【課題】本発明は携帯電話などの各種高周波機器に用いられる高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関するもので、電力効率の高い高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールを提供するものである。
【解決手段】ガリウム砒素からなるヘテロ・バイポーラ・トランジスタ素子１からなる高周波電力増幅器において、エミッタ電極４に接続される保護抵抗５にコンデンサ７を並列接続したことで、この保護抵抗の持つインダクタ成分とコンデンサの並列共振作用により使用周波数帯域における高周波信号の漏洩を抑制し、高周波電力増幅器の電力効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波の電力増幅器とその周辺回路を設計するには、高周波回路専門の技術者が必要であった。
【解決手段】 入力端子１１と、この入力端子１１の信号が供給される電力増幅器１３と、この電力増幅器１３の出力が供給される方向性結合器１５と、この方向性結合器１５の出力が供給される出力端子１６と、方向性結合器１５の結合出力端子１５ａが入力１７ａに接続されるとともに、その出力１７ｂが電力増幅器１３の電力制御端子１３ａに接続された自動電力制御回路１７とが一つの多層基板に形成されたものである。これにより、高周波回路専門の技術者を必要としない電力増幅器モジュールが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 低消費電流で、かつ低電源電圧動作が可能であるボルテージレギュレータを得る。
【解決手段】 出力電圧に応じた電圧ＶＦＢを出力する検出回路３と、電圧ＶＦＢと基準電圧ＶＲＥＦとの差動増幅を行う差動対４と、差動対４の基準電圧ＶＲＥＦが入力されるトランジスタの負荷をなし該トランジスタに流れる電流に応じた電流を他方の出力端から出力する第１カレントミラー回路５と、差動対４の電圧ＶＦＢが入力されるトランジスタの負荷をなし該トランジスタに流れる電流に応じた電流を他方の出力端から出力する第２カレントミラー回路６と、第１カレントミラー回路５と第２カレントミラー回路６の各他方の出力端に接続された第３カレントミラー回路８と、第２カレントミラー回路６と該第３カレントミラー回路８との接続部の電圧に応じた電流を出力する出力回路９とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 小型化に好適な面実装タイプの電子回路ユニットを提供すること。
【解決手段】 アルミナ基板１上にコンデンサＣ１〜Ｃ７と抵抗Ｒ１〜Ｒ３およびインダクタンス素子Ｌ１〜Ｌ３を含む回路素子とこれら回路素子に接続される導電パターンＰとを薄膜形成し、ダイオードＤ１とトランジスタＴｒ１の半導体ベアチップを導電パターンＰの接続ランドにワイヤーボンディングし、かつ、アルミナ基板１上に所定間隔を存して対向する一対の導電路Ｓ１，Ｓ２からなるインダクタンス素子を薄膜形成し、これら導電路Ｓ１，Ｓ２によって不平衡／平衡変換回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】 ＦＥＴ増幅回路において、簡単な構成で周波数変化に対するスプリアスを最適化する。
【解決手段】 局部発振器に使用されるＰＬＬシンセサイザ発振器４のＶＣＯ制御電圧を取出し、予め測定されているＦＥＴ増幅器３のスプリアスが最適となるゲートバイアス電圧の周波数特性に合致するような電圧変換回路５を使用して、このＶＣＯ制御電圧の電圧変換を行う。この変換された電圧をＦＥＴ増幅器３のゲートバイアスとして使用することによりＦＥＴ増幅器３のドレイン電流が制御されてスプリアスの最適化がなされる。 （もっと読む）