【課題】ランダムアクセス時の消費電力を低減する。
【解決手段】メモリセルＭＣａｊ(j=1〜8)の各々が、ゲートが書き込みワード線に接続され、ソースまたはドレインが記憶ノードＳＮに接続されている書き込みトランジスタＴＷと、ゲートが記憶ノードＳＮに接続されている読み出しトランジスタＴＲと、記憶ノードＳＮと読み出しワード線との間に接続されているキャパシタＣとを有し、書き込みワード線と読み出しワード線の少なくとも一方が、階層化されている。階層化されているワード線は、主ワード線ＭＷＬｗまたはＭＷＬｒと、それぞれが主ワード線の配線方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣａｊに接続されている複数の副ワード線ＳＷＬｗ,…またはＳＷＬｒ,…とからなり、各副ワード線と主ワード線とがスイッチ２ｗまたは２ｒを介して接続されている。
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