国際特許分類[C30B11/08]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253) | 融液中に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの (33) | 結晶化中に結晶組成の全ての成分を加えるもの (15)
国際特許分類[C30B11/08]の下位に属する分類
固体または液体成分,例.ベルヌーイ法 (3)
蒸気成分,例.気相―液相―固相成長 (8)
国際特許分類[C30B11/08]に分類される特許
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マイクロピット密度(MPD)が低いゲルマニウムのインゴット/ウェハ、ならびに、その製造システムおよび製造方法
【解決手段】 成長させたゲルマニウム結晶のマイクロピット空隙密度を低減する特徴を持つ結晶成長用のシステムおよび方法を開示する。一実施例によると、加熱源を有する炉に原材料を持つアンプルを挿入する段階と、原材料/るつぼと相対的に結晶化温度勾配を移動させて原材料を融解させる垂直成長プロセスを用いて結晶を成長させる段階と、結晶成長が所定の長さに到達すると、原材料を成長させて単結晶質の結晶を形成する段階とを備え、マイクロピット密度が低くなった単結晶インゴットを繰り返し提供する方法が提供される。 (もっと読む)
炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶
【課題】欠陥の少ない高品質な結晶性をそなえるとともに、実用的な速度で、連続的に結晶成長を行なうこと可能とする炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】CVD法により炭化珪素単結晶3を製造する方法であって、炭化珪素の結晶1上にシリコン融液層2を介在させ、シリコン融液層2を介してアセチレン又はエチレン濃度1〜40vol%であって、原料気体を構成する各ガスの熱分解時のエンタルピーの総和が負の値となる原料気体を供給して、炭化珪素の結晶3を成長させる。
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単結晶ゲルマニウムの結晶成長システム、方法および基板
単結晶ゲルマニウムの結晶成長を対象とするシステム、方法および基板が開示される。例示的な一実施形態によれば、単結晶ゲルマニウムの結晶成長法が提供される。さらに、上記方法は、坩堝の中に、第1のゲルマニウム原材料を充填する段階と、ゲルマニウム融解材料の補充に用いられる容器の中に、第2のゲルマニウム原材料を充填する段階と、アンプルの中に、前記坩堝および前記容器を密封する段階と、結晶成長炉の中に、坩堝とともにアンプルを配置する段階と、第1および第2のゲルマニウム原材料を融解する段階と、結晶化させるための融液の温度勾配を制御して、改善されたまたは予め定められた特性を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットを再現性よく提供する段階とを有する。 (もっと読む)
炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶
【課題】欠陥の少ない高品質な結晶性をそなえるとともに、不純物を含まず、実用的な速度で、連続的に結晶成長を行なうこと可能とする炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素の種結晶1の上にシリコン融液層2を形成し、シリコン融液層2の上に炭素を含む原料気体、または炭素を含む原料気体とシリコンを含む原料気体の混合ガス、あるいは炭素とシリコンを同一分子中に含む原料気体を供給して、炭化珪素の結晶3を成長させる。
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