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Fターム[5J055EY12]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 回路素子 (7,558) | ダイオード (1,251)

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【課題】駆動用のMOSトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧IN2が入力される入力端子104、入力電圧IN2に基づいてVCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ201、203、入力電圧IN2に基づいて2VCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ202、204、MOSトランジスタ201、202に一端が接続され、他端がMOSトランジスタ202、204に接続される容量素子206、ソース・ドレイン端子の一方に2VCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にVCCが供給され、2VCCまたはGNDがゲート端子に供給され、2VCCまたはGNDによってオン、オフされるMOSトランジスタ205と、によって昇圧回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】 広帯域無線通信を行う送信機に用いられ、電源変換効率を向上させると共に、電圧レベル切替の遷移時間の影響を低減し、出力信号の歪特性を改善することができる電源回路を提供する。
【解決手段】 入力信号をプッシュプル増幅方式で増幅するプッシュプル増幅部と、制御信号によりプッシュプル増幅部に提供する電源電圧の電圧レベルを可変とする可変電源部と、入力信号に基づいて電源電圧の電圧レベルを制御する制御信号を出力するスイッチ制御部83′と、入力信号を特定の時間遅延させるタイミング制御部121を備え、スイッチ制御部83′が、制御信号の立ち上げの場合に、タイミング制御部121での遅延時間に対して電圧レベル切り替えの遷移時間に応じた早いタイミングで制御信号を立ち上げ、立ち下げの場合には遅延時間のタイミングで立ち下げる電源回路としている。 (もっと読む)


【課題】回路面積を低減させることのできる電圧生成回路を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る電圧生成回路は、第1の電圧値の第1電圧を発生させる第1の昇圧回路と、第2の電圧値の第2電圧を発生させる複数の第2の昇圧回路を含む第2昇圧回路群とを有する。複数の第2の昇圧回路は、第1の状態から第2の状態に移行する際に互いに直列に接続され第1昇圧回路とともに第1電圧を発生可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】回路用電源電圧としてむやみに高い電圧を用いることなく、シャント抵抗の低電位側端子の電圧がグランド電位付近となる異常が原因で生じる過電流を検出する。
【解決手段】検出電流出力部11は、シャント抵抗Rsの各端子電圧を入力し、その入力した電圧から負荷2に流れる電流に応じた検出電流を出力する。過電流判定部12は、検出電流に基づいて負荷2に過電流が流れているか否かを判定する。検出電流出力部11において、通常時に駆動用電源電圧Vdに近い電圧が印加される部分と、回路用電源電圧Vcに近い電圧が印加される部分との間の経路に第1ダイオードD1および第2ダイオードD2を逆方向に介在させることにより、第1トランジスタT1および第2トランジスタT2がブレークダウンして電流が流れることを阻止する。 (もっと読む)


【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子1bから所定距離離間した位置にゲート制御端子5を備え、サージ発生時にドレイン端子1bとゲート制御端子5との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子5にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子1のゲートを充電し、パワー半導体素子1をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子1bに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子1が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】多層配線板8の下面が主電流経路6上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板8の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線6は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板8の搭載面を主電流配線6の上面に配置することで設置できる。これにより、コイルLを容易に固定でき設置スペースを削減できる。 (もっと読む)


【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Voutとの間に設けられ、電源電圧VDD〜接地電圧VSS間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタMP11と、低電位側電源端子と外部出力端子Voutとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタMN11と、電源電圧VDDより低く接地電圧VSSより高い中間電圧VMLが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタMP11のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタMP11のゲート電圧と中間電圧VMLとの電圧差に基づいて出力トランジスタMP11のゲートをクランプするクランプ用トランジスタMP12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ1は、LED2を駆動回路3により駆動して発光させ、LED2から発光された光を受光部4により受光する。駆動回路3は、バイポーラトランジスタ31と、コイル32と、ダイオード33等を有する。バイポーラトランジスタ31は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からLED2に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からLED2に電流が供給されない状態にする。コイル32は、LED2に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ31が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード33は、LED2及びコイル32に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ31が非導通状態のときに、コイル32が発生する誘導起電力によって、LED2に電流を還流させる。 (もっと読む)


【課題】エレベーターが停止してから自動消灯するまでの時間を短くして省エネルギー効果を高めることができるエレベーターかご内照明装置を得る。
【解決手段】交流電源1からの交流電流を整流する全波ブリッジ整流回路21と、全波ブリッジ整流回路21の出力端子間に接続される電解コンデンサ23と、全波ブリッジ整流回路21から直流電流が供給されかご内を照明するLED3と、LED3に供給される直流電流が流れる回路を開閉するMOSFET41と、MOSFET41のオンオフを制御するドライバIC42と、エレベーターが所定の時間連続して停止していることを検出する自動消灯制御リレー51と備え、ドライバIC42は、自動消灯制御リレー51の検出結果に基づいてMOSFET41をオフにしてLED3への直流電流の供給を停止させる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路2から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路1は0Vを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路2からの出力が0Vまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路1から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子5のゲート・ソース間にNchノーマリーオン型補助スイッチング素子13のドレイン・ソースを接続し、トランス15の1次側をゲート駆動回路1の出力に接続し、2次側をNchノーマリーオン型スイッチング素子13のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子6側もトランス及びNchノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】主に自動車内の各種電子機器の操作に用いられる入力装置に関し、誤検出がなく、確実な操作が可能なものを提供することを目的とする。
【解決手段】第一の端子17と第二の端子18の間に複数のダイオード13〜16を直列に接続すると共に、第一の端子17とダイオード13〜16に複数のスイッチ5〜8を接続し、制御手段19がスイッチ5〜8の操作に応じた第一の端子17と第二の端子18からの電圧を減算して、操作されたスイッチを検出することによって、接続された電子機器30が異なる抵抗値の抵抗31や32が設けられた機器に取替えられた場合でも、制御手段19がどのスイッチが操作されたかを、値が一定のダイオードの電圧降下によって検出しているため、誤検出がなく、確実な操作が可能な入力装置を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインLSに、サブ電源101側をソースとして第1MOSFET102を直列に接続し、第1MOSFET102のドレインにドレインを接続させて第2MOSFET103を直列に接続する。制御ユニット200内のサブ電源供給ラインLSにも、サブ電源101側をソースとして第3MOSFET202を直列に接続し、第3MOSFET202のドレインにドレインを接続させて第4MOSFET203を直列に接続し、第1〜第4MOSFETを制御することで、サブ電源101の電力を負荷201に対して供給する。各MOSFETのドレイン電圧、及び、第2MOSFET103と第3MOSFET202との間の電圧をモニタし、MOSFETの故障及びサブ電源供給ラインLSの故障を診断する。 (もっと読む)


【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第2電源が接続される第2電源接続部、第2電源の電圧よりも高い電圧の第1電源が接続される第1電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第1電源接続部とダイオードとの間に挿入され第1電源の電圧を第2電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第2電源接続部と電源出力部との接続をオン/オフするMOSスイッチと、第1電源接続部から電源が供給され、第2電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第2電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第1電源の電圧をMOSスイッチに導通することによってMOSスイッチをオフする比較回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路10は、チャージポンプ回路部14を備えている。チャージポンプ回路部14は、メインスイッチング素子SW10がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタC1に充電された充電電圧に基づいて駆動電源18の電圧Vsを昇圧して駆動電圧Vgprを生成する。チャージポンプ回路部14では、指示信号S1に基づいてキャパシタC1に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ(10)は、複数のパッド(P11、P12)と、複数のパッド(P11、P12)と電源ライン(15、16)との間に接続された複数の静電破壊保護素子(11H、11L、12H、12L)と、複数のパッドのうち少なくとも2つのパッド(P11、P12)に現れる印加電圧(S11、S12)が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部(13)と、サージ検出部(13)の検出結果(S13)に応じてその動作が許可/禁止される内部回路(14)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】大型化することなく、アーム短絡および損失増大の問題を解消したスイッチング電源装置を構成する。
【解決手段】ローサイドスイッチング制御部81は、ローサイドスイッチング素子(Q1)へ駆動電圧信号を出力している期間にトランスの巻線電圧の極性反転を検出したときに、遅延時間(td1)の後にローサイドスイッチング素子(Q1)をターンオフさせるローサイドターンオフ回路を備え、ハイサイドスイッチング制御部61は、トランスの巻線電圧の極性が反転してからハイサイドスイッチング素子(Q2)をターンオンさせるまでの時間(td2)を遅延させる。そして、ローサイドターンオフ遅延回路の遅延時間(td1)はハイサイドターンオン遅延回路の遅延時間(td2)よりも短く設定されている。 (もっと読む)


【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第2のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第1及び第2のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第2のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】不具合の発生が抑制された半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧レベルの高いHi信号、及び、該Hi信号よりも電圧レベルの低いLo信号が異なるタイミングで入力される第1入力端子と、Hi信号が常時入力される第2入力端子と、第1入力端子のHi信号によって第1動作状態、第1入力端子のLo信号によって第2動作状態に制御される素子と、を有する半導体集積回路であって、第2入力端子とグランドとの間にスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子は、第1入力端子にHi信号が入力されている時にOFF状態、第1入力端子にLo信号が入力されている時にON状態となる。 (もっと読む)


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