国際特許分類[C08G14/10]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物 (33,999) | アルデヒドまたはケトンの,グループ8/00〜12/00の少くとも2つに属する2種またはそれ以上の他の単量体との重縮合体 (128) | アルデヒドの (124) | フェノールとの (124) | フェノールおよび窒素に結合した水素を含む単量体との (98) | 複素環単量体 (16) | メラミン (4)
国際特許分類[C08G14/10]に分類される特許
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熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物
【課題】 ビスマレイミド系材料において、汎用的な設備で性能を発揮できる硬化性を保持し、耐湿性、誘電特性を維持しながらも耐熱性を飛躍的に向上させること。
【解決手段】 フェノール類(x1)と、カルボキシル基とアミノ基とを有する化合物(x2)と、アルデヒド類(x3)とを反応させて得られる縮合物(I)を含有するフェノール樹脂組成物(A)と、マレイミド類(B)と、必要に応じてエポキシ樹脂とを含有することを特徴とする含有する熱硬化性樹脂組成物、その硬化物。
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半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
【課題】半導体素子を成形、封止等する際の樹脂の充填性を向上させることができる、半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有し、成形温度における熱時硬度(ショアーD硬度)が70以上80以下である半導体封止用樹脂組成物である。
(A)熱硬化性樹脂。
(B)硬化剤。
(C)硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
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半導体封止用樹脂組成物の成形方法およびそれを用いた半導体装置
【課題】半導体素子をトランスファー成形、封止等する際の樹脂充填性を向上させ、成形後、封止樹脂内におけるボイドの発生を少なくすることができる、半導体封止用樹脂組成物の成形方法を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用樹脂組成物の成形方法であって、成形温度が165〜185℃の範囲で、成形圧力が4〜6kNの範囲であり、かつ、上記半導体封止用樹脂組成物の成形温度におけるゲル化時間が15秒以上27秒以下である。
(A)熱硬化性樹脂。
(B)硬化剤。
(C)硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
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半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
【課題】半導体素子を成形、封止等する際の樹脂の充填性を向上させることができる半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有し、成形温度におけるゲル化時間が15秒以上27秒以下で、かつ、(D)成分の含有量が、半導体封止用樹脂組成物全体の86〜95重量%の範囲内に設定されている半導体封止用樹脂組成物である。
(A)熱硬化性樹脂。
(B)硬化剤。
(C)硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
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