【課題】高価なＦＥＴを用いることなく、例えば１０ＧＨｚ以上の高周波数波帯で用いる場合にも使用可能で、広帯域化を図った高周波発振回路を構成する。
【解決手段】デプレッション型のＮチャネルＦＥＴからなる発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のゲートを直列帰還素子である線路ＳＬ１を介して接地し、デプレッション型のＮチャネルＦＥＴからなるバッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースをキャパシタＣ２を介して高周波的に接地し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のゲートと発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインとを直流的に導通する第１のインピーダンス回路Ｚ１を介して接続し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースと発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインとの間に直流的に導通する直流抵抗成分を含む第２のインピーダンス回路Ｚ２を接続し、発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のソースと接地との間に直流的に導通する直流抵抗成分を含む第３のインピーダンス回路Ｚ３を設ける。 （もっと読む）