【課題】回路用電源電圧としてむやみに高い電圧を用いることなく、シャント抵抗の低電位側端子の電圧がグランド電位付近となる異常が原因で生じる過電流を検出する。
【解決手段】検出電流出力部１１は、シャント抵抗Ｒｓの各端子電圧を入力し、その入力した電圧から負荷２に流れる電流に応じた検出電流を出力する。過電流判定部１２は、検出電流に基づいて負荷２に過電流が流れているか否かを判定する。検出電流出力部１１において、通常時に駆動用電源電圧Ｖｄに近い電圧が印加される部分と、回路用電源電圧Ｖｃに近い電圧が印加される部分との間の経路に第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２を逆方向に介在させることにより、第１トランジスタＴ１および第２トランジスタＴ２がブレークダウンして電流が流れることを阻止する。 （もっと読む）

【課題】負荷、電源などの動作条件が変化しても、電磁妨害等を引き起こす周波数帯域の成分が除去された駆動信号を出力する。
【解決手段】負荷５に与えられる駆動信号をハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタからなる検出用フィルタ１７を介して検出し、その検出駆動信号をバンドギャップ回路１８に入力する。バンドギャップ回路１８は、固有の周波数特性を有し、検出駆動信号に固有の周波数帯域内の周波数成分が含まれていると出力電圧が低下する特性を持つ。制御回路２８は、バンドギャップ回路１８の出力電圧を基準電圧と比較し、検出駆動信号に固有の周波数帯域内の信号成分が含まれるか否かを判定する。含まれる場合には、ローパスフィルタ１３により駆動信号から当該周波数帯域内の信号成分を除去する。 （もっと読む）

【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第２電源が接続される第２電源接続部、第２電源の電圧よりも高い電圧の第１電源が接続される第１電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第１電源接続部とダイオードとの間に挿入され第１電源の電圧を第２電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第２電源接続部と電源出力部との接続をオン／オフするＭＯＳスイッチと、第１電源接続部から電源が供給され、第２電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第２電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第１電源の電圧をＭＯＳスイッチに導通することによってＭＯＳスイッチをオフする比較回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、急激な電流変化を回避してノイズの発生や不要輻射の放出を抑えると共に、ユーザの使用態様の多様性に柔軟に対応できるようにする。
【解決手段】 デューティ比を変えることをもってして、パルスの立ち上がりのタイミングをずらす、すなわち、ドライバトランジスタのオンするタイミングをずらす。また、いくつかの出力端子を束ねる構成とする場合には、それらの出力端子に対応する各ドライバトランジスタについては、デューティ比を同じとすることをもってして、各ドライバトランジスタを同時オンさせて個々のオーバーロードを回避する。言い換えれば、出力端子を束ねない限りにおいては、デューティ比を変えてパルスの立ち上がりのタイミングをずらすことが得策となる。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、アーム短絡および損失増大の問題を解消したスイッチング電源装置を構成する。
【解決手段】ローサイドスイッチング制御部８１は、ローサイドスイッチング素子（Ｑ１）へ駆動電圧信号を出力している期間にトランスの巻線電圧の極性反転を検出したときに、遅延時間（ｔｄ１）の後にローサイドスイッチング素子（Ｑ１）をターンオフさせるローサイドターンオフ回路を備え、ハイサイドスイッチング制御部６１は、トランスの巻線電圧の極性が反転してからハイサイドスイッチング素子（Ｑ２）をターンオンさせるまでの時間（ｔｄ２）を遅延させる。そして、ローサイドターンオフ遅延回路の遅延時間（ｔｄ１）はハイサイドターンオン遅延回路の遅延時間（ｔｄ２）よりも短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】動作時の貫通電流を低減させ、かつ動作スピードをあまり損なわないチョッパ型コンパレータを得る。
【解決手段】インバータと接地電圧端子間にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ８を接続し、そのゲート端子に可変電圧源９を接続する。インバータと電源電圧端子間にＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ７を接続し、そのゲート端子に可変電圧源１０を接続する。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が所定の電位以上になって所定時間後に出力が解除状態になった後は定電流源の電流を流さないようにして消費電流を抑える遅延付き低電圧検出回路を実現する。
【解決手段】 電圧比較回路（１３）により検出対象の電圧が所定の電圧値以下になったことを検出した場合には出力状態を直ちに変化させ、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以上になったことを検出した場合には電流回路（１４）により決まる遅延時間後に出力状態を変化させる低電圧検出回路において、電流回路は、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以下になったことを検出した場合には、定電流源の電流を遮断する状態とし、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以上になったことを検出した場合には、定電流源の電流を流す状態として電流回路によるコンデンサの充電を開始させ所定遅延時間後に定電流源に流れる電流を遮断するように構成した。 （もっと読む）

【課題】基準信号の精度を維持しつつスタンバイ時の電流低減を図ることが可能なパワーオンリセット回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】基準信号生成部は、少なくとも外部電源電圧検出器用基準信号を生成する第１の生成部と、記内部電源電圧検出器用基準信号を生成する第２の生成部と、を含み、第１の生成部は、電源起動時に外部電源電圧検出器用基準信号を生成可能となり、第２の生成部は、制御部からの起動信号を受けて内部電源電圧検出器用基準信号を生成可能となり、制御部は、スタンバイ期間が経過すると、起動信号を基準信号生成部の第２の生成部および内部電源電圧の生成系に出力する。 （もっと読む）

【課題】高デューティ領域においてデューティ比が不正確になるのを防止することにより、デューティ比の精度を向上させた負荷制御装置を提供する。
【解決手段】三角波生成回路５が、負荷２に供給される電源電圧ＶＩから三角波ＶＣ１を生成する。パルス駆動回路６が、三角波生成回路５により生成される三角波ＶＣ１と基準電圧Ｖｋとの比較に応じたデューティ比の駆動パルスを負荷２に供給する。基準電圧生成回路７が、電源電圧ＶＩが増加するに従って基準電圧Ｖｋを増加または減少させて駆動パルスのデューティ比を減少させる。周波数調整回路８が、電源電圧ＶＩが所定電圧以下のときに、三角波生成回路５により生成される三角波ＶＣ１の周波数を低くして駆動パルスの周波数を低くする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。
【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子１のセンス端子に流れるセンス電流を電圧（センス電圧）に変換するセンス抵抗４と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子１の保護動作を行う過電流保護回路３とを備える。過電流保護回路３は、上記閾値を、第１基準電圧Ｖ_REF1またはそれよりも低い第２基準電圧Ｖ_REF2に切り替えることができる。過電流保護回路３は、スイッチング素子１が定常状態のときは、上記閾値を第２基準電圧Ｖ_REF2とし、スイッチング素子１のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第１基準電圧Ｖ_REF1に設定する。 （もっと読む）

【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチＱ１とノーマリオフ型のローサイドスイッチＱ２との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路１０と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段Ｄ２と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサＣ２と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部Ａ１，ＡＮＤ１，Ｑ３，Ｑ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】多くの個別素子による回路を用いることなく、容易に簡素な回路構成で端子外れ検出を行うことが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】ゲートがセンサ回路に接続され、ドレインが第１の電圧制限抵抗に接続された第１の出力ドライバと、物理量検出信号出力端子と接地端子の間に接続された第２の電圧制限抵抗と、非反転入力端子が第１の基準電圧回路に接続され、反転入力端子が前記物理量検出信号出力端子に接続され、出力が論理回路に接続された第１の比較器と、反転入力端子が第２の基準電圧回路に接続され、非反転入力端子が前記物理量検出信号出力端子に接続され、出力が論理回路に接続された第２の比較器と、ゲートが前記論理回路の出力に接続され、ドレインが断線診断信号出力端子に接続された第２の出力ドライバで構成した。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護（ｏｖｅｒｖｏｌｔａｇｅ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第１のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第１の制御信号を生成させ、また間接的に第２のスイッチングユニットを該第１のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第２のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ２１とローサイドトランジスタ２２の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。２つのゲート駆動回路１１、１２の少なくとも一方は、正電源から供給される第１電源電圧ＶＤＤと、負電圧源３０から供給され接地電圧ＧＮＤよりも低い第２電源電圧ＶＮＥＧとに応じた駆動電圧ＧＨ、ＧＬを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路４０は、第２電源電圧ＶＮＥＧが参照電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ２１に流れるドレイン電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２と、ハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２のゲートを相補に駆動する２つの駆動回路２１、２２とを具備する。ハイサイドトランジスタ１１はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ１２は、ノーマリオン型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト基準電位が下がった場合にスイッチング素子を安全且つ確実に停止できるレベルシフト回路。
【解決手段】レベルシフト電源に接続された抵抗R1にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN3、R1と同じ抵抗値を有しレベルシフト電源に接続された抵抗R2にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN4、入力信号に基づきMN3,MN4のオン／オフを制御するパルス生成回路10、MN3がオンである場合にセット信号を生成しMN4がオンである場合にリセット信号を生成する制御部MN1,MN2,R5,R6、制御部で生成されたセット信号とリセット信号とに基づき入力信号をレベルシフトした出力信号を出力しスイッチング素子Q1を動作させるフリップフロップFF1、レベルシフト基準電位が負電位に下がったことを検出してスイッチング素子を停止させるスイッチング動作停止部INV3,FF2,AD1を備える。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態時にＳＲＡＭにデータを保持できる電圧が与えられている場合に、パワーオンリセットがかからないようにすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ５は、スタンバイ状態に遷移することを通知する。電源制御回路１１は、スタンバイ状態時に、ＳＲＡＭ４における電力消費を低減させる。ＰＯＲ回路２は、外部電源電圧の値と、現在の状態がスタンバイ状態であるかに応じて、パワーオンリセット信号の活性化を制御する。 （もっと読む）

【課題】過電流検出抵抗の温度特性の影響をキャンセルすることのできる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】基準抵抗と第１定電流源との第１接続点には、該第１接続点の電位の温度特性が、過電流検出抵抗の電圧検出端子の電位の温度特性と等しくなるように、第１接続点に対して正の温度特性を有する第２定電流を供給する第２定電流源が接続されている。第２定電流源は、負の温度特性を有する第３定電流を供給する第３定電流源と、温度特性を有さない第４定電流を供給する第４定電流源と、第３定電流源に対して直列接続された第１トランジスタと、第４定電流源に対して直列接続された第２トランジスタと、により構成された第１カレントミラー回路と、第４定電流源と第２トランジスタとの接続点に接続され、第１接続点に第２定電流を供給するための電流経路と、を有する。第３定電流源は、過電流検出抵抗と同じ基板に形成されている。 （もっと読む）