【課題】迅速な研磨速度、及び、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液を提供する。
【解決手段】半導体集積回路用基板の化学的機械的平坦化に用いる、下記式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする金属用研磨液である。また、下記式（Ｉ）で表される化合物は、分子中に、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基を部分構造として含む置換基が導入されていることが好ましい。
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【課題】ポリッシュ作業によって生じる周期的な分極反転構造に一致した微小な段差が発生せず、ＱＰＭ−ＬＮ素子の波長変換高率を高める。
【解決手段】周期的な分極反転構造を有する非線形光学媒質の表面を鏡面に研磨する研磨方法であって、研磨に用いる微細砥粒を含む加工液のｐＨ値を、７〜１０の範囲とする。好適には、微細砥粒は、粒子径が１０〜４００ｎｍのコロイダルシリカであり、加工液中に固形分で１０〜６０重量％含まれている。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面（研磨面）や貫通穴内に残留した研磨生成物や“古い研磨液”を、効率的に除去できるようにする。
【解決手段】研磨パッド６６の内部に設けた肉厚方向に貫通する複数の貫通穴６６ｂを連絡溝６６ｃで互いに連絡させ、研磨パッドのコンディショニングを行うときに研磨パッド６６に加えられる液体で、研磨パッド６６の表面（研磨面）６６ａや貫通穴６６ｂ内に残留した研磨生成物や“古い研磨液”を、連絡溝６６ｃを通して外部に押し流して効率的に除去しながら、研磨パッド６６のコンディショニングを行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】 スラリの酸化作用を促進する固体触媒を含有し、研磨レートが大きくてディッシングなどの不具合が抑制される無発泡構造の研磨パッドを実現する。
【解決手段】 基板２１上に形成された被研磨膜２２をスラリ４１を流しながら研磨する研磨パッド１０であって、無発泡構造の熱可塑性の樹脂層からなり、該被研磨膜２２と該スラリ４１の中の化学物質とが反応する化学反応を促進する固体触媒１１を含有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 研磨層とクッション層との間で剥離しにくい積層研磨パッドを提供することを目的とする。また、該積層研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 研磨層とクッション層とが両面テープを介して積層されている積層研磨パッドにおいて、前記両面テープの基材が疎水性樹脂により形成されていることを特徴とする積層研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 従来技術に比して確実かつ簡易な方法をもって、変更前の設定圧力から変更後の設定圧力に至るまで、チャックおよびリテーナを加圧する圧力の変化率をほぼ同等なものとして、ほぼ同じ時期に変更後の設定圧力に到達させる。
【解決手段】 研磨レシピに従い、第１の圧力指令値および第２の圧力指令値を順次変更して、下エアバッグ１５および上エアバッグ１６内の圧力Ｐ1、Ｐ2を、各設定圧力に変更するとともに、各変更された設定圧力を所定時間保持する制御を行う。この制御は、変更前の設定圧力から変更後の設定圧力に至るまでの圧力変化幅を、分割して、分割した各圧力指令値Ｌ41b、Ｌ42bを生成し、変更前の圧力指令値から変更後の圧力指令値に至るまで、分割した各圧力指令値Ｌ41b、Ｌ42bを順次出力することで、変更前の設定圧力から変更後の設定圧力に至るまで、チャック１３およびリテーナ１４を加圧する圧力を段階的に変化させるようにして行う。
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【課題】研磨途中でウエハを定盤から離すことなく研磨中の膜の厚さを知ることができ、研磨の高精度な制御が効率よくできるウエハの研磨に用いられるウエハ研磨方法及びウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】定盤１に膜付きウエハ７を押し付けて研磨する研磨方法において、定盤の一部の領域を通過させてウエハの研磨面に光を照射し、領域を通過したウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨途中に膜の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】従来の燃料噴射弁の加工方法では燃料噴射特性が最適となるような噴口形状に調整することが出来なかった。このため、燃料噴射弁の燃料噴射特性が最適となるような燃料噴射ノズルの噴口形状に調整するために、噴口形状の制御を可能とする流体研磨による加工方法を提供する。
【解決手段】エンジン１の噴射ノズル５０における噴口５８の加工方法であって、前記噴口５８にピン６１を挿入した状態で、流体研磨を行うこと、を特徴とする噴口５８の加工方法である。 （もっと読む）

【課題】被研磨面の研磨レートの研磨面温度への依存性が高いＣＭＰプロセスにおいても、被研磨面の高い研磨レートを維持しながら均一な研磨プロファイルを得ることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの被研磨面９を研磨テーブル１の研磨面８に接触させ、被研磨面９と研磨面８の相対運動により被研磨面９を研磨する研磨装置において、研磨面８に向けて圧縮ガス等の気体を吹き出す流体吹出機構３０と、研磨面８の温度分布を測定するサーモグラフィ４０と、コントローラ５０とからなる研磨面温度制御手段２０を備えた。被研磨面９を研磨する際に、研磨面温度制御手段２０は、サーモグラフィ４０の測定結果に基づいて、気体の吹き出し流量、温度、吹付位置を決定することで、流体の吹き出しを制御し、研磨面８を所定の温度分布にすることで、被研磨面９の研磨レートを均一にする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハＷの面圧を均一に安定化させ、高い平坦度及びよい表面粗さを実現できる圧力制御装置を実現する。
【解決手段】供給路２１、供給路１７に水が供給されることで、チャック１３のウェーハ保持面Ｃwに水を供給して、チャック１３のウェーハ保持面ＣwとウェーハＷとの間に、液体ベアリング層が形成される。圧力制御弁３０（減圧弁３０）は、供給路２１のうち水ベアリング層よりも上流の箇所３０Ａに設置されており、コントローラ４０は、圧力制御弁３０に圧力指令信号を出力する。圧力指令信号に応じて、当該供給路２１の圧力制御弁設置箇所３０Ａにおける水の圧力Ｐvが調整されることによって、水ベアリング層におけるバックプレス圧Ｐwが制御される。 （もっと読む）