【課題】半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】半導体スイッチに印加される電圧を抑制するために半導体スイッチに並列に接続された保護回路と、駆動回路の出力ゲート電圧が予め設定された電圧以上あることを検出し、半導体スイッチのオン・オフ状態を判別するゲート電圧検出手段と、半導体スイッチの主端子電圧を検出する主電圧検出手段と、駆動回路に与えられた駆動信号により、駆動指令がオン指令の場合はゲート電圧状態を選択し、駆動指令がオフ指令の場合は主電圧状態を選択する選択手段と、選択手段の出力を絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段と、選択手段が選択して出力したゲート電圧状態・主電圧状態と半導体スイッチの駆動指令とを比較し、半導体スイッチの正常又は異常を判別する判別手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】少ないトランジスタ数で双方向スイッチを構成する。
【解決手段】双方向スイッチ装置は，ＨＥＭＴを有する双方向スイッチと，第１の条件時にＨＥＭＴのソースまたはドレインの一方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第１の電圧を印加してソースまたはドレインの他方の端子から一方の端子への第１の電流パスをオフにし，第２の条件時に他方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第２の電圧を印加して一方の端子から他方の端子への第２の電流パスをオフにし，第３の条件時にＨＥＭＴのソース及びドレインとゲートとの間に閾値電圧より高い第３の電圧を印加して第１，第２の電流パスをオンにする制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチングデバイスが完全な機能を維持していることを保証するために、サービス中にそれらを試験する方法を提供する。
【解決手段】負荷および電圧源２に接続するためのスイッチング回路１であって、負荷への電力をスイッチオンおよびスイッチオフするための１つまたは複数のスイッチングデバイス６、７、．．．、ｎと、負荷を短絡し、それにより負荷を電圧源から隔離するためのプルダウンデバイス４と、一度に複数のスイッチングデバイスのうちの少なくとも１つを起動するために、電圧源が負荷から隔離されている間に動作させることができるコントローラ３とを備え、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスを通って電流が流れ、この電流を測定して、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスが適切に動作しているかどうかを試験することができるスイッチング回路１が開示される。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】より簡易的な構成で半導体スイッチを駆動する回路を実現する。
【解決手段】充放電切替回路１１は、プラス側の電力線に挿入される半導体スイッチ１２−１および１２−２と、入力側の端子に入力される入力電圧を、所定の出力電圧に変換して出力側の端子から出力する絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２とを備える。そして、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のマイナス端子がプラス側の電力線に接続され、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のプラス端子が半導体スイッチ１２−１および１２−２の開閉を制御する端子に接続される。本発明は、例えば、高電圧の電源の充放電を制御する回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断し、半導体遮断器１２にて電流の遮断を開始するように制御する。半導体遮断器１２が電流を素早く遮断することができるように、半導体遮断器１２のゲート電圧を、半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１に向けて急激に減少させていく。その後、半導体遮断器１２のゲート電圧が閾値電圧Ｖ_１に達すると、半導体遮断器１２のゲート電圧が、半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２になるまで、スイッチＳ_２の電気的接続状態をオン状態、オフ状態に交互に切り替えて、半導体遮断器１２のゲート電圧を徐々に減少させていく。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器１２が電流を遮断するとき、スイッチＳ_３，Ｓ_４の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチＳ_１，Ｓ_３の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。また、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１がターンオンするときに、図示せぬＦＷＤの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。このようなｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、帰還電圧ＶＦＢを駆動信号の電圧の一部として印加するタイミングを遅延させる遅延フィルタとして、ＬＰＦ回路２０１を備えている。ＬＰＦ２０１の遅延量、即ちインダクタンスＬｄを適度に調整することで、還流ダイオードの電圧におけるサージ電圧を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム補償前のＰＷＭゲート指令とデッドタイム補償後の相電圧出力との誤差（位相差）を低減することで遅延誤差ＴＤＬＹを短縮する。
【解決手段】デッドタイム補償部３０は、ＰＷＭゲート指令Ｇａｔｅ＿ＵとＰＷＭ出力Ｖｃｅ＿Ｕとの位相差に応じて求めるデッドタイム補償分Ｖｃｍｐ＿ＵでＰＷＭ電圧指令Ｖｃｍｄ＿Ｕの電圧値を増減し、この補償後のＰＷＭ電圧指令Ｖｃｍｄ＿Ｕ’をＰＷＭ波形発生部２０でＰＷＭゲート指令に変換することで、デッドタイム補償前のＰＷＭゲート指令とデッドタイム補償後の相電圧出力との誤差（位相差）を低減する。 （もっと読む）

【課題】連続通弧により半導体スイッチが故障に至るような誤動作を回避するドライブ回路を提供する。
【解決手段】外部から入力された駆動信号に基づいて半導体スイッチ２０を駆動させるドライブ回路１０ｂであって、駆動信号に基づいて半導体スイッチ２０の駆動制御を行うゲートドライバ１６と、ゲートドライバ１６による制御の状態にかかわらず、駆動信号の立ち上がりのタイミングに基づいて半導体スイッチ２０のスイッチング周期の終了時までの所定期間に強制的に半導体スイッチ２０をオフさせる強制オフ回路１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】保護回路において、所望の遅延時間を実現する。また、遅延回路の小型化を図り、消費電力を低減させる。
【解決手段】遅延回路１００は、第１のインバータ１０１〜第３のインバータ１０３、第４のｐチャネルＭＯＳＦＥＴ７、第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８、遅延抵抗１２１およびキャパシタ１２２で構成されている。遅延抵抗１２１は、第１のインバータ１０１の出力端子と第２のインバータ１０２の入力端子の間に接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のゲート端子は、遅延抵抗１２１と第２のインバータ１０２の入力端子の間のノード１１３に接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のゲート端子とドレイン端子の間には、キャパシタ１２２が接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８の帰還容量を用いることで、キャパシタ１２２の容量を、キャパシタ１２２の物理的な静電容量よりも擬似的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】切替え時のノイズを低減したアナログスイッチ回路を提供する。
【解決手段】入力信号をｎ個（ｎは、１以上）の出力信号としてそれぞれ出力するｎ個のスイッチ素子と、前記ｎ個のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、前記入力信号の負荷となるインピーダンス素子と、前記インピーダンス素子を制御するインピーダンス制御回路と、を備え、前記スイッチ制御回路は、前記ｎ個のスイッチ素子のすべてがオフ、またはいずれか１つがオンとなるように制御し、前記インピーダンス制御回路は、前記ｎ個のスイッチ素子のいずれか１つがオンのときは、前記インピーダンス素子を最大のインピーダンスに制御し、前記ｎ個のスイッチ素子がすべてオフのときは、前記インピーダンス素子を前記最大のインピーダンスよりも小さい第１のインピーダンスに制御する、ことを特徴とするアナログスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の過電圧保護回路として、電圧クランプ素子をコレクタ・ゲート間に接続する回路があるが、クランプ動作時、電圧クランプ素子には素子電圧と同じ電圧が印加され，かつ電流も流れる。そのため発生損失が大きく，高い頻度で動作する場合には許容できる特殊品を適用する必要があり，信頼性も低下する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のコレクタ端子とゲート端子間に、可飽和リアクトルと、コンデンサと、抵抗の直列回路を接続する。 （もっと読む）

【課題】ほぼ１つの面内に形成された駆動電極と感知電極とを備えた高電圧駆動回路を提供する。
【解決手段】装置は、駆動回路と感知回路との間の信号の転送を、駆動電極および感知電極を介して容量性手段によって行い、かつＩＧＢＴなどの高電圧装置を高電圧トランジスタを使用せずに駆動することが可能にされ、これにより高電圧ゲート駆動回路及びＩＣを製造する場合、ＳＯＩなどの高価な製造工程を使用する必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】電源投入時に流れる突入電流を削減すること。
【解決手段】商用電源２から電気機器３に電力を供給する電源装置１において、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２２をＯＮするとタイミング制御回路７で制御された無接点リレー６Ａが交流波形の立ち下がりのゼロクロス点で交流電源電圧の供給を開始し、かつ、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２２をＯＦＦするとタイミング制御回路７Ａで制御された無接点リレー６Ａが交流波形の立ち下がりのゼロクロス点で交流電源電圧の供給を終了するようにした。 （もっと読む）

【課題】低損失でシンプルな方法で実現することのできるコントローラ回路を備えるシステムを提供する。
【解決手段】昇圧コントローラ１と、出力側で昇圧コントローラ１の下流に接続された共振コンバータ２と、変圧器３と、入力側で変圧器３の２次巻線Ｎ２に接続されている整流器４と、共振コンバータ２と変圧器３の１次巻線Ｎ１とに接続されており、共振キャパシタンスＣと、第１及び第２の共振インダクタンスＬ１、Ｌ２とを持つＣＬＬ共振回路５と、を持つコントローラ回路備え、スイッチング損失を低減するために、ＣＬＬ共振回路５は、“Ｔ”回路として具体化される。 （もっと読む）

【課題】複数のＩＧＢＴ素子で構成される電力変換装置において、ゲート駆動回路の異常及びＩＧＢＴ素子の異常を確実に検出して保護を行う。
【解決手段】電力変換装置の制御回路１００と、各ＩＧＢＴに対する指令パルスを発生するパルス発生回路２００と、入力された指令パルスに応じてＩＧＢＴのオン・オフ動作制御を行う複数のゲート駆動回路４００ａ〜４００ｎと、各ゲート駆動回路に接続するＩＧＢＴ５００ａ〜５００ｎと、異常検出回路３００から構成し、異常検出回路にて、指令パルスＲＰａ〜ＲＰｎとゲート駆動回路から出力されるゲートフィードバック信号ＦＢＰａ〜ＦＢＰｎとの不一致を判定し、不一致状態が一定時間継続した場合に異常と判定し、パルス発生回路に全指令パルスをオフさせる信号ＳＵＰを出力する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールに用いられる電力用素子の故障を簡単な構成で検出可能な故障検出装置を提供する。
【解決手段】故障検出装置１Ｂは、電力用素子としてのＩＧＢＴＱ１の主電極間の電圧を、ダイオードＤ７を介して検出する。そして、故障検出装置１Ｂは、ダイオードＤ７のアノード電圧が予め定める基準電圧Ｖ３より低電圧であるとき、ＩＧＢＴＱ１は短絡故障であると判定する。好ましくは、ダイオードＤ７のアノード電圧が予め定める基準電圧Ｖ４より高電圧であることを併せて判定すれば、フライホイールダイオードＤ１がオン状態である正常動作の場合を除外できる。 （もっと読む）

【課題】並列接続される複数の半導体スイッチング素子の温度および流れる電流のアンバランスを容易で簡便に抑制する。
【解決手段】基準駆動信号Ｌｉｎのターンオンとターンオフの双方のタイミングが所定時間遅れた遅延駆動信号Ｌｄを遅延回路９にて発生し、基準駆動信号Ｌｉｎと遅延駆動信号Ｌｄとを切り替えて、並列接続される各ＩＧＢＴ１、４の駆動信号Ｓ１、Ｓ２を生成する信号生成回路７を備え、各ＩＧＢＴ１、４の温度を比較して、低温側のＩＧＢＴ１に遅延駆動信号Ｌｄを用い、高温側のＩＧＢＴ４に基準駆動信号Ｌｉｎを用いることで、低温側のＩＧＢＴ１のスイッチング損失を増大させる。 （もっと読む）