説明

Fターム[5J092HA02]の内容

増幅器 (117) | 回路素子 (22) | 半導体素子 (9) | バイポーラトランジスタ(Bi−Tr) (2)

Fターム[5J092HA02]の下位に属するFターム

ラテラルトランジスタ
マルチエミッタトランジスタ
マルチコレクタトランジスタ
HBT(ヘテロジャンクションBi−Tr) (1)
構造や閾値
nPnトランジスタとPnPトランジスタの組合せ

Fターム[5J092HA02]に分類される特許

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【課題】 小型化に好適な面実装タイプの電子回路ユニットを提供すること。
【解決手段】 アルミナ基板1上にコンデンサC1〜C7と抵抗R1〜R3およびインダクタンス素子L1〜L3を含む回路素子とこれら回路素子に接続される導電パターンPとを薄膜形成し、ダイオードD1とトランジスタTr1の半導体ベアチップを導電パターンPの接続ランドにワイヤーボンディングし、かつ、アルミナ基板1上に所定間隔を存して対向する一対の導電路S1,S2からなるインダクタンス素子を薄膜形成し、これら導電路S1,S2によって不平衡/平衡変換回路を構成した。 (もっと読む)


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