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Fターム[5J092KA66]の内容

増幅器 (117) | 回路要素 (24) | プリント基板 (3)

Fターム[5J092KA66]に分類される特許

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【課題】本発明は携帯電話などの各種高周波機器に用いられる高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関するもので、電力効率の高い高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールを提供するものである。
【解決手段】ガリウム砒素からなるヘテロ・バイポーラ・トランジスタ素子1からなる高周波電力増幅器において、エミッタ電極4に接続される保護抵抗5にコンデンサ7を並列接続したことで、この保護抵抗の持つインダクタ成分とコンデンサの並列共振作用により使用周波数帯域における高周波信号の漏洩を抑制し、高周波電力増幅器の電力効率を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】 高周波の電力増幅器とその周辺回路を設計するには、高周波回路専門の技術者が必要であった。
【解決手段】 入力端子11と、この入力端子11の信号が供給される電力増幅器13と、この電力増幅器13の出力が供給される方向性結合器15と、この方向性結合器15の出力が供給される出力端子16と、方向性結合器15の結合出力端子15aが入力17aに接続されるとともに、その出力17bが電力増幅器13の電力制御端子13aに接続された自動電力制御回路17とが一つの多層基板に形成されたものである。これにより、高周波回路専門の技術者を必要としない電力増幅器モジュールが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 小型化に好適な面実装タイプの電子回路ユニットを提供すること。
【解決手段】 アルミナ基板1上にコンデンサC1〜C7と抵抗R1〜R3およびインダクタンス素子L1〜L3を含む回路素子とこれら回路素子に接続される導電パターンPとを薄膜形成し、ダイオードD1とトランジスタTr1の半導体ベアチップを導電パターンPの接続ランドにワイヤーボンディングし、かつ、アルミナ基板1上に所定間隔を存して対向する一対の導電路S1,S2からなるインダクタンス素子を薄膜形成し、これら導電路S1,S2によって不平衡/平衡変換回路を構成した。 (もっと読む)


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