【課題】補強材を内部に備えることが可能で、かつ、従来のＡＬＣパネルよりも耐火性に優れたワラストナイト系珪酸カルシウム軽量パネルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】内部に補強材が配置されており、かつ、ゾノトライト生成率が５０質量％〜８０質量％であるゾノトライト系珪酸カルシウム成形体を、７５０℃〜８５０℃の温度範囲で、かつ、前記補強材の温度が７００℃以上となるように加熱処理をする。さらに、前記ゾノトライト系珪酸カルシウム成形体として、室温から７００℃までの加熱寸法変化が０．０％〜＋１．０％の範囲にあり、かつ、７００℃〜９００℃における熱収縮率が１．０％以下であるゾノトライト系珪酸カルシウム成形体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性（放熱性）及び絶縁性に優れ、低膨張で、しかも板厚方向に通電し得るプリント配線板に好適なセラミック基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上で電気抵抗が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以上のセラミック基板である。セラミック基板の板厚方向にほぼ直線で貫通した状態で金属導体が埋めこまれている。所定の位置に金属導体が埋設されたセラミック成形体を作製する成形工程と、この成形体を加熱しセラミック粉末を焼結させる焼結工程と、焼結工程で得られた焼結体を切断加工する切断工程と、切断工程で切断加工された切断加工品の表面を研磨加工する研磨工程を含んでなる、板厚方向に貫通した金属導体を有するセラミック基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基材へのモリブデン元素の拡散を防止して、体積抵抗の変化や絶縁抵抗の低下などがない、安定な金属部材内蔵のセラミックス部材を提供する。
【解決手段】少なくともモリブデン元素を含んでなる金属部材を内蔵したセラミックス部材において、前記金属部材をシリコン粉末中に埋設した熱処理、あるいはシランガス（ＳｉＨ₄ ）を用いたプラズマ処理などにより、前記金属部材の少なくとも表面に、基材となるセラミックスへのモリブデン元素の拡散を防止するためのモリブデン・シリサイド相を形成する。 （もっと読む）