【課題】周辺装置等を相互接続するために、複数の独立アレイの隣接する列と列の間を通る伝導体層を備える。
【解決手段】本発明のダイナミックランダムアクセスメモリは、メモリセルのアレイと、メモリセルのアレイにデータを書き込み、メモリセルのアレイからデータを読み出すための複数の周辺装置であって、プログラム可能な複数のマルチプレクサセルを含む複数の周辺装置と、電源と、複数のパッドと、複数のメモリセル、複数の周辺装置、電源及び複数のパッドの間を相互接続する伝導体層と、を具えている。メモリセルのアレイは、行と列に配置されて、複数の独立アレイを形成しており、複数の独立アレイは、複数のアレイブロックに構成され、複数の周辺装置は、独立アレイの隣接する行と行の間に配置された複数のセンス増幅器と、独立アレイの隣接する列と列の間に配置された複数の行デコーダとを有している。 （もっと読む）

【課題】動作モードや電源投入時に対応し、必要な電源供給を効率よく且つ適切に行う。
【解決手段】本発明のダイナミックランダムアクセスメモリは、メモリセルからなるアレイと、メモリセルにデータを書き込み、これらメモリセルからデータを読み出すための複数の周辺装置と、 複数の供給電圧を生成する複数の電圧源であって、これら電圧源の少なくとも１つが、複数の電力増幅器を有する電圧レギュレータであり、これら電力増幅器は、設定された出力電力レベルを達成するために、別個の又は同時の操作モードで動作可能な複数のグループに分けられた複数の電圧源と、アレイと複数の周辺装置に、複数の供給電圧を伝送する電力分配バスと、を具えている。 （もっと読む）

【課題】大規模半導体メモリデバイスに適切な動作電圧を供給する手段を提供する。
【解決手段】本発明は、外部電圧に応答して出力電圧を供給するためのダイナミックランダムアクセスメモリ用電圧レギュレータであって、外部電圧がパワーアップ範囲を規定する第１設定値以下であるとき、外部電圧を出力電圧として供給する外部電圧供給回路と、外部電圧を受けると共に、外部電圧と所望の関係を有する基準信号を生成する能動基準回路と、基準信号に応答し、外部電圧が第１設定値以上のとき、基準電圧を生成する１単位ゲイン増幅器と、外部電圧供給回路が外部電圧を出力電圧として供給しないとき、出力電圧を提供するために、１単位より大きなファクターによって基準電圧を増幅する電力増幅器ステージと、外部電圧がバーンイン範囲を規定する第２設定値を超えるとき、外部電圧を追従するように基準電圧をプルアップするプルアップステージとを具えている。 （もっと読む）