【課題】線形性に優れた電力増幅器を提供する。
【解決手段】この電力増幅器は、並列接続された２つのトランジスタ５，６を含む初段アンプ３と、トランジスタ１５を含む後段アンプ４とを備える。トランジスタ５を歪補償回路無しのＡ級寄りにバイアスし、トランジスタ６，１５を歪補償回路付きのＢ級寄りにバイアスする。初段アンプ３のゲイン特性の凹部と後段アンプ４のゲイン特性の凸部とが噛み合うように、トランジスタ５，６，１５のゲイン特性を調整し、電力増幅器全体としてのゲイン特性の平坦化を図る。 （もっと読む）

【課題】 線型の電力増幅器において、高周波特性に影響を及ぼす帰還容量のドレイン電圧依存性を抑えて歪み特性の劣化を防ぐことができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０上にゲート絶縁膜４４を介してゲート電極４５を形成する。このゲート電極４５のドレイン領域側の側壁を覆うようにフィールドプレート電極５９ａを形成する。そして、このフィールドプレート電極５９ａの電位をフローティング状態にする。フィールドプレート電極５９ａは、例えばポリシリコン膜より形成される。 （もっと読む）