国際特許分類［C08G10/00］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物 (33,999) | アルデヒドまたはケトンの芳香族炭化水素またはハロゲン化芳香族炭化水素のみとの重縮合体 (14)
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ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。
（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。）
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