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国際特許分類[B26F1/28]の内容

国際特許分類[B26F1/28]に分類される特許

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【課題】絶縁基板に複数の貫通孔を形成する際、形成位置にずれが生じ難い方法を提供する。
【解決手段】レーザ誘導式放電技術を利用して、絶縁基板に複数の貫通孔を形成する際に、最も中心にある対象位置から貫通孔を形成し、その後、貫通孔の形成対象位置を外方に広げて行く。 (もっと読む)


本発明は、電気的絶縁性である又は半導体である基板中に、ホール又は凹部又はくぼみを作り出す方法及び、この方法により作り出された、基板中のホール又は凹部又はくぼみに関する。本発明はまた、前記方法により作り出された基板中のホール又は凹部又はくぼみの配列に関する。本発明はまた、本発明に係る方法を実行するためのデバイスに関する。
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【課題】インゴットの一端面が固定された状態で、インゴットの他端面が一端面に対して傾いている場合であっても、切断して得られる板状体の破損を抑制でき、高品質の板状体を製造できる導電性セラミックスの板状体製造装置、及び、導電性セラミックスの板状体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る装置100は、インゴット10の一端面11が取り付けられる取付ベース110と、他端面12側に配設され、取付ベース110に向かって移動する移動ベース120と、他端面12と移動ベース120との間に配設され、他端面12を取付ベース110側に向けて保持する保持機構130と、移動ベース120と保持機構130とを連結するとともに、保持機構130の傾きを変更する連結機構140と、保持機構130が他端面12に密着した状態で、取付ベース110に対して移動ベース120を固定する固定機構150とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】クロストークノイズが低減され、インピーダンス整合がとれる同軸構造のスルーホールを備えた配線基板を、高い絶縁信頼性と接続信頼性を確保し、かつ、簡便に製造することが可能な配線製造方法を提供する。
【解決手段】コア基板2の一方の面から、プラズマエッチングにより、同軸構造の中心微細孔5と外層円筒孔部6を穿設し、それぞれの内壁面に、導電性物質拡散防止層7a、7bと下地導電層8a、8bを形成し、さらにその孔内部に導電性物質9a、9bを充填した後、研磨によりその部分を露出させて中心スルーホール5と外層スルーホール6を形成し、さらに中心スルーホール内に充填された導電性物質に接続し、かつ、外層スルーホール内に充填された導電性物質と絶縁されたビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した配線を形成する工程と、を有するものとした。 (もっと読む)


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