ(PLL)及び/又は電圧制御発振器(VCO)812、リファレンス発振器814、送信機ベースバンドプロセッシングモジュール816、パルス変調器818,第2の電圧レギュレータ820、及び電力増幅器(PA)822を備えている。
【0032】
ソース通信デバイスとして、目的地通信デバイスに送信されるデータは、送信機ベースバンドプロセッシングモジュール816に送られる。送信機ベースバンドプロセッシングモジュール816は、送信データを処理して出力ベースバンド信号を発生する。パルス変調器818は、出力ベースバンド信号に基づいて、パルス(例えば、ウルトラワイドバンド(UWB)パルス)を発生する。第2の電圧レギュレータ820は、パルスを発生させるために、適切な時間にパルス変調器818にチャージを供給する。PA822は、UWBパルス信号を増幅し、無線媒体への送信のために、それをTx/Rxアイソレーションデバイス804を介してアンテナ802に供給する。第2の電圧レギュレータ820は、パルスを増幅するために、適切な時間にチャージをPA822に供給する。送信データは、センサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、RISCプロセッサ、キーボード、マウス或いはトラックボールのようなポインティングデバイス、マイクロフォンのようなトランスデューサを含むヘッドセットのようなオーディオデバイス、メディカルデバイス、シュー、データを発生するロボティック或いはメカニカルデバイス、タッチセンシティブディスプレイのようなユーザーインターフェース、等によって発生するかもしれない。
【0033】
目的地通信デバイスとして、受信されたRF信号(例えば、インバウンドUWBパルス)は、アンテナ802によってピックアップされ、LNA804に加えられ、それは受信されたRF信号を増幅する。第1の電圧レギュレータ808は、受信された信号が増幅されるようにするため、適切な時間にチャージをLNA804に供給する。パルス復調器806は、受信されたUWB信号に基づいてインバウンドベースバンド信号を発生する。第1の電圧レギュレータ808はまた、パルスを適切に処理するために、適切な時間にチャージをパルス復調器806に供給する。受信機ベースバンドプロセッシング810は、入力するベースバンド信号を処理して、受信されたデータを発生する。データプロセッサ(図示せず)は、受信されたデータに基づいて、1以上の規定された動作を実行するかもしれない。例えば、データプロセッサは、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、リデューストインストラクションセットコンピュータ(RISC)プロセッサ、ディスプレイ、スピーカのようなトランスデューサを含むヘッドセットのようなオーディオデバイス、メディカルデバイス、シュー、ウオッチ、データに応答するロボティック或いはメカニカルデバイス、ディスプレイのようなユーザーインターフェース、1以上の発光ダイオード(LED)、等を含むかもしれない。
【0034】
図9Aは、ここで説明される任意の通信システム、デバイス及び装置に採用されるかもしれないパルス変調の例として、異なったパルス繰り返し周波数(pulse repetition frequency)(PRF)によって規定される異なったチャネル(チャネル1及び2)を示している。具体的には、チャネル1に対するパルスは、パルストゥパルス遅延期間902に対応するパルス繰り返し周波数(PRF)を有している。逆に、チャネル2に対するパルスは、パルストゥパルス遅延期間904に対応するパルス繰り返し周波数(PRF)を有している。このテクニックは、2つのチャネル間のパルス衝突の相対的に低い可能性を有する擬似オーソゴナル(pseudo-orthogonal)チャネルを規定するために用いられるかもしれない。特に、パルス衝突の低い可能性は、パルスに対する低いデューティサイクルの使用によって達成されるかもしれない。例えば、パルス繰り返し周波数(PRF)の適切な選択により、与えられたチャネルに対する実質的に全てのパルスが、任意の他のチャネルに対するパルスとは異なった時間で送信されるかもしれない。
【0035】
与えられたチャネルに対して規定されたパルス繰り返し周波数(PRF)は、そのチャネルによってサポートされるデータレートに依存しているかもしれない。例えば、非常に低いデータレートをサポートするチャネル(例えば、1秒当たり数キロビット或いはKbpsのオーダー)は、対応する低いパルス繰り返し周波数(PRF)を採用するかもしれない。逆に、相対的に高いデータレートをサポートするチャネル(例えば、1秒当たり数メガビット或いはMbpsのオーダー)は、対応する高いパルス繰り返し周波数(PRF)を採用するかもしれない。
【0036】
図9Bは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれない変調の例として、異なったパルス位置或いはオフセットによって規定される異なったチャネル(チャネル1及び2)を示している。チャネル1に対するパルスは、第1のパルスオフセットにしたがって(例えば、図示しないインタイムの与えられたポイントについて)、ライン906によって示されたインタイムのポイントで発生する。逆に、チャネル2に対するパルスは、第2のパルスオフセットにしたがって、ライン908によって示されるようなインタイムのポイントで発生する。パルス間のパルスオフセットの差(矢印910によって示されるような)が与えられると、このテクニックは2つのチャネル間のパルス衝突の可能性を減少させるために用いられるかもしれない。チャネルに対して規定された任意の他のシグナリングパラメータ(例えば、ここで議論されるような)、及びデバイス間のタイミングの正確性(例えば、相対的なクロックドリフト)に依存して、異なったパルスオフセットの使用は、オーソゴナル或いは擬似オーソゴナル(pseudo-orthogonal)チャネルを与えるために用いられるかもしれない。
【0037】
図9Cは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれない、異なったタイミングホッピングシーケンス変調によって規定される異なったチャネル(チャネル1及び2)を示している。例えば、チャネル1に対するパルス912は、1つのタイムホッピングシーケンスにしたがった時間で発生されるかもしれず、チャネル2に対するパルス914は、他のタイムホッピングシーケンスにしたがった時間で発生されるかもしれない。使用される特別のシーケンス及びデバイス間のタイミングの正確性に依存して、このテクニックは、オーソゴナル或いは擬似オーソゴナル(pseudo-orthogonal)チャネルを与えるために用いられるかもしれない。例えば、時間ホップパルスポジション(time hopped pulse position)は、隣のチャネルからの繰り返しパルス衝突の可能性を低減させるために周期的でないかもしれない。
【0038】
図9Dは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれないパルス変調の例として、異なったタイムスロットによって規定される異なったチャネルを示している。チャネルL1に対するパルスは、特定の時間に発生する。同様に、チャネルL2に対するパルスは、他の時間に発生する。同様にして、チャネルL3に対するパルスは、さらに他の時間に発生する。一般に、異なったチャネルに属する時間は、種々のチャネル間での干渉を減少させる或いは除去するために、一致しない或いはオーソゴナルであるかもしれない。
【0039】
他のテクニックが、パルス変調スキームにしたがってチャネルを規定するために用いられるかもしれないことを認識すべきである。例えば、異なったスプレッディング擬似ランダム数シーケンス、或いは他の適切なパラメータに基づいて、チャネルが規定されるかもしれない。さらに、2以上のパラメータの組み合わせに基づいて、チャネルが規定されるかもしれない。
【0040】
図10は、本開示の他の視点にしたがった、種々のチャネルを介して互いに通信する種々のウルトラワイドバンド(UWB)通信デバイスのブロック図を示している。例えば、UWBデバイス1 1002は、2つのコンカレント(concurrent)UWBチャネル1及び2を介して、UWBデバイス2 1004と通信する。UWBデバイス 1002は、単一のチャネル3を介して、UWBデバイス3 1006と通信する。そして、UWBデバイス3 1006は、単一のチャネル4を介して、UWBデバイス4 1008と通信する。他の構成も可能である。通信デバイスは、多くの異なったアプリケーションに利用されるかもしれず、例えば、ヘッドセット、マイクロフォン、バイオメトリックセンサ、ハートレートモニタ、ペドメータ、EKGデバイス、ウオッチ、シュー、リモートコントロール、スイッチ、タイヤプレッシャセンサ、或いは他の通信デバイスに用いられるかもしれない。メディカルデバイスは、スマートバンドエイド、センサ、バイタルサインモニタ、及びその他のものを含むかもしれない。ここで説明された通信デバイスは、自動車、アスレチック、生理学(メディカル)レスポンスをセンスするような、任意のタイプのセンシングアプリケーションに用いられるかもしれない。
【0041】
本開示の任意の上述した視点は、多くの異なったデバイスにインプリメントされるかもしれない。例えば、上述したメディカルアプリケーションに加えて、本開示の視点は、健康及びフィットネスアプリケーションに適用されるかもしれない。さらに、本開示の視点は、異なったタイプのアプリケーションに対するシューズにインプリメントされるかもしれない。ここで説明された本開示の任意の視点に組み入れられるかもしれない多くのアプリケーションが存在する。
【0042】
本開示の種々の視点が上述されてきた。ここでの教示は、広い種々の形態で実施されるかもしれず、ここで開示された任意の特別な構造、機能或いはその両方は、代表的なものにすぎないことは明らかである。ここでの教示に基づき、当業者は、ここで開示された視点が任意の他の視点に依存せずにインプリメントされるかもしれず、2以上のこれらの視点が種々の方法で組み合わされるかもしれないことを認識すべきである。例えば、ここで明らかにされた任意の数の視点を用いて、装置がインプリメントされるかもしれず、方法が実行されるかもしれない。さらに、ここで明らかにされた1以上の視点に追加して或いは1以上の視点以外に、他の構造、機能、或いは構造及び機能を用いて、そのような装置がインプリメントされるかもしれず、そのような方法が実行されるかもしれない。上記コンセプトのいくつかの例として、いくつかの視点においてコンカレントチャネルがパルス繰り返し周波数に基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、パルスポジション或いはオフセットに基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、タイムホッピングシーケンスに基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、パルス繰り返し周波数、パルスポジション或いはオフセット、及びタイムホッピングシーケンスに基づいて確立されるかもしれない。
【0043】
当業者は、インフォメーション及び信号が、種々の任意の異なったテクノロジー及びテクニックを用いて表されるかもしれないことを理解するであろう。例えば、上述した説明を通して参照されるかもしれないデータ、インストラクション、コマンド、インフォメーション、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁気的フィールド又はパーティクル、光学的フィールド又はパーティクル、或いはそれらの組み合わせによって表現されるかもしれない。
【0044】
当業者は、ここで開示された視点に関連して説明された種々のロジックブロック、モジュール、プロセッサ、手段、回路、及びアルゴリズムステップが、電子的ハードウェア(例えば、ソースコーディング又は他のテクニックを用いて設計されるかもしれないデジタルインプリメンテーション、アナログインプリメンテーション、又は2つの組み合わせ)、インストラクションを組み入れた種々の形態のプログラム又はデザインコード(それらは、便宜上、“ソフトウェア”或いは“ソフトウェアモジュール”として、ここでは言及されるかもしれない)、或いは両者の組み合わせとして、インプリメントされるかもしれないことを、さらに認識するであろう。ハードウェア及びソフトウェアのこの互換性を明確にするために、種々のコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、及びステップが、一般にそれらの機能の観点から上述されている。そのような機能が、ハードウェア又はソフトウェアとしてインプリメントされるか否かは、システム全体にインポーズされた特定のアプリケーション及びデザイン制約に依存する。当業者は、各特定のアプリケーションに対する方法を変える際に、説明された機能をインプリメントするかもしれないが、そのようなインプリメンテーションの決定は、本開示の範囲からの逸脱を生じさせるものとして解釈されるべきではない。
【0045】
ここで開示された視点に関連して説明された種々のロジックブロック、モジュール及び回路は、集積回路(“IC”)、アクセスターミナル、或いはアクセスポイント内にインプリメントされ、又は集積回路(“IC”)、アクセスターミナル、或いはアクセスポイントによって実行されるかもしれない。ICは、ここで説明された機能を実行するように設計された汎用目的プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)又は他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲート又はトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、電子コンポーネント、光学コンポーネント、磁気コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせを備えるかもしれず、IC内、ICの外側、或いはその両者に存在するコード又はインストラクションを実行するかもしれない。汎用目的プロセッサは、マイクロプロセッサであるかもしれないが、プロセッサは、任意のコンベンショナルなプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、或いはステートマシンであるかもしれない。プロセッサは、例えば、DSP及びマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアに接続された1以上のマイクロプロセッサ、或いは任意の他のそのような構成といった、コンピューティングデバイスの組み合わせとしてもインプリメントされるかもしれない。
【0046】
任意の開示されたプロセスにおけるステップの特別な順序或いは階層は、サンプルアプローチの一例である。設計の選択に基づき、プロセスにおけるステップの特別の順序又は階層が、本開示の範囲を維持しながら、再アレンジされるかもしれない。添付の方法クレームは、サンプルオーダーにおける種々のステップの要素を提示しており、提示された特別の順序或いは階層に限定されることを意味するものではない。
【0047】
ここで開示された視点に関連して説明された方法又はアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、或いは2つの組み合わせで実施されるかもしれない。ソフトウェアモジュール(例えば、実行可能なインストラクション及び関連するデータを含む)及び他のデータは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、或いは公知の任意の他の形態のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体のようなデータメモリ内に存在するかもしれない。サンプル記憶媒体は、例えば、プロセッサが記憶媒体からインフォメーション(例えば、コード)を読み出す或いはインフォメーションを書き込むようなコンピュータ/プロセッサ(ここでは、便宜上、“プロセッサ”と言及される)のようなマシンに結合されているかもしれない。サンプル記憶媒体は、プロセッサと一体であるかもしれない。プロセッサ及び記憶媒体は、ASIC内に存在するかもしれない。ASICは、ユーザー装置内に存在するかもしれない。或いは、プロセッサ及び記憶媒体は、ユーザー装置内のディスクリートコンポーネントとして存在するかもしれない。さらに、いくつかの視点において、任意の適切なコンピュータプログラム製品は、本開示の1以上の視点に関連したコードを備えたコンピュータ読み取り可能な媒体を備えているかもしれない。いくつかの視点において、コンピュータプログラム製品は、パッケージング材料を備えているかもしてない。
【0048】
本発明が種々の視点に関連して説明されてきたが、本発明はさらなる変更が可能であることが理解されるであろう。この出願は、本発明の以下のような、任意の変更、使用或いは適応をカバーすることが意図されており、一般に、発明の原理、発明が関連する分野内の公知及び慣用的な実施に含まれるような本開示からの発展をカバーする。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第1の電圧源と、
前記第1の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応された第1のスイッチングエレメントと、
を備えた装置。
【請求項2】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラをさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項3】
前記コントローラは、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
請求項2の装置。
【請求項4】
前記アクティブデバイスの前記1以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項3の装置。
【請求項5】
前記コントローラは、リファレンス電圧に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
請求項2の装置。
【請求項6】
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項5の装置。
【請求項7】
前記リファレンス電圧を発生するように適応された第2の電圧源をさらに備えた
請求項5の装置。
【請求項8】
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第2の電圧を発生するように適応された第2の電圧源をさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項9】
前記第2の電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項8の装置。
【請求項10】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第1の電圧源を前記アクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントをさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項11】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントをさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項12】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する方法であって、
第1の電圧を発生することと、
前記第1の電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを発生することと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
を備えた方法。
【請求項13】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項14】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項13の方法。
【請求項15】
前記アクティブデバイスの前記1以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項14の方法。
【請求項16】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、リファレンス電圧に基づく
請求項13の方法。
【請求項17】
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項16の方法。
【請求項18】
前記リファレンス電圧を発生することをさらに備えた
請求項16の方法。
【請求項19】
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第2の電圧を発生することをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項20】
前記第2の電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性の関数である
請求項19の方法。
【請求項21】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第1の電圧を前記アクティブデバイスに印加することをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項22】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスにグラウンド又は他の電位を印加することをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項23】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第1の電圧を発生する手段と、
前記第1の電圧に応答してチャージを発生する手段と、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給する手段と、
を備えた装置。
【請求項24】
前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールする手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項25】
前記コントロールする手段は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
請求項24の装置。
【請求項26】
前記アクティブデバイスの前記1以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項25の装置。
【請求項27】
前記コントロールする手段は、リファレンス電圧に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
請求項24の装置。
【請求項28】
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項27の装置。
【請求項29】
前記リファレンス電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項27の装置。
【請求項30】
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる第2の電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項31】
前記第2の電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項30の装置。
【請求項32】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第1の電圧を発生する手段を前記アクティブデバイスに結合させる手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項33】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に結合させる手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項34】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置によって実行可能なインストラクションを備えたコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、
電圧を発生することと、
前記電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを発生することと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
を前記装置が備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項35】
オーディオデータを発生するように適応されたトランスデューサと、
前記オーディオデータを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたヘッドセット。
【請求項36】
データを受信するように適応された受信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記受信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたユーザーデバイス。
【請求項37】
データを取得するように適応されたセンサと、
前記データを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたセンシングデバイス。
【請求項1】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第1の電圧源と、
前記第1の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応された第1のスイッチングエレメントと、
を備えた装置。
【請求項2】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラをさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項3】
前記コントローラは、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
請求項2の装置。
【請求項4】
前記アクティブデバイスの前記1以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項3の装置。
【請求項5】
前記コントローラは、リファレンス電圧に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
請求項2の装置。
【請求項6】
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項5の装置。
【請求項7】
前記リファレンス電圧を発生するように適応された第2の電圧源をさらに備えた
請求項5の装置。
【請求項8】
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第2の電圧を発生するように適応された第2の電圧源をさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項9】
前記第2の電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項8の装置。
【請求項10】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第1の電圧源を前記アクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントをさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項11】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第2のスイッチングエレメントをさらに備えた
請求項1の装置。
【請求項12】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する方法であって、
第1の電圧を発生することと、
前記第1の電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを発生することと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
を備えた方法。
【請求項13】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項14】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項13の方法。
【請求項15】
前記アクティブデバイスの前記1以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項14の方法。
【請求項16】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、リファレンス電圧に基づく
請求項13の方法。
【請求項17】
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項16の方法。
【請求項18】
前記リファレンス電圧を発生することをさらに備えた
請求項16の方法。
【請求項19】
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第2の電圧を発生することをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項20】
前記第2の電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性の関数である
請求項19の方法。
【請求項21】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第1の電圧を前記アクティブデバイスに印加することをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項22】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスにグラウンド又は他の電位を印加することをさらに備えた
請求項12の方法。
【請求項23】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第1の電圧を発生する手段と、
前記第1の電圧に応答してチャージを発生する手段と、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給する手段と、
を備えた装置。
【請求項24】
前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールする手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項25】
前記コントロールする手段は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
請求項24の装置。
【請求項26】
前記アクティブデバイスの前記1以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項25の装置。
【請求項27】
前記コントロールする手段は、リファレンス電圧に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
請求項24の装置。
【請求項28】
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項27の装置。
【請求項29】
前記リファレンス電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項27の装置。
【請求項30】
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる第2の電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項31】
前記第2の電圧は、前記アクティブデバイスの1以上の特性に基づく
請求項30の装置。
【請求項32】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第1の電圧を発生する手段を前記アクティブデバイスに結合させる手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項33】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に結合させる手段をさらに備えた
請求項23の装置。
【請求項34】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置によって実行可能なインストラクションを備えたコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、
電圧を発生することと、
前記電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを発生することと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
を前記装置が備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項35】
オーディオデータを発生するように適応されたトランスデューサと、
前記オーディオデータを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたヘッドセット。
【請求項36】
データを受信するように適応された受信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記受信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたユーザーデバイス。
【請求項37】
データを取得するように適応されたセンサと、
前記データを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたセンシングデバイス。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図10】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図10】
【公表番号】特表2013−514014(P2013−514014A)
【公表日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−543314(P2012−543314)
【出願日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【国際出願番号】PCT/US2010/059936
【国際公開番号】WO2011/072248
【国際公開日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【出願人】(595020643)クゥアルコム・インコーポレイテッド (7,166)
【氏名又は名称原語表記】QUALCOMM INCORPORATED
【Fターム(参考)】
【公表日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【国際出願番号】PCT/US2010/059936
【国際公開番号】WO2011/072248
【国際公開日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【出願人】(595020643)クゥアルコム・インコーポレイテッド (7,166)
【氏名又は名称原語表記】QUALCOMM INCORPORATED
【Fターム(参考)】
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