【課題】少ない電流量で出力電圧の歪みを低減できるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】エミッタまたはソースと、コレクタまたはドレインと、これらエミッタまたはソース及びコレクタまたはドレイン間の電流量を制御する電圧が印加されるベースまたはゲートと、を備え、コレクタまたはドレインが容量性負荷１０３に接続されるバイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタのコレクタまたはドレインに接続され、電流を供給する機能付電流源１０２と、ベースまたはゲートに入力される電圧の大きさに応じて機能付電流源１０２の電流を制御するコントロール回路１０５と、によってトランジスタ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】 電源オフ状態に移行する際に、漏れ電流によって蓄積手段が充電され、２つの出力素子の入力が共にハイレベルになり、出力が共にローレベルになり、次に電源オン状態に移行する際に、パルス幅変調動作を開始することができないとい問題を解決でき、かつ、入力信号に正確に対応したパルス幅変調信号を出力することができるパルス幅変調回路を提供する。
【解決手段】 パルス幅変調回路２０は、電源オン状態から電源オフ状態に移行する際に、オン状態に制御されることにより、漏れ電流の原因となる電源電圧Ｖ２を接地電位に瞬時に放電させ、０Ｖにさせるスイッチ手段Ｑ４を備える。スイッチ手段Ｑ４は、ダイオードＤ１、Ｄ２の各カソード側に接続されているので、電流Ｉ１、Ｉ２によってコンデンサＣ１、Ｃ２を充電する際に、コンデンサＣ１、Ｃ２から電気的に分離された状態になるので、Ｃ１、Ｃ２の充電に誤差を与えない。 （もっと読む）

【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】電流源によって流れる電流量を増大させることなく、出力信号の立ち上り、立ち下りを高速化することができるダブルソースフォロア回路を提供する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２とは極性が異なるｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路に入力信号を入力する入力端子１１１と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路から出力信号を出力する共通の出力端子１１２）と、を含むダブルソースフォロア回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ４の一端がスイッチＳＷ２の他端に接続され、整合回路Ｍ４の他端が増幅素子Ｔｒ２の出力に直接に接続されている。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】非反転アンプ１４は、第３演算増幅器ＯＡ３および分圧回路Ｒ１、Ｒ２を含み、第１バッファ１０の出力電圧を非反転増幅する。スイッチＳＷ２は、第３演算増幅器ＯＡ３の出力端子とその反転入力端子の間に設けられる。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ２をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ２をオフする。 （もっと読む）

【課題】 携帯電話をはじめとする移動体通信用高周波電力増幅器などの増幅器において、受信帯雑音特性が良好で小型な増幅器を提供する。
【解決手段】 第一の周波数を中心周波数とする信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の前段または後段に接続される整合回路と、前記増幅素子と前記整合回路の間に接続され、前記第一の周波数とは異なる第二の周波数を中心周波数とする信号を減衰させるフィルタ回路と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅回路において、確実に電源パンピングの影響をキャンセルする。
【解決手段】第１スイッチ６１がオン、第２スイッチ６３がオフの時に、電源電圧ＶＤＤと接地間の電流をコンデンサ６２に充電させ、第１スイッチ６１がオフ、第２スイッチ６３がオンの時に、コンデンサ６２の電圧と基準電圧Ｖｒとをコンパレータ６４により比較する。コンパレータ６４の出力をパワーリミット回路３０に入力し、コンデンサ６２の電圧が基準電圧Ｖｒを超える場合には、ＰＷＭ変調回路２０からの出力信号のパルス幅を制限する。 （もっと読む）

【課題】ノイズフィギュアの劣化を抑制しつつ、過入力信号を調整可能な上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する。
【解決手段】入力トランジスタと、第１端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第２端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする（調整可能な）上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、を備える、増幅回路。 （もっと読む）

【課題】回路の小型化を図ること。
【解決手段】増幅回路１００は、パッド１１１と、ＴＩＡ１５０と、オンチップインダクタ１３０と、シャント容量１４０と、を１つのチップに備えている。パッド１１１には電流信号が入力される。ＴＩＡ１５０は、入力された電流信号を電圧信号に変換して出力する。オンチップインダクタ１３０は、パッド１１１とＴＩＡ１５０との間に直列に接続されている。シャント容量１４０は、一端がオンチップインダクタ１３０とＴＩＡ１５０との間に接続され、他端がグランドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】低ひずみ、低雑音、且つ小形な送信増幅器を得る。
【解決手段】多段接続した増幅器のうちの少なくとも１段以上に、バイポーラトランジスタ３のコレクタ電極とベース電極との間に接続された抵抗９を備え、出力電源１０からインダクタ８および抵抗９を介してバイポーラトランジスタ３のベース電極に入力バイアスを供給する増幅器を備える。
バイポーラトランジスタ３の動作条件を決める入力バイアスを、抵抗９と出力電源１０とにより決定するので、バイアス回路によるひずみがバイポーラトランジスタ３に重畳されないため、低雑音な送信増幅器を実現することができる。
また、入力バイアスを供給するためだけにインダクタを設ける必要がないため、小形な送信増幅器を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）